rohm 文章 進(jìn)入rohm技術(shù)社區(qū)
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
- 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結(jié)構(gòu)情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導(dǎo)通時(shí)的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關(guān)斷時(shí)的行為。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)1 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。2 要想正確實(shí)施SiC MOSFET的柵-源電壓的浪涌對
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表面溫度測量：熱電偶的固定方法
- 測量表面溫度時(shí)，熱電偶的固定方法和導(dǎo)線的處理會(huì)影響測量結(jié)果。盡量減少熱電偶固定方法帶來的影響是非常重要的。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)? 將熱電偶的測量端（連接端）固定到IC等封裝上的方法有兩種：①使用聚酰亞胺（PI）膠帶等；②使用環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑。? JEDEC推薦使用環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑的方法。? 除了熱電偶測量端的固定方法外，導(dǎo)線的處理也會(huì)影響到測量結(jié)果，因此應(yīng)沿著發(fā)熱源敷設(shè)導(dǎo)線。測量表面溫度時(shí)，熱電偶的固定方法和導(dǎo)線的處理會(huì)影響測量結(jié)果。盡量減少熱電偶固定方法帶來的影響是非常重要的。熱電偶的固定方法：粘貼方法將熱電偶的
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恒流負(fù)載導(dǎo)致的啟動(dòng)故障
- 內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器IC，在IC啟動(dòng)前輸出端被施加恒流負(fù)載時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)無法啟動(dòng)的問題。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器在啟動(dòng)前被施加恒流負(fù)載時(shí)，可能會(huì)出現(xiàn)無法啟動(dòng)的故障。?內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器的這種故障可以通過使用具有電流下垂特性的過電流保護(hù)電路的線性穩(wěn)壓器來解決。?如果因恒流負(fù)載而使電流流過在IC的輸出引腳和接地之間的ESD保護(hù)二極管或寄生二極管，則IC可能會(huì)劣化甚至損壞，因此需要在IC的輸出引腳和接地之間連接肖特基勢壘二極管來進(jìn)行保護(hù)。內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器
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LLC轉(zhuǎn)換器的工作特點(diǎn)
- 在下面的表格中，匯總了當(dāng)著眼于上一篇文章中給出的基本電路的一次側(cè)MOSFET時(shí)，LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)缺點(diǎn)。LLC轉(zhuǎn)換器通過部分諧振方式實(shí)現(xiàn)ZVS工作，部分諧振方式是使用激勵(lì)電流對MOSFET的輸出電容Coss進(jìn)行充電和放電。這樣可以減少開關(guān)損耗，從而可以減小MOSFET封裝和散熱器的尺寸。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?雖然LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)損耗低，但受失諧的影響，開關(guān)損耗可能會(huì)增加，并且可能會(huì)導(dǎo)致MOSFET損壞。?LLC轉(zhuǎn)換器使用PFM方式來控制輸出電壓。由于LLC的增益頻率特性具有兩個(gè)諧振頻率，因此根據(jù)fsw被分
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內(nèi)置線性穩(wěn)壓器的電源無法啟動(dòng)的故障案例：直通電流導(dǎo)致的啟動(dòng)故障
- 這種故障類似于“案例3：直通電流導(dǎo)致的啟動(dòng)故障①”，多發(fā)生于電路模塊的電路電流在電源電壓上升時(shí)和下降時(shí)明顯不同的情況。圖1為電路電流示例。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?當(dāng)作為負(fù)載的電路模塊在電源電壓上升時(shí)和下降時(shí)電流存在顯著差異時(shí)，可能會(huì)發(fā)生啟動(dòng)故障。?需要充分評估折返式限流電路的特性和輸出電流（負(fù)載）的特性。案例4：直通電流導(dǎo)致的啟動(dòng)故障②這種故障類似于“案例3：直通電流導(dǎo)致的啟動(dòng)故障①”，多發(fā)生于電路模塊的電路電流在電源電壓上升時(shí)和下降時(shí)明顯不同的情況。圖1為電路電流示例。圖2表示將該電路模塊與“案例2：恒流負(fù)載導(dǎo)
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ROHM開發(fā)出以1220尺寸達(dá)到1W業(yè)界超高額定功率的分流電阻器“LTR10L”
- ——“MCR系列”通用型分流電阻器的兩款機(jī)型也已更新，產(chǎn)品陣容更強(qiáng)大全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備等廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，開發(fā)出“LTR系列”的長邊電極型分流電阻器“LTR10L”，同時(shí)，“MCR系列”通用型分流電阻器中的兩款機(jī)型也已更新為“MCR10L”和“MCR18L”，產(chǎn)品陣容得到進(jìn)一步強(qiáng)化。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? &nb
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ROHM開發(fā)出數(shù)十毫瓦超低功耗的設(shè)備端學(xué)習(xí) AI芯片,無需云服務(wù)器,在設(shè)備端即可實(shí)時(shí)預(yù)測故障
- *設(shè)備端（On-device）學(xué)習(xí)：?在同一AI芯片上進(jìn)行學(xué)習(xí)和訓(xùn)練全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出一款設(shè)備端學(xué)習(xí)*AI芯片（配備設(shè)備端學(xué)習(xí)AI加速器的SoC），該產(chǎn)品利用 AI（人工智能）技術(shù)，能以超低功耗實(shí)時(shí)預(yù)測內(nèi)置電機(jī)和傳感器等的電子設(shè)備的故障（故障跡象檢測），非常適用于IoT領(lǐng)域的邊緣計(jì)算設(shè)備和端點(diǎn)*1。通常，AI芯片要實(shí)現(xiàn)其功能，需要進(jìn)行設(shè)置判斷標(biāo)準(zhǔn)的“訓(xùn)練”，以及通過學(xué)到的信息來判斷如何處理的“推理”。在這種情況下，“訓(xùn)練”需要匯集龐大的數(shù)據(jù)量形成數(shù)據(jù)庫并隨時(shí)
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ROHM面向性能日益提升的ADAS傳感器和雷達(dá)應(yīng)用開發(fā)出 300mA輸出的小型車載LDO穩(wěn)壓器“BUxxJA3DG-C系列”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向汽車ADAS（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）中的傳感器和雷達(dá)等性能日益提升的小型車載應(yīng)用，開發(fā)出LDO穩(wěn)壓器*1IC“BUxxJA3DG-C系列（BU12JA3DG-C、BU15JA3DG-C、BU18JA3DG-C、BU25JA3DG-C、BU30JA3DG-C、BU33JA3DG-C）”。 ? ? ? ? ? ? ??近年來，在汽車領(lǐng)域，隨著事故防止和自動(dòng)駕駛技術(shù)的創(chuàng)新，對安全性能
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ROHM面向高端ADAS開發(fā)出業(yè)界超穩(wěn)定運(yùn)行的DC-DC轉(zhuǎn)換器IC“BD9S402MUF-C”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）面向包括車載傳感器和攝像頭等在內(nèi)的ADAS（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）、信息娛樂系統(tǒng)等日益復(fù)雜的車載應(yīng)用，開發(fā)出一款降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器IC*1“BD9S402MUF-C”。近年來，在汽車領(lǐng)域，隨著事故防止和自動(dòng)駕駛技術(shù)的創(chuàng)新，對安全性能的要求也越來越高。與此同時(shí)，控制包括車載傳感器和攝像頭在內(nèi)的ADAS系統(tǒng)的SoC和微控制器也日益復(fù)雜（為提高處理能力而提高電流、為省電而降低電壓），這就要求向它們供電的電源IC，要在負(fù)載電流波動(dòng)的嚴(yán)苛條件下，也能更穩(wěn)定地運(yùn)行。為了
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ROHM用于車載多屏顯示器的串行/解串器支持全高清并助力功能安全
- 智能座艙已經(jīng)成為如今汽車特別是新能源汽車的標(biāo)配，隨著智能座艙功能越來越多，對汽車座艙的屏幕顯示技術(shù)的要求越來越高，如何滿足越來越復(fù)雜的屏幕顯示需求，已經(jīng)成為諸多半導(dǎo)體廠商面臨的新挑戰(zhàn)。隨著電子后視鏡和液晶儀表盤的普及，每輛車安裝的顯示器數(shù)量隨之增加，視頻傳輸路徑也變得更加復(fù)雜，這必然會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)成本和故障風(fēng)險(xiǎn)增加，因此簡化視頻傳輸路徑一直是亟需解決的課題。另外，由于電子鏡上的圖像卡頓和儀表盤上的指示燈圖標(biāo)不亮等問題可能會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重事故，所以融入功能安全設(shè)計(jì)也非常重要。近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向多屏
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ROHM開發(fā)出使用納法級(jí)超小電容車載LDO穩(wěn)壓器“BD9xxN1系列”
- Nano Cap 技術(shù)為解決電容問題開拓了小型化和穩(wěn)定化新領(lǐng)域全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)、車身和汽車信息娛樂系統(tǒng)等廣泛的車載應(yīng)用的一次（直接連接12V電池）電源，開發(fā)出車載LDO穩(wěn)壓器*1 IC“BD9xxN1系列（BD950N1G-C、BD933N1G-C、BD900N1G-C、BD950N1WG-C、BD933N1WG-C、BD900N1WG-C）”。近年來，隨著各種設(shè)備的電子化進(jìn)程加速，電子元器件的安裝數(shù)量也與日俱增，為了減少元器件的尺寸和數(shù)量，對于減少常
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ROHM開發(fā)出可簡化視頻傳輸路徑的車載串行/解串器“BU18xx82-M”
- 支持全高清（Full HD）分辨率的產(chǎn)品且通過業(yè)界先進(jìn)的端到端數(shù)據(jù)監(jiān)控功能，助力功能安全全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向多屏化趨勢下的車載顯示器領(lǐng)域，開發(fā)出支持全高清分辨率（1,980×1,080像素）的SerDes IC*1（串行器：BU18TL82-M，解串器：BU18RL82-M）。近年來，隨著電子后視鏡和液晶儀表盤的普及，每輛車安裝的顯示器數(shù)量隨之增加，視頻傳輸路徑也變得更加復(fù)雜，這必然會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)成本和故障風(fēng)險(xiǎn)增加，因此簡化視頻傳輸路徑一直是亟需解決的課題。另外，由于電子鏡上
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ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊 打造次世代電動(dòng)車
- SEMIKRON和半導(dǎo)體制造商ROHM在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運(yùn)用于SEMIKRON車規(guī)級(jí)功率模塊「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。 合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長 Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車制造商簽
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ROHM開發(fā)出高精度、超低功耗且支持40V電壓的窗口型復(fù)位IC* “BD48HW0G-C”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向需要對電子電路進(jìn)行電壓監(jiān)控以確保安全的各種車載和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用（包括車輛引擎控制單元和FA設(shè)備），開發(fā)出具有高精度和超低靜態(tài)電流的復(fù)位IC*1（電壓檢測器）“BD48HW0G-C”。 近年來，在汽車和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，圍繞自動(dòng)駕駛（自動(dòng)化）的技術(shù)創(chuàng)新日新月異，對安全性的要求也越來越高。與此同時(shí)，為了構(gòu)建更安全的系統(tǒng)，要求在設(shè)備開發(fā)過程中就要考慮到在發(fā)生問題時(shí)如何確保安全（故障安全和功能安全）。目前，ROHM已開發(fā)出1,000多種復(fù)位IC，這些是電子
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ROHM開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了低損耗性能和超低噪聲特性的 第4代快速恢復(fù)二極管“RFL/RFS系列”
- 有助于提高空調(diào)、電動(dòng)汽車充電樁等的電源效率并為減少噪聲對策做出貢獻(xiàn)全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向在空調(diào)和電動(dòng)汽車充電樁等需要大功率的工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了低VF和高速trr特性*1以及超低噪聲特性的第4代快速恢復(fù)二極管（以下稱“FRD”）650V耐壓“RFL/RFS系列”。近年來，隨著全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力已成為亟待解決的課題。其中，高功耗的白色家電和電動(dòng)汽車充電樁等工業(yè)設(shè)備不僅需要提高電源電路的效率，還需要減輕降噪設(shè)計(jì)的負(fù)擔(dān)。在這種背景下，ROHM推
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rohm介紹
Rohm株式會(huì)社為全球知名的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)，ROHM公司總部所在地設(shè)在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產(chǎn)商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步進(jìn)入了 晶體管、二極管領(lǐng)域和IC等半導(dǎo)體領(lǐng)域.2年后的1971年ROHM作為第一家進(jìn)入美國硅谷的日本企業(yè),在硅谷開設(shè)了IC設(shè)計(jì)中心.以當(dāng)時(shí)的企業(yè)規(guī)模，憑借被稱為"超常思維"的創(chuàng)新理念，加之年輕的、充滿夢想和激情的員工的艱苦奮斗，ROHM [ 查看詳細(xì) ]
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