rf-cmos 文章進(jìn)入rf-cmos技術(shù)社區(qū)

任重而道遠(yuǎn)：中芯國(guó)際將力爭(zhēng)在今年實(shí)現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn)

　　據(jù)中芯國(guó)際集成電路制造有限公司資深研發(fā)副總季明華撰文披露，2010年，中芯國(guó)際將加強(qiáng)65納米的嵌入式工藝平臺(tái)和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā);同時(shí)力爭(zhēng)實(shí) 現(xiàn)45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)。　　在第四屆(2009年度)中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評(píng)選中，中芯國(guó)際有兩項(xiàng)技術(shù)獲獎(jiǎng)，其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術(shù)”，其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術(shù)”。　　據(jù)介紹，目前，中芯國(guó)際已經(jīng)完成了65納米CMOS技術(shù)的認(rèn)證，并于2009年第三季度
關(guān)鍵字：嵌入式 65納米 40納米 CMOS

ADI推出高性能、低成本的 CMOS 運(yùn)算放大器

　　Analog Devices, Inc.(http://www.analog.com/zh )，全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商，今天宣布針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)發(fā)布全新的低成本、高速 CMOS 運(yùn)算放大器 ADA489系列。與其它供應(yīng)商提供的產(chǎn)品相比，ADA4891系列能夠幫助設(shè)計(jì)師以更低的成本和更低的功耗實(shí)現(xiàn)同樣的高速性能。與此同時(shí)，ADI 在高速運(yùn)算放大器產(chǎn)品領(lǐng)域的行業(yè)絕對(duì)領(lǐng)導(dǎo)地位以及對(duì)于中國(guó)市場(chǎng)的長(zhǎng)期承諾和投入，也確保了中國(guó)客戶(hù)能夠得到業(yè)界最好的質(zhì)量保證和技術(shù)支持。針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的需求，ADI 還將彌
關(guān)鍵字： ADI CMOS 運(yùn)算放大器 ADA489

基于RF技術(shù)的口岸虛擬閘口系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

　“加快電子口岸建設(shè)，提高口岸工作效率”是提高政府行政執(zhí)法效能的需要。根據(jù)業(yè)務(wù)需求并結(jié)合口岸實(shí)際環(huán)境，應(yīng)用射頻通訊技術(shù)研究開(kāi)發(fā)了一種雙頻識(shí)別語(yǔ)音導(dǎo)引的智能車(chē)載卡，并在口岸3～10 km2范圍內(nèi)布設(shè)通訊基站，建
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) 閘口虛擬 RF 技術(shù) 口岸基于 RF

IMEC、瑞薩、M4S聯(lián)手推出單芯片無(wú)線收發(fā)器

　　在2010年2月10日召開(kāi)的國(guó)際固態(tài)電子電路大會(huì)上，IMEC、株式會(huì)社瑞薩科技(以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞薩)、M4S聯(lián)手推出了利用40nm低功耗CMOS工藝制造而成、帶有RF、基帶和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路的完整收發(fā)器。這款完全可重配置的收發(fā)器符合各種無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)和應(yīng)用要求，并且符合即將推出的移動(dòng)寬帶3GPP-LTE標(biāo)準(zhǔn)。　　可隨時(shí)隨地為用戶(hù)提供大量服務(wù)的無(wú)線通信終端發(fā)展趨勢(shì)，推動(dòng)了利用深亞微米CMOS工藝制造而成的可重配置無(wú)線電的發(fā)展。就3GPP-LTE標(biāo)準(zhǔn)自身非常靈活的特性而言，可重配置無(wú)線電就成為其最經(jīng)濟(jì)的實(shí)現(xiàn)方式。并
關(guān)鍵字：瑞薩 40nm CMOS 無(wú)線收發(fā)器

愛(ài)爾蘭科學(xué)家開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管

　　愛(ài)爾蘭丁鐸爾國(guó)家研究院的科學(xué)家最近宣稱(chēng)他們成功制出了業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管，并稱(chēng)此項(xiàng)發(fā)明對(duì)10nm級(jí)別制程意義重大，可大大簡(jiǎn)化晶體管的制造工藝復(fù)雜程度。這種晶體管采用類(lèi)似Finfet的結(jié)構(gòu)，將晶體管的柵極制成婚戒型的結(jié)構(gòu)，并在柵極中心制出硅質(zhì)溝道，溝道的尺寸僅有數(shù)十個(gè)原子的直徑加起來(lái)那么大。　　該研發(fā)團(tuán)隊(duì)是由Jean-Pierre Colinge教授領(lǐng)導(dǎo)的，這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態(tài)，而且還具備漏電電流小，門(mén)限電壓低以及耐溫性好的優(yōu)點(diǎn)，而且還可以兼容于CMOS工藝。　　硅溝道中的電
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用ADS實(shí)現(xiàn)一個(gè)2.38 GHz全集成化低噪聲放大器

關(guān)鍵字： ADS CMOS 低噪聲放大器全集成化放大器功率增益噪聲系數(shù)

格科微CMOS 圖像傳感器產(chǎn)品于中芯國(guó)際出貨達(dá)10萬(wàn)片

　　作為中國(guó)大陸第一大CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)公司的格科微電子于日前宣布該公司在其晶圓伙伴中芯國(guó)際集成電路制造有限公司量產(chǎn)的CMOS圖像傳感器8吋晶圓產(chǎn)品出貨達(dá)到10萬(wàn)片的新里程碑。　　牋牋作為大陸地區(qū)首家涉足CMOS圖像傳感器領(lǐng)域并取得成功的專(zhuān)業(yè)CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)公司，格科微擁有創(chuàng)新的CMOS圖像傳感器核心技術(shù)。格科微的CMOS圖像傳感器產(chǎn)品具有尺寸小，功耗低，成本低，產(chǎn)品圖像品質(zhì)好等特點(diǎn)。除此之外具有色彩校正，噪音消除，圖像大小調(diào)整等功能。其晶圓伙伴中芯國(guó)際生產(chǎn)格科微圖像傳感器產(chǎn)品采用的0.15
關(guān)鍵字：格科微 CMOS 圖像傳感器

再度出手三星擬再新增CMOS 8寸廠

　　三星電子(Samsung Electronics)再度出手，繼2009年下半首度大幅擴(kuò)充產(chǎn)能外，2010年將首度啟動(dòng)擴(kuò)充產(chǎn)能機(jī)制，預(yù)計(jì)將再新增1座8寸晶圓廠，全數(shù)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。　　據(jù)了解，三星原本已在韓國(guó)共有2座8寸廠、1座12寸廠用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器，2座8寸晶圓廠月產(chǎn)能共4萬(wàn)~4.5萬(wàn)片，12寸廠月產(chǎn)能2萬(wàn)~2.5 萬(wàn)片，2009年下半為滿(mǎn)足客戶(hù)龐大需求，已先行在2座8寸晶圓廠內(nèi)每月再新增1.2萬(wàn)~2萬(wàn)片產(chǎn)能，不過(guò)即便如此，似乎仍無(wú)法滿(mǎn)足客戶(hù)需求。　　據(jù)了解，新的8寸晶
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超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)

　隨著筆記本電腦、手機(jī)、PDA 等移動(dòng)設(shè)備的普及,對(duì)應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開(kāi)發(fā)越來(lái)越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產(chǎn)品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型線性穩(wěn)壓器由于具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉、低噪聲、
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 穩(wěn)壓器線性 CMOS 超低

適用于SAR ADC的CMOS比較器的設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字： ADC CMOS

該如何避免軌到軌CMOS放大器的不穩(wěn)定性

關(guān)鍵字： CMOS，放大器

巧焊場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路

焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿(mǎn)意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
關(guān)鍵字： CMOS 焊場(chǎng)效應(yīng)管集成電路

利用單個(gè)功率放大器實(shí)現(xiàn)GSM/DCS雙頻段RF前端模塊設(shè)計(jì)

本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結(jié)構(gòu)，使用一個(gè)射頻功率放大器實(shí)現(xiàn)GSM/DCS雙頻段功率放大功能。同時(shí)將此結(jié)構(gòu)射頻功率放大器及輸出匹配網(wǎng)絡(luò)與CMOS控制器、射頻開(kāi)關(guān)集成至一個(gè)芯片模塊，組成GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊，其中射頻開(kāi)關(guān)采用高隔離開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)，使得諧波滿(mǎn)足通信系統(tǒng)要求。本文設(shè)計(jì)的GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊，在GSM發(fā)射模式下，模塊天線端輸出功率為33dBm，效率38%，諧波抑制-33dBm以下；DCS發(fā)射模式下，模塊天線端輸出功率為30dBm,效率30%，諧波抑制-33dBm以下。
關(guān)鍵字： RF 前端模塊設(shè)計(jì) 頻段 GSM/DCS 單個(gè) 功率放大器實(shí)現(xiàn)

IME/China 2009 第四屆上海國(guó)際微波技術(shù)交流展覽會(huì)展后報(bào)告

　　4000平方米，136家國(guó)內(nèi)外展商，22場(chǎng)高質(zhì)量研討會(huì)，超過(guò)3,600位專(zhuān)業(yè)觀眾及買(mǎi)家　　由中國(guó)電子學(xué)會(huì)主辦，《現(xiàn)代雷達(dá)》雜志鼎力支持的第四屆上海國(guó)際微波技術(shù)交流展覽會(huì)于2009年11月18至20日在上海光大會(huì)展中心隆重舉辦。作為中國(guó)微波技術(shù)領(lǐng)域最具代表性的國(guó)際盛會(huì)，IME/China每年11月固定在上海舉行，至今已成功舉辦了四屆，本屆展會(huì)匯聚了來(lái)自美國(guó)、德國(guó)、瑞士、加拿大、法國(guó)、意大利、愛(ài)爾蘭、日本、韓國(guó)、英國(guó)、比利時(shí)、新國(guó)坡、中國(guó)及香港和臺(tái)灣地區(qū)的微波行業(yè)知名廠商參加;同期舉辦的微波技術(shù)研討會(huì)
關(guān)鍵字： IME2009 RF 測(cè)試測(cè)量

監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對(duì)比

CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱(chēng)CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱(chēng)CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
關(guān)鍵字：傳感器對(duì)比圖像 CCD CMOS 監(jiān)控