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EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的氮化鎵（GaN）功率晶體管及集成電路的播客系列
- 日前，宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）依據(jù)《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》第三版教科書的增訂內(nèi)容，更新了首7個、合共14個教程的視頻播客，與工程師分享采用氮化鎵場效應(yīng)晶體管及集成電路的理論、設(shè)計基礎(chǔ)及應(yīng)用，例如激光雷達、DC/DC轉(zhuǎn)換及無線電源等應(yīng)用。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。該視頻系列的內(nèi)容是依據(jù)最新出版的?《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》?第三版教科書的內(nèi)容制作。合共14個教程的視頻播客系列旨在為功率
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TI LMG341xR050 GaN功率級在貿(mào)澤開售，支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動器和強大的保護功能，可讓設(shè)計人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
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Qorvo憑借RF FUSION? 5G芯片組解決方案贏得久負盛名的GTI大獎
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布Qorvo RF Fusion? 5G芯片組贏得2020年GTI移動技術(shù)創(chuàng)新突破大獎。此獎項是對Qorvo在5G芯片組領(lǐng)域突破性創(chuàng)新的認可；其開創(chuàng)性地兼顧了緊湊、高性能的5G功能與領(lǐng)先智能手機制造商對快速上市時間的要求。這已是Qorvo的5G產(chǎn)品第二次獲得GTI大獎。TD-LTE全球發(fā)展倡議（GTI）是由運營商和供應(yīng)商組建的開放性全球協(xié)會，致力于推進TD-LTE和5G的發(fā)展。GTI獎勵
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氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計
- 在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導(dǎo)效率的潛力。值得注
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馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者TRANSPHORM Inc.
- 領(lǐng)先的汽車供應(yīng)商MARELLI近日宣布與美國一家專注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體公司Transphorm達成戰(zhàn)略合作。通過此協(xié)議，MARELLI將獲得電動和混合動力車輛領(lǐng)域OBC車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和動力總成逆變器開發(fā)的尖端技術(shù)，進一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術(shù)領(lǐng)域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，提供高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體，并擁有和汽車行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗。獲得這一技術(shù)對正在探索電力傳動系統(tǒng)業(yè)務(wù)
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Qorvo推出業(yè)內(nèi)最高性能的寬帶 GaN 功率放大器
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應(yīng)用和測試儀表應(yīng)用而設(shè)計，擁有多項性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領(lǐng)先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統(tǒng)設(shè)計人員帶來提高系統(tǒng)性能和可靠性所需的靈活性，同時減少了元件數(shù)量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業(yè)務(wù)
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Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計
- 奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應(yīng)用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關(guān)拓撲。在汽車領(lǐng)域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關(guān)心的問題?，F(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
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羅德與施瓦茨和泰雷茲進一步合作，最大限度減少IoT模塊的現(xiàn)場測試
- 隸屬于泰雷茲（Thales）公司的金雅拓（Gemalto），正在使用測試與測量領(lǐng)域?qū)＜伊_德與施瓦茨公司（Rohde & Schwarz）的測試設(shè)備進行測試，以確保該公司的Cinterion? IoT模組可以在所有網(wǎng)絡(luò)和條件下同步運行。 這將大大減少IoT（Cat-M和NB-IoT）方案在不同國家的實際網(wǎng)絡(luò)環(huán)境測試，從而加快IoT方案的上市。羅德與施瓦茨公司和隸屬于泰雷茲的金雅拓在開展合作，以大大減少昂貴且耗時的現(xiàn)場測試。3GPP定義了IoT的協(xié)議棧功能，但是 IoT終端需要適配
- 關(guān)鍵字： RF IoT
納微半導(dǎo)體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用
- 小米集團和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術(shù)已被小米采用，用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機。 小米董事長兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導(dǎo)體材料，其運行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進行0至100％的充電。
- 關(guān)鍵字： 小米 GaN 納微半導(dǎo)體
Qorvo推出完整的V2X前端解決方案
- 近日，移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?, Inc.今日推出首個 47 頻段/Wi-Fi 體聲波 (BAW) 共存濾波器和基于此的V2X前端產(chǎn)品套件，可在確?？煽啃缘那疤嵯聦崿F(xiàn)在遠程通信單元 (TCU) 和天線中啟用車對萬物 (V2X) 鏈路。由于從 2019 年到 2025 年，全球預(yù)計將增加 2.86 億輛聯(lián)網(wǎng)乘用車，該產(chǎn)品組合可為 V2X 通信提供了一個現(xiàn)成的解決方案。圖一注釋：Qorvo 車聯(lián)網(wǎng) - V2X、V2V、V2I、V2P 和 V2NV2X 是
- 關(guān)鍵字： RF V2X
Qorvo收發(fā)器芯片簡化物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計——率先支持所有開源智能家居協(xié)議同時運行
- ?, Inc.近日推出突破性的物聯(lián)網(wǎng)收發(fā)器 Qorvo QPG7015M，這款收發(fā)器支持所有低功率開源標準智能家居技術(shù)同時運行。這款收發(fā)器結(jié)合 Qorvo 獲得專利的天線分集和獨有的接收器設(shè)計，在覆蓋范圍、干擾穩(wěn)定性和能耗方面性能出色，有助于大幅簡化物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計。在利用片上系統(tǒng) (SoC) 控制器產(chǎn)品提供多協(xié)議功能方面，Qorvo 已經(jīng)是成熟的領(lǐng)導(dǎo)者。QPG7015M 收發(fā)器主要面向網(wǎng)關(guān)物聯(lián)網(wǎng)解決方案，后者需要全面采用 Blue
- 關(guān)鍵字： RF SoC
5G、測試測量、消費電子、工業(yè)等熱點為RF和模擬帶來巨大機會
- 趙軼苗?（ADI公司?系統(tǒng)解決方案事業(yè)部?總經(jīng)理） 1 5G驅(qū)動RF等新一代芯片問世 5G將在未來在更多的國家和地區(qū)部署，將帶來無線電應(yīng)用的一波機會和挑戰(zhàn)。ADI作為最早把軟件無線電的概念真正落地的公司，非常關(guān)注軟件無線電在未來的應(yīng)用。ADI在2013年在一個單芯片里把所有模擬的放大器、濾波器、ADC、DAC、PL集成在一個芯片里，推出了向3G和4G基站應(yīng)用的高性能、高集成度的射頻捷變收發(fā)器AD9361，2018年推出了寬帶寬、高性能RF（射頻）集成收發(fā)器ADRV9009，在2020年ADI將會推
- 關(guān)鍵字： 202001 5G ADI RF
采用LFCSP和法蘭封裝的RF放大器的熱管理計算
- 簡介射頻(RF)放大器可采用引腳架構(gòu)芯片級封裝(LFCSP)和法蘭封裝，通過成熟的回流焊工藝安裝在印刷電路板(PCB)上。PCB不僅充當器件之間的電氣互聯(lián)連接，還是放大器排熱的主要途徑（利用封裝底部的金屬塊）。本應(yīng)用筆記介紹熱阻概念，并且提供一種技術(shù)，用于從裸片到采用LFCSP或法蘭封裝的典型RF放大器的散熱器的熱流動建模。熱概念回顧熱流材料不同區(qū)域之間存在溫度差時，熱量從高溫區(qū)流向低溫區(qū)。這一過程與電流類似，電流經(jīng)由電路，從高電勢區(qū)域流向低電勢區(qū)域。熱阻所有材料都具有一定的導(dǎo)熱性。熱導(dǎo)率是衡量材料導(dǎo)熱能
- 關(guān)鍵字： RF PCB
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