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功率MOSFET設(shè)計(jì)考量
- 用作功率開(kāi)關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?。功率器件從電流?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng)，加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET - 關(guān)鍵字： 考量 設(shè)計(jì) MOSFET 功率
基于西門(mén)子S7-200的電動(dòng)窗控制系統(tǒng)
- 摘要：采用S7-200 PLC建立PPI網(wǎng)絡(luò)，并使用組態(tài)軟件組態(tài)王與PPI網(wǎng)絡(luò)中的主站進(jìn)行通信，實(shí)現(xiàn)對(duì)某大樓電動(dòng)窗進(jìn)行監(jiān)控的PLC分布式系統(tǒng)。從控制要求、硬件系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、編程和組態(tài)等方面對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行了詳細(xì)介紹。實(shí)踐表明：通過(guò)
- 關(guān)鍵字： 控制系統(tǒng) 電動(dòng) S7-200 西門(mén)子 基于
飛兆和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議
- 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
- 關(guān)鍵字： 飛兆半導(dǎo)體 英飛凌科技 MOSFET
飛兆與英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。 飛兆半導(dǎo)體PowerTrench非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET模塊是飛兆半導(dǎo)體全面廣泛的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分，為電源設(shè)計(jì)人員提供了適用于關(guān)鍵任務(wù)的高效信息處理設(shè)計(jì)的全面解決方案。 這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達(dá)成的協(xié)議的擴(kuò)展，旨在為客戶保證供
- 關(guān)鍵字： 飛兆 MOSFET
Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率
- Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過(guò)減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評(píng)級(jí)要求。 這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣，介于5V至25V之間，可由適配器的19V供電軌直接供電，并且在瞬態(tài)過(guò)壓狀態(tài)下，保證器件正常
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET 控制器
MOSFET控制器有助提升PSU效率
- Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過(guò)減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評(píng)級(jí)要求。
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET ZXGD3104N8
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