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降低RF電路寄生信號(hào)的八個(gè)設(shè)計(jì)規(guī)則

　　RF電路布局要想降低寄生信號(hào)，需要RF工程師發(fā)揮創(chuàng)造性。記住以下這八條規(guī)則，不但有助于加速產(chǎn)品上市進(jìn)程，而且還可提高工作日程的可預(yù)見(jiàn)性。　　規(guī)則1：接地通孔應(yīng)位于接地參考層開(kāi)關(guān)處　　流經(jīng)所布線路的所有電流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不過(guò)回流通常流經(jīng)相鄰的接地層或與信號(hào)線路并行布置的接地。在參考層繼續(xù)時(shí)，所有耦合都僅限于傳輸線路，一切都非常正常。不過(guò)，如果信號(hào)線路從頂層切換至內(nèi)部或底層時(shí)，回流也必須獲得路徑。　　圖1就是一個(gè)實(shí)例。頂層信號(hào)線路電流下面緊挨著就是回流。當(dāng)它轉(zhuǎn)移到底層時(shí)，回
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英國(guó)專(zhuān)家用半極性GaN生長(zhǎng)高效益LED

　　英國(guó)雪菲爾大學(xué)(SheffieldUniversity)的一支研究團(tuán)隊(duì)最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長(zhǎng)LED的最新成果。　　利用在M-Plane藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過(guò)度生長(zhǎng)的半極性GaN(11-22)上生長(zhǎng)出具有更高量子效益的LED。　　相較于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)的商用LED，該研究團(tuán)隊(duì)在半極性材料上所生長(zhǎng)的綠光LED顯示發(fā)光波長(zhǎng)的藍(lán)位移隨著驅(qū)動(dòng)電流增加而
關(guān)鍵字： GaN LED

英國(guó)專(zhuān)家用半極性GaN生長(zhǎng)高效益LED

　　英國(guó)雪菲爾大學(xué)(Sheffield University)的一支研究團(tuán)隊(duì)最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長(zhǎng)LED的最新成果?！　±迷贛-Plane藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過(guò)度生長(zhǎng)的半極性GaN(11-22)上生長(zhǎng)出具有更高量子效益的LED?！　∠噍^于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)的商用LED，該研究團(tuán)隊(duì)在半極性材料上所生長(zhǎng)的綠光LED顯示發(fā)光波
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波音和通用實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出GaN CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

　　由美國(guó)波音公司和通用汽車(chē)公司擁有的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室-HRL實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)宣布其實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)FET技術(shù)的首次展示。該研究結(jié)果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報(bào)上。　　在此過(guò)程中，該實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)確定半導(dǎo)體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉(zhuǎn)換電路的備選技術(shù)鋪平了道路。　　氮化鎵晶體管在電源開(kāi)關(guān)和微波/毫米波應(yīng)用中有出色的表現(xiàn)，但該潛力還未用于集成功率轉(zhuǎn)換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
關(guān)鍵字： GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管

改善RF信號(hào)質(zhì)量的電源線噪聲對(duì)策

　　本文以改善RF的信號(hào)質(zhì)量(頻帶外的不必要輻射)為目的，介紹使用了片狀鐵氧體磁珠和片狀電感器的移動(dòng)終端的PA電源線的噪聲對(duì)策方法?！　∫灾悄苁謾C(jī)為首的移動(dòng)無(wú)線終端的Power Amplifier (PA)中，為了抑制不必要的輻射(頻帶外的&雜散發(fā)射)，尋求改善PA的電源質(zhì)量(PI: 電源完整性)的例子很多。在無(wú)線通信中，以國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)(ITU)為首，3GPP(無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu))，以及各運(yùn)營(yíng)商都對(duì)不必要的輻射的范圍值設(shè)定了嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。因此，我們有必要通過(guò)PA的電源線的噪聲
關(guān)鍵字： RF 噪聲

新型GaN功率器件的市場(chǎng)應(yīng)用趨勢(shì)

　　第五屆EEVIA年度中國(guó)ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)　　時(shí)間：2016.01.14 下午　　地點(diǎn)：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地 IC咖啡　　演講主題: 新型GaN功率器件的市場(chǎng)應(yīng)用趨勢(shì)　　演講嘉賓: 蔡振宇富士通電子元器件市場(chǎng)部高級(jí)經(jīng)理　　主持人：接下來(lái)開(kāi)始第三場(chǎng)演講。大家知道無(wú)論消費(fèi)電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動(dòng)車(chē)以及家用電器，提升電源的轉(zhuǎn)換能效、功率密度、延長(zhǎng)電池使用的時(shí)間，這已經(jīng)是比較大的挑戰(zhàn)了。所有這一切都意味著電子產(chǎn)業(yè)會(huì)越來(lái)越依賴(lài)新型功
關(guān)鍵字： GaN 功率器件

RF integrated module to support CA and global phone

　　第五屆EEVIA年度中國(guó)ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)展望研討會(huì)　　時(shí)間：2016.01.14?下午　　地點(diǎn)：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地?IC咖啡　　演講主題：RF?integrated?module?to?support?CA?and?global?phone　　演講人：陶鎮(zhèn)?-?Qorvo移動(dòng)產(chǎn)品市場(chǎng)戰(zhàn)略部亞太區(qū)經(jīng)理　　陶鎮(zhèn)：大家早上好!我是陶鎮(zhèn)，來(lái)自Qorvo公司。剛才主持人介紹
關(guān)鍵字： Qorvo RF

物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導(dǎo)體芯片廠商？

未來(lái)虛擬現(xiàn)實(shí)和智能汽車(chē)成為焦點(diǎn)，VR將會(huì)引發(fā)的變革成了全產(chǎn)業(yè)鏈熱議的話題，VR也必會(huì)給物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)變革，而對(duì)于IoT可能帶來(lái)的更多變化，半導(dǎo)體廠商該如何應(yīng)對(duì)?
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) GaN

第三代半導(dǎo)體崛起中國(guó)照明能否彎道超車(chē)？

　　近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料在引發(fā)全球矚目，成為全球半導(dǎo)體研究前沿和熱點(diǎn)，中國(guó)也不例外地快馬加鞭進(jìn)行部署。有專(zhuān)家指出，第三代半導(dǎo)體材料是以低碳和智能為特征的現(xiàn)代人類(lèi)信息化社會(huì)發(fā)展的基石，是推動(dòng)節(jié)能減排、轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式，提升新一代信息技術(shù)核心競(jìng)爭(zhēng)力的決定性因素之一，有著不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導(dǎo)體材料，能否讓中國(guó)掌控新一輪半導(dǎo)體照明發(fā)展的話語(yǔ)權(quán)? 　　　　第三代半導(dǎo)體材料雙雄：SiC和GaN 　　半
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RF研發(fā)商ParkerVision訴蘋(píng)果高通等4家公司專(zhuān)利侵權(quán)

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，佛羅里達(dá)州的RF(射頻)技術(shù)研發(fā)商ParkerVision本周向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)和佛羅里達(dá)州地區(qū)法院提出起訴，指控蘋(píng)果、三星、LG和高通等4家公司侵犯了它的某些無(wú)線連網(wǎng)專(zhuān)利。　　ParkerVision表示，高通和三星制造的無(wú)線接收器侵犯它的4項(xiàng)無(wú)線連網(wǎng)專(zhuān)利。蘋(píng)果、三星和LG都在各自的移動(dòng)產(chǎn)品中使用了侵權(quán)的高通芯片，三星自主研發(fā)的Shannon 928 RF收發(fā)器也面臨著進(jìn)一步的審查?！　”景干婕暗膶?zhuān)利包括第6879817號(hào)、第7929638號(hào)、第8571135號(hào)和第911
關(guān)鍵字： RF 蘋(píng)果

“芯”技術(shù)，“芯”夢(mèng)想

　　2015年11月27日，全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導(dǎo)體有限公司之全資子公司上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)2015年度技術(shù)論壇，繼9月23日首場(chǎng)在深圳獲得熱烈反響后，于今日在北京麗亭華苑酒店再度拉開(kāi)帷幕。來(lái)自北京、長(zhǎng)三角、西部地區(qū)的150多位IC設(shè)計(jì)精英、知名合作伙伴、行業(yè)分析師和媒體朋友齊聚一堂，就產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)和市場(chǎng)熱點(diǎn)進(jìn)行了深入交流，并分享了華虹宏力新的技術(shù)成果?！　」緢?zhí)行副總裁范恒先生和執(zhí)行副總裁孔蔚然博士等公司高層親臨論壇現(xiàn)場(chǎng)，與參會(huì)嘉賓互動(dòng)交流。同時(shí)公司派出了陣容
關(guān)鍵字：華虹 RF-CMOS

選擇RF和微波濾波器的八大竅門(mén)

　　在不了解會(huì)受到何種損害的情況下，具備高深的數(shù)字電子知識(shí)的設(shè)計(jì)師發(fā)現(xiàn)，當(dāng)需要給無(wú)線器件確定濾波器參數(shù)時(shí)，急需復(fù)習(xí)射頻基礎(chǔ)知識(shí)。如果沒(méi)有考慮濾波器類(lèi)型和最低技術(shù)規(guī)格要求方面的基本要素，可能導(dǎo)致產(chǎn)品不能通過(guò)“測(cè)試”，結(jié)果產(chǎn)品又得重新開(kāi)始設(shè)計(jì)，導(dǎo)致代價(jià)昂貴的生產(chǎn)推遲。另一方面，懂得如何準(zhǔn)確確定濾波器參數(shù)，將有助于使生產(chǎn)出的產(chǎn)品滿足客戶(hù)的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)和功能。事實(shí)上，這種知識(shí)有助于在提高產(chǎn)品在市場(chǎng)上的成功機(jī)會(huì)的同時(shí)，控制生產(chǎn)費(fèi)用?！　幕A(chǔ)開(kāi)始　　在當(dāng)今無(wú)線領(lǐng)域，激烈的擴(kuò)展帶寬的競(jìng)爭(zhēng)迫使人們要更加關(guān)注濾波器的性能。如
關(guān)鍵字： RF，微波濾波器

Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開(kāi)發(fā)

　　DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)未來(lái)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將三分天下。　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運(yùn)作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對(duì)于電動(dòng)車(chē)、油電混合車(chē)、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對(duì)于新一代的行動(dòng)通訊基地臺(tái)，或資料中心機(jī)房設(shè)備而言
關(guān)鍵字： GaN SiC

硅基GaN射頻功放：正走向大規(guī)模商用

　　硅基GaN潛力大　　近日，MACOM在京召開(kāi)新聞發(fā)布會(huì)，MACOM全球銷(xiāo)售高級(jí)副總裁黃東鉉語(yǔ)出驚人，“由MACOM發(fā)明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場(chǎng)。” 　　圖1 GaN的巨大潛力　　如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場(chǎng)份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場(chǎng)，而未來(lái)潛在GaN射頻是占絕大部分的藍(lán)海。
關(guān)鍵字： GaAs GaN

實(shí)時(shí)功率GaN波形監(jiān)視的設(shè)計(jì)方案

　　簡(jiǎn)介　　功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設(shè)計(jì)人員工具箱內(nèi)令人激動(dòng)的新成員。特別是對(duì)于那些想要深入研究GaN的較高開(kāi)關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開(kāi)發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項(xiàng)已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)證技術(shù)，由于其相對(duì)于硅材料所具有的優(yōu)勢(shì)，這項(xiàng)技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機(jī)制，并討論波形監(jiān)視的必要性。　　使用壽命預(yù)測(cè)指標(biāo) 　　功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使
關(guān)鍵字： GaN