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紫光國芯:DRAM未來會考慮與長江存儲合作
- 紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。 前不久，針對“存儲芯片行業(yè)增長很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機構(gòu)進行互動問答時表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設(shè)計業(yè)務，公司自身沒有制造環(huán)節(jié)，但市場上DRAM的代工廠很少，特別是在市場需求旺盛的時期，公司由于規(guī)模較小，產(chǎn)
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紫光國芯第四代DRAM芯片明年上市 北方華創(chuàng)搶占14nm設(shè)備市場
- 近兩日連續(xù)大漲的紫光國芯在接受數(shù)家機構(gòu)調(diào)研時表示，前三季因研發(fā)投入加大及市場競爭加劇，整體毛利率下降，導致業(yè)績下降。目前第四季度經(jīng)營好于預期，對全年業(yè)績估計相對樂觀，公司積極開拓集成電路業(yè)務市場，營業(yè)收入穩(wěn)定增長。紫光國芯預計，公司2017年全年凈利潤為2.35億元～3.36億元，上年同期為3.36億元，同比變動-30%～0%。前三季度，紫光國芯實現(xiàn)營業(yè)收入13.08億元，同比增長31.31%;凈利潤為2.13億元，同比下降22.912%。紫光國芯表示，公司FPGA產(chǎn)品目前處于研發(fā)投入階段，已投入自有
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IC Insights：半導體產(chǎn)業(yè)最大成長動能將來自汽車
- PC不再是半導體的殺手級應用，取而代之的是許多新的應用領(lǐng)域不斷涌現(xiàn)。其中包括汽車半導體市場——多年來穩(wěn)居半導體產(chǎn)業(yè)的強勁市場。 個人計算機(PC)市場多年來一直是半導體銷售的單一最大驅(qū)動力，但在最近已經(jīng)連續(xù)第六年下滑了。同時，2017年半導體產(chǎn)業(yè)預計將迎來銷售表現(xiàn)最佳的一年，其中，最強勁的成長動能就來自于車用市場，這一成長力道還將續(xù)至2021年。 PC不再是半導體的殺手級應用，取而代之的是許多新的應用領(lǐng)域不斷涌現(xiàn)。其中包括汽車半導體市場——多
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數(shù)據(jù)中心需求熱，SK海力士第三季營收大幅增長30.1%
- 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，在北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強勁，以及DRAM供給端產(chǎn)能與制程受限制下，并不能滿足整體服務器內(nèi)存市場需求，Server DRAM供不應求的情形在第三季度更為顯著。受到平均零售價(Average Selling Price)墊高帶動，三大DRAM原廠第三季營收成長約25.2%。 DRAMeXchange分析師劉家豪指出，進入第四季，在服務器出貨動能不減的情況下，整體Server DRAM供不應求的狀況將更為明顯，Server DRAM第四
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存儲器廠調(diào)漲DRAM合約價 明年Q1價格仍有望居高不下
- DRAM漲勢不斷，后遺癥逐步顯現(xiàn)，渠道商表示，因存儲器漲幅過大，下游應用端，尤其是筆電和部分智能手機等市場，不堪侵蝕獲利，已開始朝降低搭載量抵制，加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出，研判明年下半年，DRAM漲勢將止步，價格有下調(diào)壓力。 調(diào)研機構(gòu)研究報告顯示，三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計劃，都為未來DRAM市場投下新變數(shù)，明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長11.8%，但成長已低于今年的67.8%，到2019年，在新產(chǎn)能增加，重陷價格戰(zhàn)下，年產(chǎn)值將衰選25.9%，且預估有2年的殺戮戰(zhàn)。
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破解傳統(tǒng)PC困局！高通聯(lián)手聞泰推“手機化”筆記本電腦
- 日前，IDC發(fā)布2017年第三季度全球PC出貨量報告顯示，全球傳統(tǒng)PC(臺式機、筆記本電腦)出貨6720萬臺，同比下降0.5%，低于預期的1.4%降幅，PC市場經(jīng)歷5年持續(xù)下滑之后似乎有反彈的跡象。 近年來，小米、華為等手機廠商的相繼入局，為傳統(tǒng)PC市場注入了新鮮血液，如今全球第一大ODM廠商也宣布進軍筆電市場，更是有望在PC市場掀起一場產(chǎn)業(yè)變革。 用做手機的方式去做電腦 7月4日，聞泰科技發(fā)布公告宣布進軍筆記本電腦市場。公告顯示，聞泰科技全資子公司聞泰通訊在高通的支持下開始研發(fā)高通
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DRAM缺貨恐延至明年 兩大模組廠喊缺
- 臺灣兩大存儲器模組廠威剛與創(chuàng)見一致認為，動態(tài)隨機存取存儲器( DRAM )將持續(xù)缺貨。威剛預期，DRAM缺貨情況可能延續(xù)到明年。 威剛指出，全球人工智能與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，帶動云端基礎(chǔ)設(shè)備及服務規(guī)模大舉躍升，連帶刺激全球DRAM需求急遽成長。 只是全球DRAM大廠近年都專注于制程改良，并未就新增產(chǎn)能進行巨額投資，威剛表示，這使得今年來全球DRAM缺貨問題不斷延燒。 創(chuàng)見預期，第4季DRAM市場仍將持續(xù)供不應求，產(chǎn)品價格也將維持高檔。 威剛更指出，韓系DRAM大廠已預告明年第1
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DRAM核心設(shè)計的新舊存取技術(shù)差異
- 本文討論不同的存取技術(shù)對于DRAM在進行實體設(shè)計時所發(fā)生的改變，尤其是指由1電晶體+1電容器組成的儲存單元——DRAM的最小記憶單位… 不同的存取技術(shù)對于動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)在進行實體設(shè)計時將發(fā)生什么改變?當動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中的儲存單元(storage cell)加上控制端點以及數(shù)據(jù)端點后，就被稱為1T1C DRAM單元;其中，控制端點也就是字組線(WL)，用于傳遞位址訊號，數(shù)據(jù)端點也就是位元線(BL)，用于傳遞數(shù)據(jù)值。 陣列結(jié)
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0.7納秒！相變存儲器速度新極限
- 隨著數(shù)字全球化，爆炸式增長的信息對數(shù)據(jù)的存儲與傳輸提出了極大的挑戰(zhàn)，而且目前商用計算體系架構(gòu)內(nèi)各存儲部件，即緩存(SRAM)、內(nèi)存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大，其間的數(shù)據(jù)交換效率也已成為了電子設(shè)備發(fā)展的瓶頸。因此研發(fā)具備存儲密度大、讀寫速度快、能耗低、非易失(即斷電后數(shù)據(jù)不丟失)等特點的新式通用式存儲介質(zhì)勢在必行。 近日，美國Science雜志發(fā)表了西安交通大學與上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的合作論文——《Red
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蘋果掃貨 DRAM本季已漲10% 下季料將續(xù)漲5%
- 由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季行動式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應發(fā)酵下，標準型、服務器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識，法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。 南亞科受惠于DRAM合約價順利調(diào)漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出，6日公告10月合并營收月增9.2%達新臺幣50.72億元，創(chuàng)下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預估華邦電營收將介于新臺幣4
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