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ROHM開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET
- ～產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開關(guān)和超短反向恢復(fù)時(shí)間特點(diǎn)的5款新產(chǎn)品～全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。?近年來(lái)，隨著照明用的小型電源
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IGBT IPM實(shí)例：絕對(duì)最大額定值
- 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?各種項(xiàng)目的絕對(duì)最大額定值都是絕對(duì)不能超過(guò)的值。?IGBT IPM絕對(duì)最大額定值的解釋基本上與半導(dǎo)體器件相同。?由于絕對(duì)最大額定值不是保證產(chǎn)品工作和特性的值，因此設(shè)計(jì)通?；谕扑]工作條件和電氣特性項(xiàng)目中的規(guī)格值進(jìn)行。在本文中，將介紹IGBT IPM的絕對(duì)最大額定值。與上一篇一樣，我們將使用ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”作為IGBT IPM的示例。?IGBT IPM實(shí)例：絕對(duì)最大額定值?首先，為了便于理解后續(xù)內(nèi)容，我們先
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ROHM開發(fā)出LiDAR用的120W高輸出功率激光二極管“RLD90QZW8”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款高輸出功率半導(dǎo)體激光二極管“RLD90QZW8”，該產(chǎn)品非常適用于搭載測(cè)距和空間識(shí)別用LiDAR*1的工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的AGV（Automated Guided Vehicle/無(wú)人搬運(yùn)車）和服務(wù)機(jī)器人、消費(fèi)電子領(lǐng)域的掃地機(jī)器人等應(yīng)用。近年來(lái)，在AGV、掃地機(jī)器人和自動(dòng)駕駛汽車等需要自動(dòng)化工作的廣泛應(yīng)用中，可以準(zhǔn)確測(cè)量距離和識(shí)別空間的LiDAR日益普及。在這種背景下，為了“更遠(yuǎn)”、“更準(zhǔn)確”地檢測(cè)到信息，要求作為光源的激光二極管提高輸出功率和性能。R
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ROHM開發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動(dòng)器IC
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款超高速驅(qū)動(dòng)GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BD2311NVX-LB”。近年來(lái)，在服務(wù)器系統(tǒng)等領(lǐng)域，由于IoT設(shè)備的需求日益增長(zhǎng)，電源部分的功率轉(zhuǎn)換效率提升和設(shè)備的小型化已經(jīng)成為重要的社會(huì)課題，而這就要求功率元器件的不斷優(yōu)化。另外，不僅在自動(dòng)駕駛領(lǐng)域，在工業(yè)設(shè)備和社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施監(jiān)控等領(lǐng)域應(yīng)用也非常廣泛的LiDAR*1，也需要通過(guò)高速脈沖激光照射來(lái)進(jìn)一步提高識(shí)別精度。在這類應(yīng)用中，必須使用高速開關(guān)器件，因此，ROHM在推出支持高速開關(guān)的GaN器件的同時(shí)，還
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如何在大功率應(yīng)用中減少損耗、提高能效并擴(kuò)大溫度范圍
- 功耗密集型應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要更小、更輕、更節(jié)能的電源轉(zhuǎn)換器，能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動(dòng)汽車 (EV) 等應(yīng)用中尤其如此，若能實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)，可加快充電速度、延長(zhǎng)續(xù)航里程。為了實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)，設(shè)計(jì)人員目前使用基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的電源轉(zhuǎn)換器，例如碳化硅 (SiC) 電源轉(zhuǎn)換器。功耗密集型應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要更小、更輕、更節(jié)能的電源轉(zhuǎn)換器，能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動(dòng)汽車 (EV) 等應(yīng)用中尤其如此，若能實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)，可加快充電速度、延長(zhǎng)續(xù)航里程。為了實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)，設(shè)計(jì)人員目前使用基
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緩沖電路的種類和選擇
- 緩沖電路包括由電阻器、線圈、電容器等無(wú)源元件組成的電路，以及由半導(dǎo)體元器件組成的有源電路(*1)。在這里將為您介紹無(wú)需控制且具有成本優(yōu)勢(shì)的電路方式。關(guān)鍵要點(diǎn)※ 要想使緩沖電路充分發(fā)揮出其效果，需要盡可能靠近開關(guān)器件進(jìn)行安裝。緩沖電路包括由R、L、C等無(wú)源元件組成的電路和由半導(dǎo)體元器件組成的有源電路?！?本文介紹了無(wú)需控制而且具有成本優(yōu)勢(shì)的電路方式——C緩沖電路、RC緩沖電路、放電型RCD緩沖電路和非放電型RCD緩沖電路。本文進(jìn)入本系列文章的第二個(gè)主題：“緩沖電路的種類和選擇”?！?nbsp;
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ROHM開發(fā)出適用于條碼標(biāo)簽打印應(yīng)用、500mm/秒的業(yè)內(nèi)超快打印速度的熱敏打印頭
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出兩款高可靠性高速熱敏打印頭“TE2004-QP1W00A（203dpi）”和“TE3004-TP1W00A（300dpi）”，新產(chǎn)品非常適用于物流和庫(kù)存管理等領(lǐng)域打印標(biāo)簽所用的條碼標(biāo)簽打印機(jī)。近年來(lái)，電子商務(wù)（EC）市場(chǎng)蓬勃發(fā)展，消費(fèi)者的需求越來(lái)越多樣化，使得對(duì)物流標(biāo)簽和庫(kù)存管理標(biāo)簽等的需求也日益高漲。然而，憑借以往的熱敏打印頭技術(shù)，250mm/秒～300mm/秒已經(jīng)是打印速度的極限。在這種背景下，ROHM采用新結(jié)構(gòu)和新技術(shù)開發(fā)出高可靠性的高速熱敏打
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ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET 以小尺寸實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻
- ～非常適用于通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)，有助于設(shè)備進(jìn)一步降低功耗和節(jié)省空間～ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，開發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET*1一體化封裝的雙MOSFET新產(chǎn)品。新產(chǎn)品分為“HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列”和“HP8MEx（Nch+Pch*2）系列”兩個(gè)系列，共5款新機(jī)型。近年來(lái)，在通信基站和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，為了降低電流值、提高效率，以往的12V和24V系統(tǒng)逐漸被轉(zhuǎn)換為48V系統(tǒng)，電源電壓呈提
- 關(guān)鍵字： ROHM 雙MOSFET
ROHM開發(fā)出配備VCSEL的小型接近傳感器，用于無(wú)線耳機(jī)等可穿戴設(shè)備
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向包括無(wú)線耳機(jī)和智能手表等可穿戴設(shè)備在內(nèi)的需要脫戴檢測(cè)和接近檢測(cè)的各種應(yīng)用，開發(fā)出2.0mm×1.0mm尺寸的小型接近傳感器“RPR-0720”。 近年來(lái)，隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的普及，在其中發(fā)揮著重要作用的傳感器產(chǎn)品需要具備更小的體積、更高的性能。ROHM擁有將發(fā)光元件和光接收元件一體化封裝的接近傳感器系列產(chǎn)品，由于其適用性高而被廣泛應(yīng)用于從移動(dòng)設(shè)備到工業(yè)設(shè)備的眾多領(lǐng)域。特別是在可穿戴設(shè)備領(lǐng)域，由于產(chǎn)品的性能不斷提升，導(dǎo)致所用的元器件數(shù)量增加，對(duì)設(shè)
- 關(guān)鍵字： ROHM VCSEL 接近傳感器 無(wú)線耳機(jī) 可穿戴設(shè)備
ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來(lái)，為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)，對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對(duì)這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
- 關(guān)鍵字： ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
逆變電路中開關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性—逆變電路的種類和通電方式
- 逆變電路主要分為單相逆變電路和三相逆變電路兩類。單相逆變電路的電路圖和輸出電流的示意波形分別如圖1和圖2所示。單相逆變電路可將直流電轉(zhuǎn)換為單相交流電，因此通常被用于功率調(diào)節(jié)器和不間斷電源（UPS）等普通家庭的商用電源應(yīng)用。關(guān)鍵要點(diǎn)?逆變電路主要分為單相逆變電路和三相逆變電路兩類。?電機(jī)驅(qū)動(dòng)采用可使轉(zhuǎn)矩穩(wěn)定、且可抑制振動(dòng)和噪聲的三相逆變器。?用三相逆變器驅(qū)動(dòng)電機(jī)時(shí)的激勵(lì)（通電）方式有方波驅(qū)動(dòng)（120°激勵(lì)）和正弦波驅(qū)動(dòng)（三相調(diào)制、兩相調(diào)制），不同的方式各有優(yōu)缺點(diǎn)。?在本系列文章中，將以電機(jī)驅(qū)動(dòng)中常用的正弦波
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ROHM面向車載應(yīng)用開發(fā)出高耐壓霍爾IC新產(chǎn)品“BD5310xG-CZ/BD5410xG-CZ系列”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向使用到磁場(chǎng)檢測(cè)的車載應(yīng)用開發(fā)出新的霍爾IC“BD5310xG-CZ?/ BD5410xG-CZ系列”。近年來(lái)，隨著汽車的電動(dòng)化和高性能化發(fā)展，以及舒適性和安全性的提高，在汽車中電子產(chǎn)品的應(yīng)用越來(lái)越多，而控制這些電子產(chǎn)品的ECU（電子控制單元）和附帶的傳感器已成為不可或缺的組成部分。在傳感器類產(chǎn)品中，霍爾IC能夠以非接觸方式進(jìn)行位置檢測(cè)和電機(jī)旋轉(zhuǎn)檢測(cè)，與機(jī)械式開關(guān)相比，具有不易磨損、體積小、可配備保護(hù)電路等諸多優(yōu)點(diǎn)，因此其應(yīng)用尤為廣泛。ROHM
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漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌
- 開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能（電流能量）。當(dāng)該能量與開關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí)，就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來(lái)說(shuō)明發(fā)生浪涌時(shí)的振鈴電流的路徑。這是一個(gè)橋式結(jié)構(gòu)，在High Side（以下簡(jiǎn)稱HS）和Low Side（以下簡(jiǎn)稱LS）之間連接了一個(gè)開關(guān)器件，該圖是LS導(dǎo)通，電路中存在開關(guān)電流IMAIN的情形。通常，該IMAIN從VSW流入，通過(guò)線路電感LMAIN流動(dòng)。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?漏極和源極間的浪涌是由各種電感分量和MOSFET寄生電容的諧振引起的。?在實(shí)際的版圖設(shè)
- 關(guān)鍵字： ROHM 漏極 源極
安全使用三端穩(wěn)壓器必備的散熱基礎(chǔ)知識(shí)
- 三端穩(wěn)壓器是一種可以用來(lái)對(duì)電源進(jìn)行降壓的簡(jiǎn)單電子器件。由于降壓部分直接因發(fā)熱而成為熱損耗，因此在從很高的電壓降壓時(shí)或在大電流條件下使用時(shí)，需要安裝合適的散熱器。研究發(fā)現(xiàn)，溫度每升高2℃，電子元器件的不良率就會(huì)增加10%，因此，適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計(jì)對(duì)于提高電子元器件的可靠性和延長(zhǎng)使用壽命而言至關(guān)重要。1 三端穩(wěn)壓器的最大電流取決于溫度三端穩(wěn)壓器有多種類型，其最大輸出電流涵蓋0.5A到2A的范圍。但是，在最大電流條件下使用時(shí)，需要配備合適的散熱器。在三端穩(wěn)壓器的技術(shù)規(guī)格書中，列出了單獨(dú)使用IC時(shí)和帶散熱器使用IC時(shí)
- 關(guān)鍵字： ROHM 穩(wěn)壓器 散熱
ROHM開發(fā)出汽車內(nèi)飾用RGB貼片LED 減少由混色引起的色差問(wèn)題
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出一款面向汽車內(nèi)飾的RGB貼片LED*1“SMLVN6RGBFU”，非常適用于儀表盤和CID（Center Information Display）*2等車內(nèi)功能和狀態(tài)顯示用的指示燈*3，以及腳燈和門把手燈等裝飾照明應(yīng)用。近年來(lái)，隨著汽車電子化程度的提高和功能多樣化的發(fā)展，車速自動(dòng)控制、車距檢測(cè)、車道線檢測(cè)等各種駕駛輔助功能得以廣泛應(yīng)用。為了用儀表盤等的指示燈顯示這些功能的工作狀態(tài)，業(yè)內(nèi)對(duì)于能夠表現(xiàn)各種顏色的RGB貼片LED的需求日益高漲。另外，對(duì)使用R
- 關(guān)鍵字： ROHM 汽車內(nèi)飾 貼片LED 色差問(wèn)題
rohm介紹
Rohm株式會(huì)社為全球知名的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)，ROHM公司總部所在地設(shè)在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產(chǎn)商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步進(jìn)入了 晶體管、二極管領(lǐng)域和IC等半導(dǎo)體領(lǐng)域.2年后的1971年ROHM作為第一家進(jìn)入美國(guó)硅谷的日本企業(yè),在硅谷開設(shè)了IC設(shè)計(jì)中心.以當(dāng)時(shí)的企業(yè)規(guī)模，憑借被稱為"超常思維"的創(chuàng)新理念，加之年輕的、充滿夢(mèng)想和激情的員工的艱苦奮斗，ROHM [ 查看詳細(xì) ]
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