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s7 mosfet 文章進入s7 mosfet技術社區(qū)

S7-200簡單模擬量編程程序

S7-200簡單模擬量編程程序,TITLE=//子程序1：數(shù)據(jù)采集部份 //　　Network 1　　// // 初始化，采集模擬量輸入電壓信號 //　　LD SM0.0　　MOVW AIW0, VW40　　MOVW AIW8, VW50　　MOVW AIW16, VW60　　Network 2　　// // 模擬量信號校準，75為
關鍵字：程序編程模擬簡單 S7-200

Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機損耗

　　Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。　　
關鍵字： Diodes DMC4040SSD MOSFET

說出你的故事：中國IC設計及應用創(chuàng)新案例

　　現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認為，企業(yè)家的職能就是實現(xiàn)“創(chuàng)新”，引進生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創(chuàng)新催生利潤，因此“創(chuàng)新”一詞得到狂熱追捧，幾乎所有企業(yè)都在打出各式各樣的創(chuàng)新口號。　　不僅業(yè)內(nèi)企業(yè)在摸索和實踐著創(chuàng)新，作為“深圳(國際)集成電路技術創(chuàng)新與應用展覽會”的組織機構——深圳市半導體行業(yè)協(xié)會也在積極行動。他們在深入調(diào)研了
關鍵字： IC設計 MOSFET 音頻解碼器

飛兆半導體功率級非對稱雙MOSFET器件

電源工程師一直面對減小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負載點、服務器、游戲和電信應用中，上述兩點尤為重要。為了幫助設計人員應對這些挑戰(zhàn)，全球領先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊。
關鍵字：飛兆 MOSFET FDMS36xxS

IR推出新款PQFN 2mm x 2mm封裝

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務器和網(wǎng)絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案?！?/li>
關鍵字： IR PQFN MOSFET

IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場

全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務器和網(wǎng)絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
關鍵字： IR HEXFET MOSFET

2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。　　直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地數(shù)據(jù)處理、消費與通信領域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設計的功率半導體器件，主要用于電源與DC-DC轉換器中的低電壓開關?！?/li>
關鍵字： MOSFET DC-DC轉換器

同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設計過程的一個組
關鍵字： MOSFET 同步降壓電阻比

混合動力電動車應用中大功率器件的五大要素

盡管標準內(nèi)燃機驅(qū)動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應的12V/14V交流發(fā)電機獲取車載系統(tǒng)的電氣需...
關鍵字：混合動力電動車大功率器件 IGBT MOSFET

2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。　　直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地數(shù)據(jù)處理、消費與通信領域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設計的功率半導體器件，主要用于電源與DC-DC轉換器中的低電壓開關。　　去年功率MOSFET在中國市場強勁增長，可能主要歸功于中國政府的推動。為了鼓勵投資和刺激經(jīng)濟，中國政府推出了一系
關鍵字： MOSFET 無線通信

飛兆半導體推出60V PowerTrench MOSFET器件

　　DC-DC電源、馬達控制、熱插拔和負載開關應用，以及服務器的次級同步整流應用的設計人員，需要使用具有更低傳導損耗和開關損耗的MOSFET器件以期提高設計的效率。　　
關鍵字： Fairchild MOSFET

Vishay發(fā)布2011年“Super 12”特色產(chǎn)品

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，Vishay發(fā)布2011年的“Super 12”特色產(chǎn)品。這些元器件具有業(yè)界領先的規(guī)格標準，如導通電阻、導通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進行展示，是許多關鍵應用的上佳之選，也充分反映出Vishay產(chǎn)品線之豐富。　
關鍵字： Vishay MOSFET

恩智浦NextPower MOSFET具有行業(yè)最低RDS (on)

　　恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點，并且具有行業(yè)最低的RDS (on) (25V和30V均為亞1 mΩ級)，是高性能、高可靠性開關應用的理想之選。
關鍵字：恩智浦 MOSFET

英飛凌新一代高壓MOSFET設立能效新標準

　　英飛凌的最新一代高壓CoolMOS? MOSFET取得了又一項創(chuàng)新，設立了能效的新標準。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS? CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾(EMI)，提升產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。
關鍵字：英飛凌 MOSFET

Diodes推出超小型封裝的高性能MOSFET

　　Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結點至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256oC/W，在連續(xù)條件下功耗高達1.3W，而同類產(chǎn)品的功耗則多出一倍。　　
關鍵字： Diodes MOSFET

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