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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> s7 mosfet

          采用開關器件提高PFC效率

          • 在CCMPFC中,通過改善MOSFET技術可以減少開關損耗,甚至可通過SiC技術改善升壓二極管來減少MOSFET的開關損...
          • 關鍵字: 開關  PFC  MOSFET  

          在SMPS應用中選擇IGBT和MOSFET的比較

          • 開關電源(SwitchModePowerSupply;SMPS)的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇,即開關管和整流...
          • 關鍵字: 開關電源  IGBT  MOSFET  

          多個S7-200在組合機床的聯(lián)網(wǎng)應用

          • 1引言根據(jù)工件加工的需要,以獨立的通用的部件為基礎,配以部分專用部件組成的專用機床,稱之為組...
          • 關鍵字: S7-200  組合機床  聯(lián)網(wǎng)  

          飛兆半導體在線設計和模擬工具

          • 當前,設計人員正面臨為各種應用產(chǎn)品的電源設計反激電路的挑戰(zhàn),現(xiàn)在找到能夠簡化工作的方法。全球領先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)發(fā)布一款易于使用、功能強大的在線仿真工具Power Supply WebDesigner (PSW),這款工具可讓設計人員無需應用指南,也可以像電源專家一樣進行“自動化設計”、優(yōu)化或“先進設計”。
          • 關鍵字: 飛兆  MOSFET  PSW  

          MAX5054-MAX5057雙、高速MOSFET驅(qū)動器

          • 概述  MAX5054-MAX5057雙、高速MOSFET驅(qū)動器可供出和吸收高達4A的峰值電流。這些器件具有20ns的快速傳輸 ...
          • 關鍵字: MAX5054  MAX5057  MOSFET  驅(qū)動器  

          大功率LED關鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

          • 超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關鍵材料之...
          • 關鍵字: LED  GaN  MOSFET  

          Vishay推出新款n溝道功率MOSFET

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的,分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對于軍工、航天和航空應用,這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導通電阻和快速開關的性能。
          • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

          理解功率 MOSFET 的電流

          • 通常,在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁,列出了連續(xù)漏極電流ID,脈沖漏極電流IDM,雪崩電流IAV的額定值,然后對于許多電子工程師來說,他們對于這些電流值的定義以及在實際的設計過程中,它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選
          • 關鍵字: 電流  MOSFET  功率  理解  

          國際整流器公司推出車用AUIRS2332J柵極驅(qū)動IC

          •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC,適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅(qū)動應用。   AUIRS2332J 高壓高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器具備三個獨立的高低側(cè)參考輸出通道。IR專有的 HVIC 技術使單片式結(jié)構(gòu)堅固耐用,而且其邏輯輸入與 CMOS 或 LSTTL 輸出相兼容,低至3.3V 邏輯。新器件還提供能通過外部電流感應電阻來進行橋電流模擬反饋的集成接地參考運算放大器
          • 關鍵字: 國際整流器公司  MOSFET  柵極驅(qū)動IC  

          集成高壓MOSFET可實現(xiàn)PFC的HiperPFS控制器芯片

          • 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品,一款 ...
          • 關鍵字: 集成高壓  MOSFET  PFC  控制器芯片  

          新型MOSFET滿足高速開關等三大關鍵性能

          • 現(xiàn)在人們關注“平板電視”和“太陽能電池”,這兩個領域都注重環(huán)保理念,需要進行低損耗、高效率的產(chǎn)品開發(fā)。 ...
          • 關鍵字: MOSFET  高速開關  

          Vishay Siliconix再次刷新MOSFET記錄

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%,而導通電阻則與之相當甚至更低。
          • 關鍵字: Vishay  MOSFET  Si8802DB  

          估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升—第1部分

          • 在本電源設計小貼士以及下次的小貼士中,我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將...
          • 關鍵字: MOSFET  瞬態(tài)溫升  

          Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術,具有超低柵極電荷,以及較低柵極電荷與導通電阻乘積,該乘積是衡量用在功率轉(zhuǎn)換應用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。    ?   與前一代S系列器件相比,新的
          • 關鍵字: Vishay Siliconix  MOSFET  

          滿足開關電源要求的功率MOSFET

          • 近年來,電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大(某些電源系統(tǒng)輸出幾十安培到上百安培)。因此,電源設計中采用...
          • 關鍵字: 開關電源  MOSFET  
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          s7 mosfet介紹

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