- 在過去幾年，集成電路產能擴張和技術進步的主要動力是數字電路，從電子產品應用來看，數字化是發(fā)展的趨勢。不過，模擬電路市場不會因為數字電路的發(fā)展而萎縮，甚至還會獲得更多機會。跟數字電路相比，模擬電路有很鮮明的特點。從應用的角度來看，任何電子產品的最終使用者都是人，能作為人與設備的界面并讓人與設備實現互動的都是模擬電路，因此，數字電路的發(fā)展會帶動模擬電路市場的增長。
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數字電路 RF AD/DA
- 如何建立一個小型獨立報警電路的CMOS 說明 這是一種小型獨立報警電路的選擇。每個警報的主要特點是線路圖上描述自己。他們都具有非常低的待機電流。因此，他們非常適合電池供電。每個電路對將打印出一張A4紙。
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報警 電路 CMOS 獨立 小型 建立 一個 如何
- 如何建立一個CMOS 4060防盜報警器 說明 這是一個區(qū)域報警 - 自動出入和警笛截止定時器。這將容納所有的常閉輸入設備一般類型 - 例如磁簧觸點 - 鋁箔膠帶 - PIRs等，但它很容易添加一個常開觸發(fā)。示意圖 當
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防盜報警 CMOS 一個 建立 如何
- 如何建立一個更簡單的CMOS單防區(qū)報警器說明 這是一個簡單的單區(qū)防盜報警電路。它的功能包括自動出入境延誤和定時貝爾/警報器停產。它的設計是與常閉類型的輸入設備的正常使用，例如 - 磁簧聯系方式 - 微動開關
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防區(qū) 報警 CMOS 簡單 建立 一個 如何
- 如何構建基于一個CMOS單防區(qū)報警器 說明 該電路具有自動出入延誤 - 計時鐘切斷 - 和系統(tǒng)重置。它為常開和常閉開關提供 - 并將滿足通常的輸入設備(壓力墊，磁簧接觸，鋁箔膠帶，PIRs和慣性傳感器)?！ ∪绻G
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防區(qū) 報警器 CMOS 一個 構建 基于 如何
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出兩款突破性的 RF 至數字微型模塊 (uModule?) 接收器 LTM9004 和 LTM9005，這些器件集成了 3G 和 4G 基站接收器 (WCDMA、TD-SCDMA、LTE ... 等等) 以及智能天線 WiMAX 基站的關鍵組件。這些集成的微型模塊接收器極大地減少了所占用的電路板空間，在一個便于使用的小型封裝中集成了 RF 混頻器 / 解調器、放大器、無源濾波以及 14 位、125Msps ADC。
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Linear RF 接收器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出兩款突破性的 RF 至數字微型模塊 (uModule?) 接收器 LTM9004 和 LTM9005，這些器件集成了 3G 和 4G 基站接收器 (WCDMA、TD-SCDMA、LTE ... 等等) 以及智能天線 WiMAX 基站的關鍵組件。這些集成的微型模塊接收器極大地減少了所占用的電路板空間，在一個便于使用的小型封裝中集成了 RF 混頻器 / 解調器、放大器、無源濾波以及 14 位、125Msps ADC。
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凌力爾特 RF 接收器
- RF、SSP及DSP處理電路伺服電路的組成：由RF放大、伺服處理KB9223(SU3)，DSP處理KS9284(SU2)，聚焦、循跡、主軸、進給、進出倉電機驅動KA9259(SU4)等組成。
整機原理框圖見85頁附圖。1、RF數字信號處理
從光盤反射回
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電路 處理 DSP SSP RF
- 這個測試儀的基礎是一個皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區(qū)域通過電阻R1 以形成一個高增益反相放大器。由于這個高增益，這個逆變器比一個非緩沖門消耗的功率低，甚至是很小的信
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CMOS 電感測試儀 方案
- 提出一種標準CMOS工藝結構的低壓、低功耗電壓基準源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性，對PTAT基準電流進行動態(tài)電流反饋補償，設計了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準電路。使輸出基準電壓溫度系數在-25～+120℃范圍的溫度系數為7．427pp-m／℃，在27℃時電源電壓抑制比達82 dB。該基準源的芯片版圖面積為0．022 mm2，適用于低壓差線性穩(wěn)壓囂等領域。
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CMOS 高精度 帶隙基準源
- CMOS成像技術的領先創(chuàng)新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬像素的圖像傳感器。特別的設計令該產品可實現專業(yè)攝影師所要求的高畫質，除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬像素的靜態(tài)圖像以外，新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動態(tài)響應(DR)像素技術創(chuàng)新(稱為Aptina DR-Pix技術)，新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR)，而無需犧牲高亮度環(huán)境中的表現。高亮度下的最大信噪比可達
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圖像傳感器 CMOS
- 本周二，Tensilica宣布富士通公司成為其戰(zhàn)略投資者，但是沒有透露富士通具體的投資數目。兩家公司在聲明中只是輕描淡寫地評論了Tensilica DPU的優(yōu)勢并沒有就合作的具體內容和未來發(fā)展進行闡述，這里結合個人的研究分析這個舉動的背后意圖。
信號1: 日系半導體廠商高舉高打，看重LTE基帶市場
目前，在手機基帶領域，目前主要的玩家是歐美廠商和中國廠商，大家言必提高通、MTK、博通、ST-Ericsson等等，日系廠商很少進入大家的眼界，不過未來，在LTE時代，日系廠商已經完成布局，估計
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富士通 LTE RF
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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低功耗 通信距離 RF ISM頻帶
- 邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產水平時迎來重大轉折點。將由現行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導體廠商均已開始表現出這種技術意向。LSI的制造技術發(fā)生巨變之后，估計也會對各公司的微細化競爭帶來影響。
元件材料及曝光技術也會出現轉折
“估計一多半的半導體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”(英特爾)。“在20nm以
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CMOS 15nm 立體晶體管
- IA4420/21是射頻收發(fā)一體芯片，IA4420工作在315/433/868/915MHz頻段，IA4421工作在 433/868/915MHz頻段。芯片的工作電壓為2.2～5.4V，采用低功耗模式，待機電流為0.3mu;A，采用FSK調制模式，發(fā)射功率為 5～8dbm，接
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數據傳輸 應用 無線 IA4420 芯片 RF
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