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rf gan 文章 進(jìn)入rf gan技術(shù)社區(qū)
受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場(chǎng)前景向好
- 相較目前主流的硅晶圓(Si),第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外,也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢(shì),不僅可使芯片面積可大幅減少,并能簡(jiǎn)化周邊電路的設(shè)計(jì),達(dá)到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。 此外,除了輕化車輛設(shè)計(jì)之外,因第三代半導(dǎo)體的低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性,也能大幅降低車輛運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的能源轉(zhuǎn)換損失,兩者對(duì)于電動(dòng)車?yán)m(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭?。因此?/li>
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
對(duì)抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)憑啥入選MIT2018十大突破性技術(shù)
- 日前,《麻省理工科技評(píng)論》刊文評(píng)出了2018年十大突破性技術(shù),“對(duì)抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”(GAN)赫然在列。 什么是對(duì)抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)?為什么它能入選MIT十大突破性技術(shù)?它的發(fā)展脈絡(luò)如何?與我們此前耳熟能詳?shù)纳窠?jīng)網(wǎng)絡(luò)有什么區(qū)別?能夠應(yīng)用在人工智能的哪些場(chǎng)景?還有哪些關(guān)鍵問(wèn)題有待攻克? 中國(guó)自動(dòng)化學(xué)會(huì)混合智能專委會(huì)副主任、中國(guó)人工智能學(xué)會(huì)機(jī)器學(xué)習(xí)專委會(huì)常委、復(fù)旦大學(xué)博士生導(dǎo)師張軍平教授在接受科技日?qǐng)?bào)記者采訪時(shí)做了深入淺出的解釋。 故事中的GAN
- 關(guān)鍵字: 對(duì)抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) GAN
GaN是5G最好選擇 手機(jī)端應(yīng)用現(xiàn)實(shí)嗎?
- 超密集組網(wǎng)通過(guò)增加基站部署密度,可實(shí)現(xiàn)頻率復(fù)用效率的巨大提升,并且?guī)?lái)可觀的容量增長(zhǎng),未來(lái)隨著基站數(shù)量的增加,基站內(nèi)射頻器件的需求也將隨之大幅提升。高通預(yù)測(cè),射頻前端的市場(chǎng)規(guī)模預(yù)估到2020年將達(dá)到180億美元。Small Cell Forum預(yù)測(cè),全球小基站市場(chǎng)空間有望在2020年超過(guò)60億美元。 Qorvo亞太區(qū)FAE高級(jí)經(jīng)理?xiàng)罴? 有業(yè)內(nèi)分析師就表示,3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS,同時(shí),GaAs也將從小型基站網(wǎng)絡(luò)的需求增長(zhǎng)中受益。Qorvo亞太區(qū)FA
- 關(guān)鍵字: GaN 5G
慕展:功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品 都在世強(qiáng)
- 慕尼黑上海電子展舉辦,作為亞洲第一電子大展,展會(huì)吸引了數(shù)萬(wàn)名電子行業(yè)的觀眾到場(chǎng)參觀學(xué)習(xí)。而全球先進(jìn)的元件分銷商——世強(qiáng)元件電商,則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動(dòng)化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測(cè)試測(cè)量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?! {借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示,以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍(lán)牙Mesh等眾多熱門(mén)市場(chǎng)的最新產(chǎn)品的展示,世強(qiáng)元件電商吸引了大批工程師
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新工廠,新起點(diǎn):安世半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃?/a>
- 2018年3月6日,Nexperia(安世半導(dǎo)體)公司廣東分立器件封裝和測(cè)試新工廠正式投產(chǎn),該工廠將重點(diǎn)解決產(chǎn)能問(wèn)題,用于支持Nexperia后續(xù)業(yè)務(wù)發(fā)展規(guī)劃。 【安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司廣東后道工廠】 據(jù)Nexperia首席運(yùn)營(yíng)官Sean Hunkler介紹,新工廠投產(chǎn)之后,Nexperia全年總產(chǎn)量將超過(guò)1千億件。除了提供SOT23、SOD323和523、SOT223、SOT143、MCD、Ucsp、Flip Chip等封裝外,還提供安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司開(kāi)發(fā)的最新封裝,包括
- 關(guān)鍵字: 安世 GaN
淺談:RF電路設(shè)計(jì)
- 做了多年的RF研發(fā)工作,在潤(rùn)欣科技從事RF芯片的支持工作也有7年之久,對(duì)于RF電路的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),在這里和大家一起分享一下,希望以下淺談的內(nèi)容對(duì)做RF設(shè)計(jì)工作的工程師會(huì)有一點(diǎn)幫助,我們閑話少說(shuō),直接進(jìn)入正題。 EVB板的參考設(shè)計(jì)讓我們事半功倍 當(dāng)我們?cè)O(shè)計(jì)上接觸一個(gè)全新的RF芯片,要求我們能夠快速的了解這顆芯片RF部分電路的性能指標(biāo)及對(duì)外圍器件的要求,還要快速的做好這部分的設(shè)計(jì)工作時(shí),我們最首要需做的就是仔細(xì)閱讀并理解芯片規(guī)格書(shū)和參考板的設(shè)計(jì)及注意事項(xiàng),這對(duì)于我們第一版設(shè)計(jì)的成敗起到很關(guān)鍵的作用
- 關(guān)鍵字: RF EVB
TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動(dòng)器,擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合
- 德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動(dòng)器,進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合,可在激光雷達(dá)(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計(jì)。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)提高效率,并可實(shí)現(xiàn)以往硅MOSFET無(wú)法實(shí)現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
- 關(guān)鍵字: TI GaN
高功率RF元件成路由器趨勢(shì) 立積出貨量倍數(shù)成長(zhǎng)
- 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,應(yīng)WiFi信號(hào)穿墻能力,全球路由器大廠紛紛搶攻高功率雙頻802.11ac wave2.0領(lǐng)域,路由器搭載天線數(shù)量增加,帶動(dòng)射頻元件立積(4968)WiFi FEM使用量大增,法人預(yù)期第2季隨著國(guó)際大廠路由器推出,出貨量將倍數(shù)成長(zhǎng)。 法人指出,高功率的RF元件成為未來(lái)路由器趨勢(shì),20dBm、22.5dBm 的產(chǎn)品需求將會(huì)成長(zhǎng),帶動(dòng)立積產(chǎn)品出貨單價(jià)提升,隨著2018年WiFi將導(dǎo)入802.11ax,MU-MIMO與高頻無(wú)線電波傳輸趨勢(shì)未變,路由器使用的FEM將出現(xiàn)價(jià)、量均增的情況,成為立
- 關(guān)鍵字: RF 路由器
2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的?
- 《麻省理工科技評(píng)論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”,這份全球新興科技領(lǐng)域的權(quán)威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。 1、給所有人的人工智能 AI for everyone 入選理由:將機(jī)器學(xué)習(xí)工具搬上云端,將有助于人工智能更廣泛的傳播 重大意義:目前,人工智能的應(yīng)用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術(shù)相結(jié)合,那它將可以對(duì)許多人變得觸手可及,從而實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)的爆發(fā)式增長(zhǎng)。 主要研究者:Google,亞馬遜,阿里云,騰訊云,百度云,金山云,京東云
- 關(guān)鍵字: 機(jī)器學(xué)習(xí) GAN
氮化鎵襯底晶片實(shí)現(xiàn)“中國(guó)造”
- 一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片,卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長(zhǎng)壽命的器件,是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個(gè)“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片,是蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。 “不會(huì)游泳的時(shí)候就跳下了水” 蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國(guó)首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商, 團(tuán)隊(duì)從氮化鎵單晶材料氣相生長(zhǎng)的設(shè)備開(kāi)始研發(fā),逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
- 關(guān)鍵字: GaN 氮化鎵
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無(wú)線電源及高分辨率激光雷達(dá)應(yīng)用
- EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國(guó)拉斯維加斯舉行的國(guó)際消費(fèi)電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費(fèi)電子應(yīng)用 -- 分別是無(wú)線充電及自動(dòng)駕駛汽車的激光雷達(dá)應(yīng)用?! PC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無(wú)線充電系統(tǒng),可以在桌面上任何位置對(duì)多種設(shè)備同時(shí)充電,可傳送高達(dá)300 W功率??蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時(shí)對(duì)電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
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RF天線,這些是你該知道的
- 最近,常有朋友詢問(wèn)天線制作中有關(guān)電纜連接方面的一些問(wèn)題,我想在這里談一些個(gè)人的體會(huì)。其實(shí),本人覺(jué)得這些問(wèn)題的提出,主要是缺乏長(zhǎng)線、短線的概念造成的?! ∈紫冉榻B兩個(gè)特殊的傳輸線段:1/4波長(zhǎng)傳輸線和1/2波長(zhǎng)傳輸線,見(jiàn)下圖?! ?nbsp; 圖中是一段1/4波長(zhǎng)傳輸線,例如我們常用的75Ω和50Ω射頻同軸電纜,選取一定的長(zhǎng)度,便可成為某一頻點(diǎn)的1/4波長(zhǎng)傳輸線。這一段傳輸線在對(duì)應(yīng)的頻點(diǎn) 上有一非常重要的特性:A端短路時(shí),B端阻抗呈無(wú)限大;B端短路時(shí),A端阻抗呈無(wú)
- 關(guān)鍵字: RF 天線
射頻集成電路設(shè)計(jì)中的常見(jiàn)問(wèn)題及方案解析
- 射頻(RF)PCB設(shè)計(jì),在目前公開(kāi)出版的理論上具有很多不確定性,常被形容為一種“黑色藝術(shù)”。通常情況下,對(duì)于微波以下頻段的電路(包括低頻和低頻數(shù)字電路),在全面掌握各類設(shè)計(jì)原則前提下的仔細(xì)規(guī)劃是一次性成功設(shè)計(jì)的保證。對(duì)于微波以上頻段和高頻的PC類數(shù)字電路,則需要2~3個(gè)版本的PCB方能保證電路品質(zhì)。而對(duì)于微波以上頻段的RF電路,則往往需要更多版本的PCB設(shè)計(jì)并不斷完善,而且是在具備相當(dāng)經(jīng)驗(yàn)的前提下。由此可知RF電設(shè)計(jì)上的困難。 數(shù)字電路模塊和模擬電路模塊之間的干擾
- 關(guān)鍵字: RF PCB
rf gan介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條rf gan!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)rf gan的理解,并與今后在此搜索rf gan的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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