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          <label id="pryje"></label>
          


          
	
  	
          
	
          
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	s7 mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          IGBT和MOSFET器件的隔離驅動技術
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          Alpha MOS在PFC應用中的注意事項與設計要點
          
                                                            
            
                    	
          • Super-junction類型的高壓功率MOSFET具有更低的導通電阻，因此在通信電源，服務器電源，電源適配器以及臺式電腦電...
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        Super-junction  PFC  MOSFET                          
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          [組圖]800瓦MOSFET功放
          
                                                            
            
                    	
          • 800瓦MOSFET功放功放適合大功率的AV場合，看看參數(shù)吧：頻響寬度：10HZ--100KHZ失真度（8歐姆100W輸出時）：0 ...
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        MOSFET  功放                          
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          Diodes MOSFET使電源供應器超越“能源之星”效率目標
          
                                                            
            
                    	
          • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅動二極管。同時，ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗，以及逾87%的滿載效率。
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          • 關鍵字：
                        Diodes  控制器  MOSFET                          
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          功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機制及相應仿真模型的基礎上，研究了無緩沖層MOSFET準靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結構MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        二維數(shù)值  模擬  能力  SEB  MOSFET  功率                          
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          智能MOSFET提高醫(yī)療設計的可靠性同時提升性能
          
                                                            
            
                    	
          • 智能MOSFET提高醫(yī)療設計的可靠性同時提升性能,所有的醫(yī)療應用在要求高可靠性的同時仍然要為最終用戶提供所需的技術進步。由于各醫(yī)療設備公司間競爭激烈，他們的最終應用、功能急劇增加，但是沒有考慮到另外一個可能的失效點的影響。在所有這些點都需要電源，并且
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        MOSFET  醫(yī)療設計  可靠性  性能                            
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          S7－200和MM440在鋼絲/鋼管復繞生產線上的應用
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要在鋼絲/鋼管復繞生產線中，收線電機控制整線速度，排線電機自動跟蹤收線速度，放線電機控制張力。關鍵詞：收線 ...
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          • 關鍵字：
                        S7－200  MM440  生產線                          
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          羅姆推出高耐壓功率MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)面向太陽能發(fā)電的功率調節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
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          • 關鍵字：
                        羅姆  電阻  MOSFET                          
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          瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導體場效應晶體管(MOSFET)系列產品，包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級電池的充電控制開關和與AC適配器進行電源轉換的電源管理開關等用途進行最佳化的μPA2812T1L。

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          • 關鍵字：
                        瑞薩電子  MOSFET  μPA2812T1L                          
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          飛兆單一P溝道具有小體積和低導通阻抗
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機和其它超便攜應用的設計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開關解決方案的需求
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          • 關鍵字：
                        飛兆  MOSFET                          
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          電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原
          
                                                            
            
                    	
          •  電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數(shù)基本相等的脈沖響應以及
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        MOSFET  VP-P  120  電壓                            
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          高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        MOSFET  高頻特性  放大器電路  工作原理                            
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          現(xiàn)場總線技術在油庫監(jiān)控中的應用
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          集成MOSFET驅動器的全橋移相控制器-LM5046(五)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
            關鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能(上接第1
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          • 關鍵字：
                        控制器  -LM5046  全橋移  驅動器  MOSFET  集成                          
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          MOSFET的UIS和雪崩能量解析
          
                                                            
            
                    	
          • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中評
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        解析  能量  雪崩  UIS  MOSFET                          
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