pc dram 文章進(jìn)入pc dram技術(shù)社區(qū)

RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼？

　　RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。　　按照存儲(chǔ)信息的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM,DRAM)。　　SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。　　SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機(jī)存
關(guān)鍵字： SRAM DRAM

聯(lián)想總裁蘭奇：未來(lái)三年P(guān)C銷量仍將下滑但銷售額上漲

　　美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月9日，2018 CES今日在拉斯維加斯開(kāi)幕;聯(lián)想集團(tuán)總裁兼COO蘭奇在與網(wǎng)易科技等媒體對(duì)話時(shí)表示，盡管PC的整體銷量在下滑，但銷售額卻在增長(zhǎng)，這意味著PC的平均單價(jià)在上漲。在談及PC業(yè)務(wù)時(shí)，蘭奇表示，去年開(kāi)始銷量確實(shí)在下滑，但是營(yíng)業(yè)額卻在上漲，也就是平均單價(jià)在持續(xù)增長(zhǎng);蘭奇表示，從2018年來(lái)看，這個(gè)趨勢(shì)仍將持續(xù)，甚至將持續(xù)到未來(lái)的三年時(shí)間內(nèi)。蘭奇認(rèn)為，造成這個(gè)情況的原因主要有三個(gè)，其一是消費(fèi)升級(jí)，消費(fèi)者需要更好的外形設(shè)計(jì)、更大的空間;第二個(gè)原因在于PC業(yè)務(wù)已經(jīng)成為了一個(gè)替換業(yè)務(wù)，很多
關(guān)鍵字：聯(lián)想 PC

IC Insights:DRAM今年價(jià)格將開(kāi)始下滑

　　研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布最新報(bào)告指出，DRAM廠于2017年第4季的銷售金額將創(chuàng)下歷史新高峰，預(yù)估達(dá)到211億美元，較2016年第4季的128億美元大增65%。IC Insights表示，據(jù)歷史經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，DRAM產(chǎn)業(yè)在不久的將來(lái)，可能經(jīng)歷長(zhǎng)期間的景氣向下格局，因隨著DRAM產(chǎn)能增加，今年價(jià)格將開(kāi)始下滑，跌勢(shì)更恐達(dá)2年之久。　　回顧2017年，受惠于數(shù)據(jù)中心需求，帶動(dòng)服務(wù)器DRAM明顯升溫，同時(shí)智能手機(jī)與其他移動(dòng)裝置產(chǎn)品采用低功耗高密度DRAM也同步成長(zhǎng)，2017年DRAM價(jià)格報(bào)價(jià)一路上揚(yáng)
關(guān)鍵字： DRAM

揭露DRAM和電容炒貨內(nèi)幕，三星兜底策略縱容漲價(jià)

缺貨漲價(jià)固然有產(chǎn)能不足的因素，但原廠聯(lián)合渠道商炒貨，是其中更為重要的潛在影響因素。
關(guān)鍵字： DRAM 三星

兩大新技術(shù)加持三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)

　　搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測(cè)系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。　　DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來(lái)最大增幅;未來(lái)DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
關(guān)鍵字：三星 DRAM

兩大新技術(shù)加持三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)

　　搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測(cè)系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。　　DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來(lái)最大增幅;未來(lái)DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
關(guān)鍵字： DRAM DDR4

明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過(guò)于求。
關(guān)鍵字： NAND DRAM

明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

　　內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場(chǎng)仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過(guò)于求。　　DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。　　內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見(jiàn)指出，DRAM 市場(chǎng)供貨持續(xù)吃緊，價(jià)格未見(jiàn)松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補(bǔ)供貨缺口。　　另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
關(guān)鍵字： DRAM NAND

5nm工藝可能無(wú)法實(shí)現(xiàn)？存儲(chǔ)器除了3D NAND還有其他選擇？看這4個(gè)技術(shù)老兵怎么說(shuō)

　　5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲(chǔ)器的未來(lái);太多可能解決方案帶來(lái)的高成本。　　近日，外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來(lái)哪些變化和影響，專家團(tuán)成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進(jìn)模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計(jì)算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
關(guān)鍵字： 5nm DRAM

再進(jìn)一步，三星發(fā)布最強(qiáng)10nmDRAM芯片

　　根據(jù)三星最新財(cái)報(bào)顯示，三星Q3凈利潤(rùn)更是高達(dá)98.7億美元，增長(zhǎng)145%，季度凈利直逼蘋果，成為世界最賺錢的兩家公司之一。而耀眼財(cái)報(bào)的背后，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)起著舉足輕重的作用。　　昨日半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)曝出一條最大新聞——“ 三星電子全球首發(fā)第二代10納米級(jí)DRAM產(chǎn)品。” 　　三星在聲明中稱，這是全球第一個(gè)第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片，擁有強(qiáng)化的節(jié)能效率和資料處理效能，將鎖定云端運(yùn)算中心、移動(dòng)設(shè)備和高速繪圖卡等高階大數(shù)據(jù)處理的電子設(shè)備。
關(guān)鍵字：三星 DRAM

三星DRAM“霸主”地位難撼動(dòng)！已開(kāi)發(fā)出全球最小DRAM內(nèi)存芯片

　　繼 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工藝生產(chǎn)出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星電子今日又宣布已開(kāi)始通過(guò)第二代 10nm 制程工藝生產(chǎn) 8Gb DDR4 芯片。另?yè)?jù)路透社報(bào)道，三星開(kāi)發(fā)的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。　　據(jù)悉，和第一代 10nm 工藝相比，三星第二代 10nm 工藝的產(chǎn)能提高了 30%，有助于公司滿足全球客戶不斷飆升的 DRAM 芯片需求。此外，第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%，同時(shí)功耗又降低了 1
關(guān)鍵字：三星 DRAM

第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,明年首季確定再漲

　　DRAM 內(nèi)存市場(chǎng)近期嚴(yán)重供不應(yīng)求，造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價(jià)格再上調(diào) 3% 至 5%。而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。除此之外，有部分供應(yīng)鏈透露，2018 年第 2 季的價(jià)格恐也將不樂(lè)觀，價(jià)格將續(xù)漲 5% 以上。因此，在需求太強(qiáng)勁的情況下，此波 DRAM 價(jià)格從 2016年下半年以來(lái)，每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢(shì)。如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價(jià)，報(bào)價(jià)已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚(yáng)，堪稱 DRAM 史上時(shí)間最長(zhǎng)的多頭行情。　　事實(shí)上，當(dāng)前的第 4 季是傳統(tǒng)
關(guān)鍵字： DRAM DDR4

第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%，再寫史上新高

　　今年內(nèi)存供給吃緊，推升價(jià)格持續(xù)走揚(yáng)，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。　　據(jù)IC Insights估計(jì)，第四季DRAM銷售金額將來(lái)到211億美元，較去年同期跳增65%，且是有史以來(lái)最佳記錄。　　全年來(lái)看，DRAM市場(chǎng)預(yù)估成長(zhǎng)74%，較1993-2017年平均水平高61個(gè)百分點(diǎn)，也是繼1994年成長(zhǎng)78%以來(lái)最強(qiáng)成長(zhǎng)動(dòng)能。　　許多因素造就今年內(nèi)存走大多頭，當(dāng)中包含近幾年主要內(nèi)存廠刻意節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，同期間剛好又遇上數(shù)據(jù)中心、行動(dòng)與游戲設(shè)備對(duì)高效能內(nèi)存的需求大
關(guān)鍵字： DRAM

中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)關(guān)注DRAM連漲七個(gè)季度,何處是盡頭?

圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情，無(wú)論是“供需論”還是“壟斷說(shuō)”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無(wú)奈，領(lǐng)軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺(jué)。
關(guān)鍵字： DRAM NAND

南亞科：明年DRAM市場(chǎng)穩(wěn)健，Q1供貨仍吃緊

　　今年DRAM市場(chǎng)強(qiáng)勁成長(zhǎng)，南亞科技(2408)預(yù)期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊，DRAM平均銷售單價(jià)走勢(shì)穩(wěn)健;展望2018，預(yù)期明年整體DRAM市場(chǎng)供需均衡且健康，市場(chǎng)將持續(xù)維持穩(wěn)健。　　隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、高速運(yùn)算等應(yīng)用，促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展，DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件，帶動(dòng)今年內(nèi)存市場(chǎng)強(qiáng)勁成長(zhǎng)逾50%。　　展望2018年，南亞科預(yù)期DRAM資本支出主要用于先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能，DRAM位年成長(zhǎng)率在20%~25%，預(yù)估2018年需求將較2017
關(guān)鍵字：南亞科 DRAM