rf gan 文章 進(jìn)入rf gan技術(shù)社區(qū)
氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇
- 當(dāng)人們思考電力電子應(yīng)用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料時(shí)，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因?yàn)榈壔蛱蓟枋请娏﹄娮討?yīng)用中最先進(jìn)的寬禁帶技術(shù)。市場研究公司Yole Développement在其報(bào)告中指出，電力電子應(yīng)用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個(gè)更大的帶隙，可以進(jìn)一步提高功率器件性能。 n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元 由碳化硅電力設(shè)備市場驅(qū)動，n型碳化硅基
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
氮化鎵元件將擴(kuò)展功率應(yīng)用市場
- 根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導(dǎo)體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。 Yole估計(jì)，2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復(fù)合成長率(CAGR)成長，預(yù)計(jì)在2020年時(shí)可望達(dá)到3千萬美元的產(chǎn)值。 目前銷售Ga
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 GaN
量化射頻（RF）干擾對線性電路的影響
- 典型的精密運(yùn)算放大(運(yùn)放)器可以有1MHz的增益帶寬積。從理論上講，用戶可能期望千兆赫水平的RF信號衰減到非常低的水平，因?yàn)樗鼈冞h(yuǎn)遠(yuǎn)超出了放大器的帶寬范圍。然而，實(shí)際情況并非如此。事實(shí)上，包含在放大器內(nèi)的靜電放電(ESD)二極管、輸入結(jié)構(gòu)和其它非線性元件會在放大器的輸入端對RF信號進(jìn)行“整流”。在實(shí)際意義上，RF信號被轉(zhuǎn)換成一種直流(DC)偏移電壓，這種DC偏移電壓添加了放大器輸入偏移電壓。 用戶也許會問：“對于由給定RF信號產(chǎn)生的DC偏移電壓，我如何確定其幅
- 關(guān)鍵字： 量化射頻 RF
EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道
- 根據(jù)Yole Development預(yù)測，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現(xiàn)更高功率。 在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報(bào)告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動Si
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
如何實(shí)現(xiàn)軟件定義無線電動態(tài)范圍的最大化
- 本文回顧了軟件定義無線電發(fā)展，介紹了擴(kuò)大軟件定義無線電的動態(tài)范圍的電路元件、計(jì)算和仿真工具，并重點(diǎn)關(guān)注ADC的性能和頻率規(guī)劃。
- 關(guān)鍵字： 軟件定義無線電(SDR) 動態(tài)范圍 信號 RF 201509
高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測量
- 目前，電動汽車和工業(yè)馬達(dá)的可變速馬達(dá)驅(qū)動系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進(jìn)化。因?yàn)槭褂昧艘缘碗娮?、高速開關(guān)為特點(diǎn)的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應(yīng)用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達(dá)等裝置的開發(fā)與測試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統(tǒng)。 各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時(shí)測量，利用它們的差和比
- 關(guān)鍵字： SiC GaN 電流傳感器
GaN技術(shù)和潛在的EMI影響
- 1月出席DesignCon 2015時(shí)，我有機(jī)會聽到一個(gè)由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進(jìn)行高功率開關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
- 關(guān)鍵字： GaN EMI
手機(jī)RF和混合信號集成設(shè)計(jì)
- 一直以來，蜂窩電話都使用超外差接收器和發(fā)射器。但是，隨著對包含多標(biāo)準(zhǔn)(GSM、cdma2000和W-CDMA)的多模終端的需求不斷增長，直接轉(zhuǎn)換接收器和發(fā)射器架構(gòu)變得日趨流行。在過去十年中，集成電路技術(shù)取得長足發(fā)展，使得在單一芯片上集成各種不同的RF、混合信號和基帶處理功能成為可能。 一個(gè)典型的蜂窩收發(fā)器(見圖)包括RF前端、混合信號部分和實(shí)際的基帶處理部分。就接收器而言，通常的架構(gòu)選擇包括直接轉(zhuǎn)換到直流、極低中頻(IF)和直接采樣。直接轉(zhuǎn)換到直流的方法會受直流偏移和低頻噪音干擾，而低IF可以減
- 關(guān)鍵字： RF 混合信號
RF和混合信號設(shè)計(jì)的藝術(shù)與科學(xué)
- 在過去的幾十年中，混合信號集成電路(IC)設(shè)計(jì)一直是半導(dǎo)體行業(yè)最令人興奮、且在技術(shù)上最具挑戰(zhàn)的設(shè)計(jì)之一。在這期間，盡管半導(dǎo)體行業(yè)取得了不少的進(jìn)步，但是一個(gè)永恒不變的需求是保證我們所處的模擬世界能夠與可運(yùn)算的數(shù)字世界實(shí)現(xiàn)無縫對接，當(dāng)前無處不在的移動環(huán)境和迅速崛起的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)“再創(chuàng)新”的要求尤為如此。 當(dāng)今全球半導(dǎo)體的市場份額約為3，200億美元，數(shù)字和存儲器IC約占這個(gè)市場的三分之二。摩爾定律(Moore‘s Law)和先進(jìn)的CMOS處理技術(shù)驅(qū)動著這些IC
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實(shí)現(xiàn)模擬/RF設(shè)計(jì)復(fù)用？ADI實(shí)驗(yàn)室電路開始大顯身手
- 在電子設(shè)計(jì)中，模擬/RF設(shè)計(jì)一直是最讓設(shè)計(jì)師頭疼的部分，傳統(tǒng)上，模擬射頻器件供應(yīng)商一般只提供器件的datasheet以及若干參考設(shè)計(jì)，但 是，要讓器件運(yùn)轉(zhuǎn)正常，設(shè)計(jì)師需要更多實(shí)際電路的評估和測試，這方面需要時(shí)間和經(jīng)驗(yàn)的積累，也是非常耗費(fèi)精力財(cái)力的，有沒有什么辦法讓設(shè)計(jì)師可以加快這方 面的設(shè)計(jì)呢?或者能實(shí)現(xiàn)模擬射頻電路的復(fù)用?ADI的實(shí)驗(yàn)室電路給出了一些探索。 “ADI的實(shí)驗(yàn)室電路不同于參考設(shè)計(jì)，是更接近實(shí)際應(yīng)用的 電路?！盇DI電路工程師胡生富在接受電子創(chuàng)新網(wǎng)采訪時(shí)表示，
- 關(guān)鍵字： ADI RF
RF電路與天線的EMC研究
- 當(dāng)射頻電路一切都按預(yù)先設(shè)定的方案設(shè)計(jì)完成之后，其性能不一定就會完全達(dá)標(biāo)，其中會導(dǎo)致射頻性能不達(dá)標(biāo)的一個(gè)重要因素有可能就是電磁干擾，而電磁干擾并不一定是因?yàn)樯漕l范疇內(nèi)電路布局、布線不合理造成，亦可能是因?yàn)槠渌椒矫婷娴脑颉４蠖鄶?shù)情況導(dǎo)致干擾出現(xiàn)都是當(dāng)和其它電路，如數(shù)字電路部分、電源電路部分等組合后才產(chǎn)生的。 處理干擾問題是做設(shè)計(jì)工作必須的、更是射頻設(shè)計(jì)、預(yù)研工作重點(diǎn)之一。在此簡單談?wù)勎覀儗ι漕l方面電磁干擾的理解與認(rèn)識。 電磁干擾(EMI)在電子系統(tǒng)與設(shè)備中無處不在，在射頻領(lǐng)域表現(xiàn)卻特別突出
- 關(guān)鍵字： RF EMC
千兆采樣ADC確保直接RF變頻
- 隨著模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的設(shè)計(jì)與架構(gòu)繼續(xù)采用尺寸更小的過程節(jié)點(diǎn)，一種新的千兆赫ADC產(chǎn)品應(yīng)運(yùn)而生。能以千兆赫速率或更高速率進(jìn)行直接RF采樣且不產(chǎn)生交織偽像的ADC為通信系統(tǒng)、儀器儀表和雷達(dá)應(yīng)用的直接RF數(shù)字化帶來了全新的系統(tǒng)解決方案。 最先進(jìn)的寬帶ADC技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)直接RF采樣。就在不久前，唯一可運(yùn)行在GSPS (Gsample/s)下的單芯片ADC架構(gòu)是分辨率為6位或8位的Flash轉(zhuǎn)換器。這些器件能耗極高，且通常無法提供超過7位的有效位數(shù)(ENOB)，這是由于Flash架構(gòu)的幾何尺寸與功耗限
- 關(guān)鍵字： ADC RF 轉(zhuǎn)換器 LVDS FPGA
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