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威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器
- 威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，這是USB3.0技術(shù)時代業(yè)內(nèi)首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。 USB3.0(即超速USB)的最大數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)5Gbps，是現(xiàn)有USB2.0設(shè)備傳輸速度的10倍;此外，該技術(shù)還能提高外部設(shè)備與主機(jī)控制器之間的互動功能，包括能耗管理上的重要改進(jìn)。 VIA VL810由威盛集團(tuán)全資子公司VIA Labs研發(fā)，它實現(xiàn)在一個USB接口上連接多個設(shè)備從而擴(kuò)展了計算機(jī)的USB性能。一個輸出接口及四個輸入接口不僅支持高
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Vishay推出適用于線焊組裝的新PSC系列RF螺旋電感器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于線焊組裝的新系列RF螺旋電感器 --- Vishay Electro-Films PSC系列電感器 --- 具有低DCR、高Q值和寬感值范圍，提供RF等效電路模型，使得設(shè)計者可以對器件性能進(jìn)行高度精確的計算機(jī)仿真。 PSC電感器是針對需要線焊器件的RF電路而設(shè)計的，包括在通信系統(tǒng)及測試測量儀器中的阻抗調(diào)諧電路、集總元件濾波器和混合RF集成電路。 螺旋電感具有1nH~100nH的寬感
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IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)
- IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節(jié)點(diǎn)。 在IEDM會議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長，非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場效應(yīng)管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。 該ETSOI技術(shù)包含了幾項工藝創(chuàng)新，包括源漏摻雜外延淀積(無需離子注入)，以及提高的源漏架構(gòu)。 該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的S
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Microchip推出符合ZigBee RF4CE協(xié)議和XLP的平臺
- 全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今天宣布，其符合ZigBee RF4CE的平臺已經(jīng)獲得認(rèn)證，能夠?qū)崿F(xiàn)新一代RF遙控器和消費(fèi)電子產(chǎn)品。該平臺包括Microchip的nanoWatt XLP超低功耗PIC®單片機(jī)、MRF24J40 IEEE 802.15.4收發(fā)器和已獲得美國聯(lián)邦通信委員會(FCC)認(rèn)證的模塊，以及業(yè)內(nèi)最小存儲空間占用的ZigBee RF4CE認(rèn)證協(xié)議棧。 消費(fèi)電子行業(yè)正迅
- 關(guān)鍵字： Microchip ZigBee RF 單片機(jī)
10~37 GHz CMOS四分頻器的設(shè)計
- 1 引言
隨著通信技術(shù)的迅猛發(fā)展，人們對通信系統(tǒng)中單元電路的研究也越來越多。而分頻器廣泛應(yīng)用于光纖通信和射頻通信系統(tǒng)中，因此，高速分頻器的研究也日益受到關(guān)注。分頻器按實現(xiàn)方式可分為模擬和數(shù)字兩種。模 - 關(guān)鍵字： 設(shè)計 四分 CMOS GHz 光纖通信系統(tǒng) CMOS工藝 動態(tài)負(fù)載鎖存器 分頻器
東芝20nm級體硅CMOS工藝獲突破
- 東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導(dǎo)體技術(shù)會議上宣布，其20nm級CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破，開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設(shè)備的大門，成為業(yè)界首個能夠投入實際生產(chǎn)的20nm級CMOS工藝。東芝表示，他們通過對晶體管溝道的摻雜材料進(jìn)行改善，實現(xiàn)了這次突破。 在傳統(tǒng)工藝中，由于電子活動性降低，通常認(rèn)為體硅(Bulk)CMOS在20nm級制程下已經(jīng)很難實現(xiàn)。但東芝在溝道構(gòu)造中使用了三層材料，解決了這一問題，成功實現(xiàn)了20nm級的體硅CMOS。這三層材料
- 關(guān)鍵字： 東芝 CMOS 20nm
0．6μm CMOS工藝全差分運(yùn)算放大器的設(shè)計
- 關(guān)鍵字： 運(yùn)算放大器 偏置電路 CMOS
英飛凌與諾基亞宣布合作開發(fā)高級LTE解決方案
- 全球領(lǐng)先的手機(jī)平臺半導(dǎo)體制造商英飛凌科技股份公司與全球最大的手機(jī)制造和服務(wù)商諾基亞公司，近日宣布合作開發(fā)先進(jìn)的射頻(RF)收發(fā)器解決方案。雙方簽署的協(xié)議是一份非排他性合作協(xié)議，旨在確保諾基亞的可授權(quán)先進(jìn)基帶調(diào)制解調(diào)器技術(shù)以及英飛凌稱雄業(yè)界的射頻解決方案的兼容性和互通性。 諾基亞將與英飛凌攜手合作，確保諾基亞現(xiàn)有和未來的可授權(quán)先進(jìn)調(diào)制解調(diào)器設(shè)計，能夠與英飛凌業(yè)界領(lǐng)先的射頻收發(fā)器解決方案無縫兼容和互通，從而為整個手機(jī)行業(yè)提供面向HSPA(高速分組接入)、LTE(長期演進(jìn))等技術(shù)的完善調(diào)制解調(diào)器解決方
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 LTE RF 收發(fā)器
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