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          深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實現(xiàn)商用，6 英寸
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          • 關鍵字：
                        GaN-on-Si  氮化鎵                          
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          寬帶多通道調(diào)試信號分析利器，滿足RF新技術復雜測試要求
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • RF復雜測試對測試設備提出更高需求無線通信系統(tǒng)的不斷更新產(chǎn)生了對先進RF測試設備的需求，以滿足這項新技術的復雜測試要求。這些測試設備需要能夠處理更高的頻率、更寬的帶寬和更復雜的調(diào)制方案。?   波束成形：使用先進的波束成形技術來提高信號強度和質量。多通道測試應側重于測試系統(tǒng)的波束成形能力，包括波束控制、波束跟蹤和波束成形算法性能。?   大規(guī)模MIMO：大規(guī)模MIMO技術涉及使用大量天線來提高信號質量和容量。多通道測試應側重于測試大規(guī)模MIMO系統(tǒng)的性能，包括天線放
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          • 關鍵字：
                        寬帶多通道  調(diào)試信號分析  RF  測試  泰克                          
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          氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因
          
                                                            
            
                    	
          • 作為提供不間斷連接的關鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。?氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負責人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN  電源管理                          
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          高電壓技術是構建更可持續(xù)未來的關鍵
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長，高電壓技術領域的創(chuàng)新讓設計工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術更易于使用。?“隨著人均用電量的持續(xù)增長，可持續(xù)能源變得越來越重要，”TI 副總裁及高電壓產(chǎn)品部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示?！耙载撠煹姆绞焦芾砟茉词褂梅浅Ｖ匾?。我們不能浪費任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術的創(chuàng)新是實現(xiàn)能源可持續(xù)的關鍵?！?隨著電力需求的增加（在 2 秒內(nèi)將電動汽車 (EV) 從 0mph加速到 60mph?
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          • 關鍵字：
                        高電壓技術  電動汽車  GaN  IGBT                          
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          GaN 出擊
          
                                                            
            
                    	
          • 自上世紀五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領域迅速發(fā)展。隨著時間的流逝，盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關注。近段時間，GaN 方面又有了新進展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計劃
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          基于Navitas NV6115的150W電源解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 傳統(tǒng)的功率半導體被設計用來提升系統(tǒng)的效率以及減少能量損失?？墒菍嶋H上，出于兩個方面的原因-傳導和開關切換，設備可能會出現(xiàn)能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術，其改善開關切換的延遲時間。納微（Navitas）半導體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅動器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實現(xiàn)許多軟開關拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
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          • 關鍵字：
                        NAVITAS  NV6115  NV6117  GAN                          
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          GaN 良率受限，難以取代 IGBT
          
                                                            
            
                    	
          • GaN 要快速擴散至各應用領域，仍有層層關卡待突破。
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          • 關鍵字：
                        GaN                          
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          市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導體成收購的熱門賽道
          
                                                            
            
                    	
          • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復審核，其對第三代半導體業(yè)務的開拓有了新的進展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關聯(lián)交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權。事實上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業(yè)務。2023年3月2
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          • 關鍵字：
                        第三代半導體  收購  SiC  GaN                          
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          GaN 時代來了？
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場狀況將發(fā)生變化，GaN 被認為會產(chǎn)生后續(xù)替代效應。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進半導體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進行了早期部署，并繼續(xù)擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機驅動等高功率應用中實施。實現(xiàn)這一壯舉的方法是提高電子設備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方，適用于各行各業(yè)的不同應用。當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機驅動等高功
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          • 關鍵字：
                         GaN  HEMT  短路保護                          
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          英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 【2023 年 03 月 03日，德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，英飛凌將斥資 8.3 億美元收購氮化鎵系統(tǒng)公司。氮化鎵系統(tǒng)公司是全球領先的科技公司，致力于為功率轉換應用開發(fā)基于氮化鎵的解決方案。該公司總部位于加拿大渥太華，擁有 200 多名員工。  英飛凌科技首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 表示：“氮化鎵技術為打造更加
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          • 關鍵字：
                        英飛凌將  氮化鎵系統(tǒng)公司  GaN Systems  氮化鎵產(chǎn)品                          
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          幾個氮化鎵GaN驅動器PCB設計必須掌握的要點
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。本設計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
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          • 關鍵字：
                        安森美  GaN  驅動器  PCB                          
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          瑞薩電子宣布與AMD攜手展示面向5G有源天線系統(tǒng)的完整RF和數(shù)字前端設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布，將與AMD合作展示面向5G有源天線系統(tǒng)（AAS）無線電的完整RF前端解決方案。全新RF前端與經(jīng)實地驗證的AMD Zynq??UltraScale+? RFSoC數(shù)字前端OpenRAN無線電（O-RU）參考設計相搭配，包含RF開關、低噪聲放大器，和前置驅動器，提供了一套完整的解決方案，以滿足不斷增長的移動網(wǎng)絡基礎設施市場需求。該參考平臺將于2月27日至3月2日在西班牙巴塞羅那舉行的世界移動通信大會AMD展臺（2展廳，#2M61展位）進行展示。全新5G設計平
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          • 關鍵字：
                        瑞薩  AMD  5G有源天線  RF  數(shù)字前端                          
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          氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關。只有合理設計能夠支持這種功率開關轉換的印刷電路板 (PCB) ，才能實現(xiàn)實現(xiàn)高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路的 PCB 設計要點。NCP51820 是一款全功能專用驅動器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關性能而
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          • 關鍵字：
                        安森美  GaN  PCB                          
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          納芯微新品，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管的半橋芯片NSD2621 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 前言現(xiàn)階段的大多數(shù) GaN 電源系統(tǒng)都是由多個芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會產(chǎn)生寄生電感，從而影響器件的性能。例如驅動器會在單獨的芯片上帶有驅動器的分立晶體管，受到驅動器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開關節(jié)點之間的寄生電感的影響，同時GaN HEMT 具有非常高的開關速度，如果寄生電感未被抑制，將會導致信號傳輸?shù)牟▌印＝?，納芯微推出了兩款全新的GaN相關產(chǎn)品，分別是GaN驅動NSD2621，一顆高壓半橋柵極驅動芯片，專門用于驅動E?mode（增強型）GaN 開關管；集成化的
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          • 關鍵字：
                        GaN  納芯微  半橋驅動芯片                          
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          rf gan介紹
          
      			
          
		      	
          
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