pc-dram 文章 進(jìn)入pc-dram技術(shù)社區(qū)
三星投26億擴(kuò)展Line 17工廠10nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)能
- 三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財(cái)報(bào),營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻(xiàn)最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內(nèi)存和NAND閃存。時至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價的情況都沒有緩解,現(xiàn)在還是供不應(yīng)求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能,其中三星也要斥資26.4億美元擴(kuò)產(chǎn)Line 17工廠,下半年加速10nm級DRAM內(nèi)存生產(chǎn)。 三星前不久才宣布了全球最大的半導(dǎo)體工廠平澤工廠竣工,那個是針對NAND閃存的,主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAN
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
新興內(nèi)存百家爭鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前
- 內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項(xiàng)產(chǎn)品。 不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計(jì)，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DRAM
華為為什么要挺進(jìn)PC行業(yè)？
- 據(jù)《金融時報(bào)》稱，中國科技公司華為沒有被PC市場的慘淡景象嚇到，毅然加大發(fā)展筆記本電腦產(chǎn)品的力度。 外界預(yù)計(jì)華為將在本月晚些時候推出更為成熟的筆記本電腦產(chǎn)品。華為旗下的手機(jī)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備業(yè)務(wù)在亞洲和歐洲取得長足的發(fā)展，但由于國家安全問題尚未進(jìn)入美國市場。 據(jù)悉，華為同時還將對去年發(fā)布的MateBook進(jìn)行更新升級。MateBook類似微軟推出的Surface混合型筆記本電腦?？赡苁鞘袌龈偁幖觿〉脑?，Surface銷量在微軟最近一個財(cái)季中出現(xiàn)同比25%的大幅下滑。 一位分析師談到華為謀求
- 關(guān)鍵字： 華為 PC
華為反其道行之 大力挺進(jìn)PC行業(yè)
- 據(jù)《金融時報(bào)》稱，中國科技公司華為沒有被PC市場的慘淡景象嚇到，毅然加大發(fā)展筆記本電腦產(chǎn)品的力度。 外界預(yù)計(jì)華為將在本月晚些時候推出更為成熟的筆記本電腦產(chǎn)品。華為旗下的手機(jī)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備業(yè)務(wù)在亞洲和歐洲取得長足的發(fā)展，但由于國家安全問題尚未進(jìn)入美國市場。 據(jù)悉，華為同時還將對去年發(fā)布的MateBook進(jìn)行更新升級。MateBook類似微軟推出的Surface混合型筆記本電腦?？赡苁鞘袌龈偁幖觿〉脑?，Surface銷量在微軟最近一個財(cái)季中出現(xiàn)同比25%的大幅下滑。 一位分析師談到華為謀求
- 關(guān)鍵字： 華為 PC
2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐
- 2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營收成長2%，而前十大半導(dǎo)體業(yè)者的營收則成長2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個別產(chǎn)品類型來看，DRAM與NANDFlash是2016年?duì)I收成長動能最強(qiáng)的產(chǎn)品，成長幅度超過30%;車用半導(dǎo)體的市場規(guī)模也比2015年成長9.7%。 IHS預(yù)期，由于市場需求強(qiáng)勁，2017年內(nèi)存市場的營收規(guī)模可望再創(chuàng)新高，車用半導(dǎo)體市場的規(guī)模則有機(jī)會成長超過10%。整體來說，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長。
- 關(guān)鍵字： DRAM NANDFlash
微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)
- 量子計(jì)算機(jī)如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 現(xiàn)在，微軟也要在量子計(jì)算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。 半導(dǎo)體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達(dá)成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行的DRAM系統(tǒng)，為未來的量子計(jì)算機(jī)服務(wù)。 Rambus研究所副總裁Gary Bronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運(yùn)算效率，并且降低功耗。 同時，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導(dǎo)環(huán)境中有效運(yùn)行，從而確保整個存儲系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字： 微軟 DRAM
聯(lián)想：成本漲價 今后只做高端PC
- 從去年開始，受閃存芯片市場供應(yīng)緊張的影響，內(nèi)存、SSD的價格持續(xù)走高，讓很多PC廠商感到頭疼。 面對這樣的局面，聯(lián)想也迅速調(diào)整戰(zhàn)略方向，以求減少利潤沖擊。聯(lián)想中亞太地區(qū)總經(jīng)理張偉豪近日在臺灣表示，聯(lián)想在零件成本已有不錯的控制;但因應(yīng)漲價需求，目前也逐漸將入門、低毛利的新機(jī)數(shù)量下調(diào)，主攻高規(guī)格、加上不同的新機(jī)種搶下銷量。 在今年1月份的CES展會上，聯(lián)想正式發(fā)布了旗下電競品牌Legion，包括筆記本、臺式機(jī)以及AIO一體機(jī)。 按照聯(lián)想的計(jì)劃，接下來將深耕電競市場，還會開設(shè)Legion品牌店，
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)想 PC
微軟研發(fā)黑科技節(jié)電技術(shù) 欲大幅提高PC能耗表現(xiàn)
- 據(jù)國外媒體報(bào)道稱，微軟日前表示，Windows10Insider最新的內(nèi)測版，會讓用戶幫忙測試一項(xiàng)全新節(jié)電功能。 消息稱，這一暫定名為“電源節(jié)流”(PowerThrottling)的功能不僅可以讓W(xué)indows10部分應(yīng)用能加高效的運(yùn)行，同時還可以讓用戶自主通過一個滑動按鈕的方式選擇是讓應(yīng)用更加節(jié)能的運(yùn)行，還是以最高性能模式運(yùn)行。比如，如果用戶將這一按鈕滑到右側(cè)，就可以達(dá)到系統(tǒng)性能最大化，電源節(jié)流功能將被禁用。如果用戶將它滑到最左邊，則Windows系統(tǒng)的電池續(xù)航時間就越
- 關(guān)鍵字： 微軟 PC
力晶：大陸DRAM做不起來 5G時代存儲器會長缺
- 力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導(dǎo)體以為撒錢就可以，但未來用補(bǔ)助研發(fā)費(fèi)用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預(yù)計(jì)進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運(yùn)率先展示5G技術(shù)，未來DRAM是長期缺貨的走勢! 黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
- 關(guān)鍵字： DRAM 5G
微軟研發(fā)黑科技節(jié)電技術(shù) 欲大幅提高PC能耗表現(xiàn)
- 據(jù)國外媒體報(bào)道稱，微軟日前表示，Windows 10 Insider最新的內(nèi)測版，會讓用戶幫忙測試一項(xiàng)全新節(jié)電功能。 消息稱，這一暫定名為“電源節(jié)流”(Power Throttling)的功能不僅可以讓W(xué)indows 10部分應(yīng)用能加高效的運(yùn)行，同時還可以讓用戶自主通過一個滑動按鈕的方式選擇是讓應(yīng)用更加節(jié)能的運(yùn)行，還是以最高性能模式運(yùn)行。比如，如果用戶將這一按鈕滑到右側(cè)，就可以達(dá)到系統(tǒng)性能最大化，電源節(jié)流功能將被禁用。如果用戶將它滑到最左邊，則Windows系統(tǒng)的電池續(xù)航
- 關(guān)鍵字： 微軟 PC
力晶：大陸DRAM做不起來 5G時代存儲器會長缺
- 力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導(dǎo)體以為撒錢就可以，但未來用補(bǔ)助研發(fā)費(fèi)用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術(shù)在手才行，但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經(jīng)盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預(yù)計(jì)進(jìn)入大陸DRAM產(chǎn)業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運(yùn)率先展示5G技術(shù)，未來DRAM是長期缺貨的走勢! 黃崇仁進(jìn)一步表示，全球DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
- 關(guān)鍵字： DRAM 5G
三星制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖 15納米是制程微縮極限
- 三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國業(yè)者追上。 韓媒 etnews 18 日報(bào)導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn) 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預(yù)定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時，三星也成立 16 納米 DRAM 開發(fā)小組，目標(biāo)最快 2020 年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020 年量產(chǎn)時間可能延后。 三星從 20 納米制程(28→25&rar
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
韓媒曝三星DRAM發(fā)展藍(lán)圖、15nm是制程微縮極限？
- 三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定DRAM發(fā)展藍(lán)圖，擘劃制程微縮進(jìn)度。業(yè)界預(yù)估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔(dān)憂三星遭中國業(yè)者追上。 韓媒etnews 18日報(bào)導(dǎo)，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產(chǎn)18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM，預(yù)定今年底完成開發(fā)、明年量產(chǎn)。與此同時，三星也成立16納米DRAM開發(fā)小組，目標(biāo)最快2020年量產(chǎn)。相關(guān)人士透露，微縮難度高，2020年量產(chǎn)時間可能延后。 三星從20納米制程(28→25→20)，轉(zhuǎn)進(jìn)10納米制程(18&rarr
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
英特爾取消辦了20年的IDF大會：將不再以PC為中心
- 北京時間4月18日消息，英特爾宣布取消IDF( Intel Developer Forum)開發(fā)者大會。年初時，英特爾曾表示，今年不會在中國舉辦IDF，現(xiàn)在連舊金山IDF大會也取消了，原本大會計(jì)劃在8月舉行。 以前，英特爾會利用IDF大會推出新處理器架構(gòu)，同時推出其它一些重要產(chǎn)品，比如Optane非易失存儲設(shè)備。然而，英特爾遭遇的物理挑戰(zhàn)越來越大，每年更新架構(gòu)變得非常困難。引進(jìn)新制造流程時，英特爾已經(jīng)將時間推遲;展示新芯片設(shè)計(jì)的時間也已經(jīng)延后。 年初時英特爾曾經(jīng)說過，雖然中國大會取消，不過
- 關(guān)鍵字： 英特爾 PC
pc-dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條pc-dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對pc-dram的理解，并與今后在此搜索pc-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對pc-dram的理解，并與今后在此搜索pc-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
pc-dram相關(guān)帖子
pc-dram資料下載
pc-dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473