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PI打出芯片組合拳 解決家電快充應用
- 2022年3月21日Power Integrations宣布推出節(jié)能型HiperLCS?-2芯片組以及集成750V PowiGaN?氮化鎵開關的HiperPFS?-5系列功率因數(shù)校正(PFC)IC?! ?jù)了解,HiperLCS-2雙芯片解決方案由一個隔離器件和一個獨立半橋功率器件組成。其中的隔離器件內部集成了高帶寬的LLC控制器、同步整流驅動器和FluxLink?隔離控制鏈路。而獨立半橋功率器件則采用Power Integrations獨特的600V FREDFET,具有無損耗的電流檢測,同時集成有上
- 關鍵字: PI HiperLCS-2芯片組 HiperPFS-5 GaN
ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制
- 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列(GNE1040TB)?的量產體制,該系列產品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達8V,非常適用于基地臺、數(shù)據(jù)中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低功耗和小型化一般來說,GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能,有助降低各種電源功耗和實現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低,因此在開關工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題,RO
- 關鍵字: SiC GaN ROHM
ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產體制
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”的量產體制,該系列產品的柵極耐壓(柵極-源極間額定電壓)*2高達8V,非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設備和各種物聯(lián)網通信設備的電源電路。一般而言,GaN器件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能,因而作為有助于降低各種電源的功耗和實現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低,在開關工作時的器件可靠性方面存在問題。針對這一課題,ROHM的新產品通過采用自有的結構,成功
- 關鍵字: ROHM 150V GaN HEMT
ST:發(fā)展碳化硅技術 關鍵在掌控整套產業(yè)鏈
- 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經理Edoardo MERLI指出,由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車和離散組件產品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領域來說,如果能將電力利用效率提升1%,就能節(jié)省95.
- 關鍵字: ST GaN SiC
安森美剝離晶圓制造廠達成最終協(xié)議改善成本結構
- 安森美(onsemi)正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略,最終目標是透過擴大毛利率實現(xiàn)可持續(xù)的財務業(yè)績。安森美於上周簽署一份最終協(xié)議,將剝離其在美國緬因州南波特蘭的工廠。隨著將生產轉移到其全球制造網絡內更高效的晶圓廠,安森美將透過消除與已出售晶圓廠相關的固定成本和降低公司的制造單位成本來改善成本結構。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示:「該擬議的資產剝離表明我們正在實現(xiàn)優(yōu)化的制造網路,同時為我們的客戶提供長期的供應保證。這些交易為受影響工廠的員工提供了持續(xù)的就業(yè)和發(fā)展機
- 關鍵字: 安森美 晶圓制造廠 GaN
GaN功率芯片走向成熟,納微GaNSense開啟智能集成時代
- GaN(氮化鎵)作為新興的第三代寬禁帶半導體材料,以高頻、高壓等為特色。但是長期以來,在功率電源領域,處于常規(guī)的Si(硅)和熱門的SiC(碳化硅)應用夾縫之間。GaN產品的市場前景如何?GaN技術有何新突破?不久前,消費類GaN(氮化鎵)功率解決方案供應商——納微半導體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片,采用了專利的GaNSense?技術。值此機會,電子產品世界的記者采訪了銷售營運總監(jiān)李銘釗、高級應用總監(jiān)黃秀成、高級研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖 從左至右:納微半導體級的高級應用總監(jiān)黃秀成、銷售營運總監(jiān)李銘
- 關鍵字: GaN 集成 202201
InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度
- 2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案,不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能,同時還能顯著減少BOM,非常適合要求具備超薄小巧外形的應用設計?! ⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝,內部集成
- 關鍵字: PI InnoSwitch?3-PD GaN
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