rf-ic 文章進(jìn)入rf-ic技術(shù)社區(qū)

數(shù)字波束成形相控陣中RF電子器件的物理尺寸分配

相控陣?yán)走_(dá)和有源電子掃描陣列（AESA）已經(jīng)在航空航天和國(guó)防市場(chǎng)中使用和部署了十多年。這一時(shí)期主要從模擬波束成形系統(tǒng)開(kāi)始，并不斷遷移到更高水平的數(shù)字波束成形。系統(tǒng)工程目標(biāo)不斷需要接近元素的數(shù)字波束成形實(shí)現(xiàn)，以實(shí)現(xiàn)的靈活性和可編程性。相控陣?yán)走_(dá)和有源電子掃描陣列（AESA）已經(jīng)在航空航天和國(guó)防市場(chǎng)中使用和部署了十多年。這一時(shí)期主要從模擬波束成形系統(tǒng)開(kāi)始，并不斷遷移到更高水平的數(shù)字波束成形。系統(tǒng)工程目標(biāo)不斷需要接近元素的數(shù)字波束成形實(shí)現(xiàn)，以實(shí)現(xiàn)的靈活性和可編程性。遷移到近元素?cái)?shù)字波束成形存在許多挑戰(zhàn)。挑戰(zhàn)范圍
關(guān)鍵字：數(shù)字波束 RF

自適應(yīng)RF前饋放大器的設(shè)計(jì)

現(xiàn)代無(wú)線通信的迅猛發(fā)展日益朝著增大信息容量，提高信道的頻譜利用率以及提高線性度的方向發(fā)展。一方面，人們廣泛采用工作于甲乙類狀態(tài)的大功率微波晶體管來(lái)提高傳輸功率和利用效率；另一方面，無(wú)源器件及有源器件的引入，多載波配置技術(shù)的采用等，都將導(dǎo)致輸出信號(hào)的互調(diào)失真?，F(xiàn)代無(wú)線通信的迅猛發(fā)展日益朝著增大信息容量，提高信道的頻譜利用率以及提高線性度的方向發(fā)展。一方面，人們廣泛采用工作于甲乙類狀態(tài)的大功率微波晶體管來(lái)提高傳輸功率和利用效率；另一方面，無(wú)源器件及有源器件的引入，多載波配置技術(shù)的采用等，都將導(dǎo)致輸出信號(hào)的互調(diào)
關(guān)鍵字： RF 放大器

14年后全球半導(dǎo)體行業(yè)突然按下“暫停鍵”：減支力度高達(dá)19%

以存儲(chǔ)芯片廠商為代表，包括美光、SK海力士等在內(nèi)，均宣布將減少明年的資本支出，這些錢(qián)一般用于擴(kuò)建擴(kuò)產(chǎn)等，反映出行業(yè)的低迷。實(shí)際上，整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的日子都不太好過(guò)。日前，統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布最新研報(bào)，預(yù)測(cè)明年全產(chǎn)業(yè)的資本支出將同比下滑19%，在1466億美元左右。據(jù)悉，這是繼2008~2009金融危機(jī)以來(lái)的最大降幅，當(dāng)時(shí)的降幅一度高達(dá)40%?？勺鰧?duì)比的是，半導(dǎo)體資本支出在過(guò)去今年迎來(lái)了高速增長(zhǎng)，2021年增長(zhǎng)35%達(dá)到1531億美元，今年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)19%達(dá)到1817億美元，創(chuàng)下歷史新高。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體行業(yè) 市場(chǎng) IC Insights

RF解密--什么是射頻衰減器？

問(wèn)題：什么是射頻衰減器？如何為我的應(yīng)用選擇合適的RF衰減器？答案：衰減器是一種控制元件，主要功能是降低通過(guò)衰減器的信號(hào)強(qiáng)度。這種元件一般用于平衡信號(hào)鏈中的信號(hào)電平、擴(kuò)展系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)范圍、提供阻抗匹配，以及在終端應(yīng)用設(shè)計(jì)中實(shí)施多種校準(zhǔn)技術(shù)。?簡(jiǎn)介本文延續(xù)之前一系列短文，面向非射頻工程師講解射頻技術(shù)。ADI將在文中探討IC衰減器，并針對(duì)其類型、配置和規(guī)格提出一些見(jiàn)解，旨在幫助工程師更快了解各種IC產(chǎn)品，并為終端應(yīng)用選擇合適的產(chǎn)品。該系列的相關(guān)文章包括：“為應(yīng)用選擇合適的RF放大器指南”、“如何輕松選擇
關(guān)鍵字： RF 射頻衰減器 ADI

GaN IC縮小電機(jī)驅(qū)動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的上市時(shí)間

EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。該逆變器尺寸極小，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級(jí)GaN IC，內(nèi)含柵極驅(qū)動(dòng)器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導(dǎo)通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達(dá)28 Apk(2
關(guān)鍵字： GaN IC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

西門(mén)子與聯(lián)華電子合作開(kāi)發(fā)3D IC混合鍵合流程

西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù)，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗(yàn)證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶提供此項(xiàng)新流程。通過(guò)在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù)，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
關(guān)鍵字：西門(mén)子聯(lián)華電子 3D IC 混合鍵合流程

RF揭秘: 散射參數(shù)及其類型

問(wèn)題：什么是S參數(shù)？它有哪些主要類型？答案：S參數(shù)描述了RF網(wǎng)絡(luò)的基本特征，其主要類型有小信號(hào)、大信號(hào)、脈沖、冷模式和混合模式S參數(shù)。引言本文延續(xù)之前的一系列短文
關(guān)鍵字： RF 散射參數(shù) ADI

RF揭秘：散射參數(shù)及其類型

本文延續(xù)之前的一系列短文，旨在為非RF工程師講解RF的奧秘。其中一些RF文章如下：“RF揭秘——了解波反射” ，探討了波反射；“如何輕松選擇正確的頻率產(chǎn)生器件”，探討了RF信號(hào)鏈中發(fā)揮作用的頻率產(chǎn)生器件的主要類型。問(wèn)題:什么是S參數(shù)？它有哪些主要類型？答案:S參數(shù)描述了RF網(wǎng)絡(luò)的基本特征，其主要類型有小信號(hào)、大信號(hào)、脈沖、冷模式和混合模式S參數(shù)。引言本文延續(xù)之前的一系列短文，旨在為非RF工程師講解RF的奧秘。其中一些RF文章如下：“RF揭秘——了解波反射” ，探討了波反射；“如何輕松選擇正確的頻率產(chǎn)生器件
關(guān)鍵字： ADI RF

如何選擇出色電源解決方案，以提高RF信號(hào)鏈相位噪聲性能

如今的射頻 (RF) 系統(tǒng)變得越來(lái)越復(fù)雜。高度的復(fù) 雜性要求所有系統(tǒng)指標(biāo)（例如嚴(yán)格的鏈接和噪聲預(yù)算）達(dá)到最佳性能。確保整個(gè)信號(hào)鏈的正確設(shè)計(jì)至關(guān)重要。而信號(hào)鏈中，有一個(gè)部分經(jīng)常會(huì)被忽視，那就是直流電源。它在系統(tǒng)中占據(jù)著重要地位，但也會(huì)帶來(lái)負(fù)面影響。RF 系統(tǒng)的一個(gè)重要度量是相位噪聲，根據(jù)所選的電源解決方案，這個(gè)指標(biāo)可能降低。本文研究電源設(shè)計(jì) 對(duì) RF 放大器相位噪聲的影響。我們的測(cè)試數(shù)據(jù)證明，選擇合適的電源模塊可以使相位噪聲改善 10 dB，這是優(yōu)化 RF 信號(hào)鏈性能的關(guān)鍵。
關(guān)鍵字： 202207 電源 ADI RF 相位噪聲

西門(mén)子推出 Symphony Pro 平臺(tái)，大幅擴(kuò)展混合信號(hào) IC 驗(yàn)證能力

· 西門(mén)子先進(jìn)的混合信號(hào)仿真平臺(tái)可加速混合信號(hào)驗(yàn)證，助力提升生產(chǎn)效率多達(dá)10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進(jìn)的數(shù)字驗(yàn)證方法學(xué)，適用于當(dāng)今前沿的混合信號(hào)設(shè)計(jì) 西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出　Symphony? Pro 平臺(tái)，基于原有的　Symphony 混合信號(hào)驗(yàn)證能力，進(jìn)一步擴(kuò)展功能，以全面、直觀的可視化調(diào)試集成環(huán)境支持新的Accellera 標(biāo)準(zhǔn)化驗(yàn)證方法學(xué)，使得生產(chǎn)效率比傳統(tǒng)解決方案提升
關(guān)鍵字：西門(mén)子混合信號(hào) IC 驗(yàn)證

打造驅(qū)動(dòng)第三代功率半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

受訪人：亞德諾半導(dǎo)體　　大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動(dòng)汽車(chē)充電站、新能源等基礎(chǔ)設(shè)施的廣泛部署使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來(lái)，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。新型和未來(lái)的SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。好馬
關(guān)鍵字： 202207 ADI 第三代半導(dǎo)體 IC 功率器件

TrendForce：預(yù)計(jì)第三季度驅(qū)動(dòng) IC 價(jià)格降幅將擴(kuò)大至 8%-10%

IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨詢報(bào)告顯示，在供需失衡、庫(kù)存高漲的狀況下，預(yù)計(jì)第三季度驅(qū)動(dòng) IC 的價(jià)格降幅將擴(kuò)大至 8%-10% 不等，且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢進(jìn)一步表示，中國(guó)面板驅(qū)動(dòng) IC 供貨商為了鞏固供貨動(dòng)能，更愿意配合面板廠的要求，價(jià)格降幅可達(dá)到 10%-15%。報(bào)告指出，在需求短期間難以好轉(zhuǎn)下，面板驅(qū)動(dòng) IC 價(jià)格不排除將持續(xù)下跌，且有極大可能會(huì)比預(yù)估的時(shí)間更早回到 2019 年的起漲點(diǎn)。此外，TrendFor
關(guān)鍵字： IC TrendForce 市場(chǎng)

無(wú)毛刺監(jiān)控器IC不再只是一個(gè)概念

可靠的電壓監(jiān)控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求，因?yàn)樗梢蕴岣呦到y(tǒng)可靠性，并在電壓瞬變和電源故障時(shí)提升系統(tǒng)性能。半導(dǎo)體制造商也在不斷提高電壓監(jiān)控器IC的性能。監(jiān)控器IC需要一個(gè)稱為上電復(fù)位（VPOR）的最低電壓來(lái)生成明確或可靠的復(fù)位信號(hào)，而在該最低電源電壓到來(lái)之前，復(fù)位信號(hào)的狀態(tài)是不確定的。一般來(lái)說(shuō)，我們將其稱之為復(fù)位毛刺。復(fù)位引腳主要有兩種不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，即開(kāi)漏和推挽（圖1），兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復(fù)位拓?fù)涞拈_(kāi)漏配置和推挽配置圖2. 復(fù)位電壓如何與上拉電壓（VPULLUP）
關(guān)鍵字： ADI IC

imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
關(guān)鍵字： imec 晶背供電邏輯IC 布線 3D IC

2021-2022年度（第五屆）中國(guó) IC 獨(dú)角獸榜單出爐

集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是世界主要國(guó)家和地區(qū)搶占工業(yè)經(jīng)濟(jì)制高點(diǎn)的必爭(zhēng)領(lǐng)域。為了進(jìn)一步鼓勵(lì)我國(guó)具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力和投資價(jià)值的集成電路企業(yè)健康快速發(fā)展，進(jìn)一步總結(jié)企業(yè)發(fā)展的成功模式，挖掘我國(guó)集成電路領(lǐng)域的優(yōu)秀創(chuàng)新企業(yè)，對(duì)優(yōu)秀企業(yè)進(jìn)行系統(tǒng)化估值，提升企業(yè)的國(guó)際和國(guó)內(nèi)影響力。在連續(xù)成功舉辦四屆遴選活動(dòng)的基礎(chǔ)上，由賽迪顧問(wèn)股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯(lián)合主辦的2021-2022（第五屆）中國(guó)IC獨(dú)角獸遴選活動(dòng)歷時(shí)兩個(gè)月，收到企業(yè)自薦及機(jī)構(gòu)推薦
關(guān)鍵字： IC 獨(dú)角獸