rf gan 文章進(jìn)入rf gan技術(shù)社區(qū)

一塊PCB板上如何安置RF電路和數(shù)字電路這兩尊大神？

　　單片射頻器件大大方便了一定范圍內(nèi)無(wú)線通信領(lǐng)域的應(yīng)用，采用合適的微控制器和天線并結(jié)合此收發(fā)器件即可構(gòu)成完整的無(wú)線通信鏈路。它們可以集成在一塊很小的電路板上，應(yīng)用于無(wú)線數(shù)字音頻、數(shù)字視頻數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)，無(wú)線遙控和遙測(cè)系統(tǒng)，無(wú)線數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，無(wú)線網(wǎng)絡(luò)以及無(wú)線安全防范系統(tǒng)等眾多領(lǐng)域?！　? 數(shù)字電路與模擬電路的潛在矛盾　　如果模擬電路(射頻) 和數(shù)字電路(微控制器) 單獨(dú)工作可能各自工作良好，但是一旦將兩者放在同一塊電路板上，使用同一個(gè)電源供電一起工作，整個(gè)系統(tǒng)很可能就會(huì)不穩(wěn)定。這
關(guān)鍵字： PCB RF

制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開(kāi)始

　　接近62%的能源被白白浪費(fèi) 　　美國(guó)制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱(chēng)為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國(guó)制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說(shuō)，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車(chē)減重設(shè)計(jì)，本身也是為了降低能源消耗的問(wèn)題。在美國(guó)第二個(gè)創(chuàng)新研究院“美國(guó)電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問(wèn)題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng)新中心。　　　　圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
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GaN器件開(kāi)路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

　　未來(lái)五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng)，還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，并且，5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來(lái)重大市場(chǎng)機(jī)遇。　　未來(lái)幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì)，隨著電信基站升級(jí)和小型基站部署的需求增長(zhǎng)，RF功率市場(chǎng)將獲得強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2016~2022年期間，整體RF功率市場(chǎng)營(yíng)收或?qū)⒃鲩L(zhǎng)75%，帶來(lái)9.8%的復(fù)合年增長(zhǎng)率。這意味著市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模將從2016年的15億美元增長(zhǎng)至202
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5G推動(dòng)RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

展望未來(lái)，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù)，LDMOS制程的市場(chǎng)份額則會(huì)明顯萎縮。
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Yole:RF功率組件未來(lái)五年復(fù)合增長(zhǎng)率9.8%

　　射頻功率組件市場(chǎng)將迎來(lái)一新波成長(zhǎng)潮。 Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì)，未來(lái)5年5G通訊基礎(chǔ)建設(shè)對(duì)基站需求的增長(zhǎng)，將為RF功率組件市場(chǎng)注入新的成長(zhǎng)動(dòng)能;預(yù)估2016~2022年全球RF功率組件市場(chǎng)產(chǎn)值，將由15億美元攀升至25億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率可達(dá)9.8%。　　新的無(wú)線電網(wǎng)絡(luò)將需要更多的器件和更高的頻率。因此將會(huì)為芯片供應(yīng)商帶來(lái)巨大的商機(jī)，尤其是RF功率半導(dǎo)體銷(xiāo)售商。預(yù)計(jì)包括基站和無(wú)線回程在內(nèi)的電信基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)，將占據(jù)整體市場(chǎng)的半壁江山。2016~2022年期間，
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2021年全球MOCVD市場(chǎng)將突破11億美元

　　什么是MOCVD? 　　MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。　　MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長(zhǎng)，是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。　　根據(jù)Technavio統(tǒng)計(jì)，全球MOCVD市場(chǎng)的復(fù)合年平均增長(zhǎng)率將在2021年之前增長(zhǎng)到14%，市場(chǎng)規(guī)模將從201
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ZigBee技術(shù)定位解決方案

定位引擎實(shí)現(xiàn)了 ZigBee 網(wǎng)絡(luò)射頻的“房間式”精確性，而且功耗低，通信開(kāi)銷(xiāo)也實(shí)現(xiàn)了最小化。另外，定位引擎技術(shù)還能運(yùn)用現(xiàn)有的 ZigBee 基礎(chǔ)設(shè)施來(lái)確定網(wǎng)絡(luò)中的位置。
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Wi-Fi收發(fā)器的電源和接地設(shè)計(jì)

射頻(RF)電路的電路板布局應(yīng)在理解電路板結(jié)構(gòu)、電源布線和接地基本原則的基礎(chǔ)上進(jìn)行。本文探討了相關(guān)的基本原則，并提供了一些實(shí)用的、經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的電源布線、電源旁路和接地技術(shù)，可有效提高RF設(shè)計(jì)的性能指標(biāo)。
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RF天線開(kāi)關(guān)簡(jiǎn)化遠(yuǎn)程信息處理中的無(wú)線電

隨著汽車(chē)遠(yuǎn)程信息處理設(shè)備變得更為普遍，設(shè)計(jì)人員面臨著與任何通信發(fā)展演進(jìn)過(guò)程中相同的問(wèn)題：要在增加功能的同時(shí)降低成本。
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無(wú)線通信系統(tǒng)和手機(jī)的射頻集成策略

為減小系統(tǒng)尺寸并降低成本，人們不斷探索將RF與系統(tǒng)其它功能集成的方法，其中特別是DSP技術(shù)的發(fā)展產(chǎn)生了十分重要的影響。除了這種RF與非RF集成的發(fā)展趨勢(shì)外，RF器件本身還有其它集成發(fā)展趨勢(shì)。這些不同的發(fā)展趨勢(shì)是因?yàn)椴煌到y(tǒng)需要不同的技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)所需要的RF功能。
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錄像機(jī)射頻功率放大器工作原理

本RF功率放大器能輸出2—3頻道信號(hào)，覆蓋面積約為一平方公里，是開(kāi)辦小型電視發(fā)射臺(tái)的理想裝置，適于電化教育。但使用時(shí)應(yīng)上報(bào)當(dāng)?shù)責(zé)o線電管理委員會(huì)，只有經(jīng)批準(zhǔn)后才能實(shí)施。
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心電數(shù)字無(wú)線遙測(cè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

無(wú)線遙測(cè)產(chǎn)品的市場(chǎng)發(fā)展迅速，最近業(yè)界也掀起了一場(chǎng)無(wú)線應(yīng)用的革命，無(wú)線遙測(cè)技術(shù)已經(jīng)成為產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的一個(gè)重要因素。從發(fā)展的角度來(lái)看，醫(yī)療監(jiān)護(hù)產(chǎn)品的無(wú)線化、網(wǎng)絡(luò)化是發(fā)展趨勢(shì)，移動(dòng)型、具備無(wú)線。
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第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
關(guān)鍵字： GaN SiC 第三代半導(dǎo)體材料

趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng)，紫外LED要做弄潮兒

本文主要介紹了第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會(huì)影響力。
關(guān)鍵字：照明紫外LED GaN 第三代半導(dǎo)體

DC/DC轉(zhuǎn)換器提高RF PA系統(tǒng)效率

從功率預(yù)算的角度而言，直接由電池供電的射頻功率放大器(RF PA)是需要重點(diǎn)考慮的元件。傳統(tǒng)上，CDMA/WCDMA蜂窩標(biāo)準(zhǔn)中使用的射頻功率放大器都直接由電池供電，這種供電方式使系統(tǒng)很容易設(shè)計(jì)，但是，這種標(biāo)準(zhǔn)中使用的線性功率放大器在整個(gè)發(fā)射功率范圍內(nèi)的實(shí)際效率很低。本文講述一種通過(guò)DC/DC轉(zhuǎn)換器提供高效RF PA系統(tǒng)電源管理的方案。
關(guān)鍵字：轉(zhuǎn)換器 RF DC/DC