3. 

        <meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>
          


          
	
  	
          
	
          
		首頁　 
		資訊　 
		商機 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會展　 
		EETV　 
		百科 　
		問答　 
		電路圖　 
		工程師手冊 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請
	
          




          
	EEPW首頁 >> 
	主題列表 >> 
	rf gan
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          宜普電源轉換公司將在CES 2024展示基于氮化鎵技術的消費電子應用場景
          
                                                            
            
                    	
          • PC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術如何增強消費電子產品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領域的全球領導者宜普電源轉換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術如何為消費電子產品在功能和性能方面做出貢獻 ，包括實現更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會期間，EPC的技術專家將于1月9日至12日在套房與客戶會面、進行技術交流、討論氮化鎵技術及其應用場景的最新發(fā)展。氮化鎵技術正在改變大批量消費應用的關鍵領域包括：推動人工智能
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        宜普電源  CES 2024  氮化鎵  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
          
                                                            
            
                    	
          • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用CCP
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        Nexperia  SMD  CCPAK  GaN  FET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          “四兩撥千斤”，寬禁帶技術如何顛覆性創(chuàng)新
          
                                                            
            
                    	
          • 在半導體行業(yè)，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節(jié)能潛力可為實現長期的全球節(jié)能目標作出貢獻。寬禁帶技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數據中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓應用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優(yōu)勢主要體現在：? 與傳統(tǒng)的硅基半導體材料相比，寬禁帶產品具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度，更高的擊穿
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        GaN  寬禁帶  SiC                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          Efficient Energy Technology(EET)的SolMate選用EPC氮化鎵器件
          
                                                            
            
                    	
          • Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利，是設計和生產創(chuàng)新、用于陽臺的小型發(fā)電廠的先驅。EET公司選用了宜普電源轉換公司(EPC)的增強型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管（EPC2204）, 用于其新型SolMate?綠色太陽能陽臺產品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實現了最佳折衷，這對于要求嚴格的硬開關應用至關重要，同時在緊湊的封裝中實現100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設計顯著縮小了PCB的尺寸，保持較小的電流環(huán)路和最大限度地減少EMI。
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        Efficient Energy Technology  EET  SolMate  EPC  氮化鎵器件  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          面向GaN功率放大器的電源解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術，有時設計具有一定挑戰(zhàn)性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術需要柵極負電壓工作。這曾經被視為負面的——此處“負面”和“負極”并非雙關語——但今天，有一些技術使這種柵極負壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來更多其他優(yōu)勢。我們將在下
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        Qorvo  GaN  功率放大器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          日本開發(fā)新技術，可實現GaN垂直導電
          
                                                            
            
                    	
          • 當地時間11月13日，沖電氣工業(yè)株式會社（OKI）與信越化學合作，宣布成功開發(fā)出一種技術，該技術使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術，從信越化學特殊改進的QST（Qromis襯底技術）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材該技術實現了GaN的垂直導電，有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻。兩家公司將進一步合作開發(fā)垂直GaN功率器件，并與制造這些器件的公司合作，讓這些器件能應用到實際生產生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關注，尤其在1800
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        GaN  垂直導電  OKI                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          1250V！PI PowiGaN?提升GaN開關耐壓上限
          
                                                            
            
                    	
          • 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。相比于生成工藝復雜的SiC，GaN的生成工藝相對成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封裝，因此非常適合在各種消費級和工業(yè)級開關功率應用。當然，相比SiC在高壓領域的出色表現，GaN在高壓的表現并不突出。因此，作為目前GaN市場占有率最高的Power Integrations（PI）創(chuàng)新地將GaN開關的耐壓上限提升到1250V，再次為GaN開關的應用填補了新的耐受電壓領域。 PI的PowiGaN已經在超過60個的市場應用中
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        1250V  PI  PowiGaN  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應用的最佳器件
          
                                                            
            
                    	
          • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(tài)(開關)導通電阻可
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        Transphorm  氮化鎵  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          EPC新推100 V GaN FET助力實現更小的電機驅動器,用于電動自行車、機器人和無人機
          
                                                            
            
                    	
          • 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著提高了電機驅動系統(tǒng)的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉換公司宣布推出三相BLDC電機驅動逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅動器，包括電動自行車、電動滑板車、無人
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        EPC  GaN FET  電機驅動器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          CGD與群光電能科技和劍橋大學技術服務部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)
          
                                                            
            
                    	
          • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司（TWSE：6412）和英國劍橋大學技術服務部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議，共同設計和開發(fā)使用 GaN 的先進、高效、高功率密度適配器和數據中心電源產品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統(tǒng)整體解決方案提供商，專注于各種應用的電源和適配器，包括筆記本電腦、臺式電腦、游戲設備和服務器/云解決方案。劍橋大學高壓微電子和傳
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        CGD  群光電能  GaN  生態(tài)系統(tǒng)                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          巧用這三個GaN 器件 輕松搞定緊湊型電源設計
          
                                                            
            
                    	
          • 緊湊型 100 瓦電源的應用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機驅動、智能儀表和工業(yè)系統(tǒng)等。對于這些離線反激式電源的設計者來說，面臨的挑戰(zhàn)是如何確保穩(wěn)健性和可靠性，同時繼續(xù)降低成本，提高效率，縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問題，設計者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術的器件 (GaN) 來取代硅 (Si) 功率開關。這樣做直接轉化為提高電源效率和減少對散熱器的需求，從而實現更高的功率密度。然
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        電源效率  氮化鎵  GaN  電源轉換器設計                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),成為領先的氮化鎵龍頭企業(yè)
          
                                                            
            
                    	
          • 英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結束后，GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執(zhí)行官?Jochen Hanebeck?表示，“氮化鎵技術為打造更加低碳節(jié)能的解決方案掃清了障礙，有助于推動低碳化進程。收購?GaN Syste
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        英飛凌  氮化鎵系統(tǒng)公司  GaN Systems  氮化鎵                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司 (GaN Systems)
          
                                                            
            
                    	
          • 據英飛凌官微消息，英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN 
Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 
功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結束后，GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分。2023年3月2日，英飛凌和GaN Systems聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據該協(xié)議，英飛凌將斥資8.3億美元收購GaN Systems。這筆“全現金”收購交易是使用現有的流動
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        英飛凌  氮化鎵系統(tǒng)  GaN Systems                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          羅姆GaN器件帶來顛覆性革命：體積減少99%,損耗降低55%
          
                                                            
            
                    	
          • 引言如今，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為了實現無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率器件是提高其效率的關鍵，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。周勁(羅姆半導體(上海)有限公司技術中心副總經理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件備受期待。ROHM 于2022 年將柵極耐壓高達8 V 的150 V 耐壓GaN HEMT 投入量產；2023 年3月，又確
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        202310  羅姆  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          SuperGaN使氮化鎵產品更高效
          
                                                            
            
                    	
          • 1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領域的全球領先企業(yè)，致力于設計和制造用于新世代電力系統(tǒng)的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業(yè)務。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運營的上市公司，這意味著在器件開發(fā)的每個關鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng)新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應晶體管芯片。
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        202310  SuperGaN  氮化鎵  GaN  Transphorm                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
	共317條
	4/22		|‹
			«
																									2																3																4																5																6																7																8																9																10																11																																																																																																																																»
			›|
		
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          rf gan介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條rf gan!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對rf gan的理解，并與今后在此搜索rf gan的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
          
       	          						樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
        		關于我們 - 
        		廣告服務 - 
        		企業(yè)會員服務 - 
        		網站地圖 - 
        		聯(lián)系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機EEPW
        		
          
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          
        		《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
          
      			備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473
      		
          
    	
          
  	





          




          



看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人

(function(){
    var bp = document.createElement('script');
    var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0];
    if (curProtocol === 'https') {
        bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js';
    }
    else {
        bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js';
    }
    var s = document.getElementsByTagName("script")[0];
    s.parentNode.insertBefore(bp, s);
})();