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si-cmos 文章 進(jìn)入si-cmos技術(shù)社區(qū)
2012年第四季度的緩解并未給半導(dǎo)體制造商帶來(lái)安慰
- 盡管在第四季度出現(xiàn)了高于預(yù)期的增長(zhǎng)，2012年對(duì)于半導(dǎo)體市場(chǎng)和供應(yīng)商來(lái)說(shuō)仍然是慘淡的一年，前25家芯片制造商中僅有8家勉強(qiáng)維持收入增長(zhǎng)——但是，9家芯片制造商遭受兩位數(shù)下滑。 根據(jù)信息及分析公司IHS(紐約證券交易所：IHS)的IHS iSuppli競(jìng)爭(zhēng)格局分析工具(CLT)的最終結(jié)果，與2011年相比，2012年的全球半導(dǎo)體收入下滑了2.2%。IHS在12月份發(fā)布的初步預(yù)測(cè)報(bào)告中預(yù)計(jì)下降2.3%。最終結(jié)果的適度改善來(lái)自第四季度的同比增長(zhǎng)，該增長(zhǎng)稍微高于預(yù)期，最高實(shí)現(xiàn)了2
- 關(guān)鍵字： LED CMOS
用先進(jìn)的負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器改善醫(yī)療成像質(zhì)量
- 傳統(tǒng)模擬 X 射線成像系統(tǒng)以專(zhuān)門(mén)的感光膠片為介質(zhì)，將通過(guò)的 X 射線轉(zhuǎn)變成可視圖像。為了完成這一任務(wù)，該膠片必須經(jīng)過(guò)一種化學(xué)顯影過(guò)程，這個(gè)過(guò)程可能需要幾分鐘，因此推遲了開(kāi)始對(duì)病人進(jìn)行治療的時(shí)間。此外，顯影過(guò)程完成以后，醫(yī)療團(tuán)隊(duì)可能會(huì)發(fā)現(xiàn)，由于 X 射線曝光不正確，該圖像需要重新攝取。
- 關(guān)鍵字： 凌力爾特 穩(wěn)壓器 CMOS
PIC單片機(jī)學(xué)習(xí)方法
- 為了給前一段時(shí)間學(xué)習(xí)PIC16F616型單片機(jī)的一個(gè)總結(jié)和方便大家的交流,我寫(xiě)了這篇關(guān)于PIC單片機(jī)的學(xué)習(xí)心得,都 ...
- 關(guān)鍵字： PIC單片機(jī) PIC16F616 CMOS
隔離技術(shù)與部件在醫(yī)療系統(tǒng)安全中的應(yīng)用
- 醫(yī)療領(lǐng)域與其它領(lǐng)域的區(qū)別在于隔離要求。隔離在這些醫(yī)療系統(tǒng)中起到關(guān)鍵作用，它必須是強(qiáng)健和可靠的，并且僅需較少空間和成本。然而隨著技術(shù)的發(fā)展，更小、更可靠和高性能隔離器件出現(xiàn)了，如單封裝、多通道數(shù)字隔離器、AC電流感應(yīng)器和隔離柵驅(qū)動(dòng)器。
- 關(guān)鍵字： 隔離器 醫(yī)療系統(tǒng) CMOS
GF推出強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程
- GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55納米(nm)低功耗強(qiáng)化型(LPe)制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化,推出具備ARM公司合格的下一代存儲(chǔ)器和邏輯IP解決方案的55nmLPe1V?！?5nmLPe1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM1.0/1.2V物理IP庫(kù)的強(qiáng)化型制程節(jié)點(diǎn)，使芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單一系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)中使用單一制程同時(shí)支持兩個(gè)工作電壓。 GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)副總裁BruceKleinman表示：“‘55n
- 關(guān)鍵字： GF CMOS
寬動(dòng)態(tài)監(jiān)控?cái)z像機(jī)CCD/CMOS-DSP解析
- 寬動(dòng)態(tài)監(jiān)控?cái)z像機(jī)CCD/CMOS-DSP解析,寬動(dòng)態(tài)攝像機(jī)到現(xiàn)在為止，究竟經(jīng)歷了幾代，沒(méi)能講得清楚。就技術(shù)而言，不算背光補(bǔ)償技術(shù)，寬動(dòng)態(tài)現(xiàn)有二種重要實(shí)現(xiàn)方式：CCD+DSP技術(shù)和CMOS+DPS技術(shù)。CCD+DSP技術(shù)：DSP芯片是一種特殊的微處理器，根據(jù)數(shù)字信號(hào)處理理論
- 關(guān)鍵字： 解析 CCD/CMOS-DSP 攝像機(jī) 監(jiān)控 動(dòng)態(tài)
GLOBALFOUNDRIES推出強(qiáng)化型55納米CMOS邏輯制程
- GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強(qiáng)化型 (LPe)制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲(chǔ)器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫(kù)的強(qiáng)化型制程節(jié)點(diǎn)，使芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單一系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)中使用單一制程同時(shí)支持兩個(gè)工作電壓。 GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)副總裁Bruce Kleinman表示：&ldqu
- 關(guān)鍵字： GLOBALFOUNDRIES CMOS 55nm
嵌入式CMOS成像器用于全息數(shù)據(jù)檢索
- 過(guò)去，由于缺乏低成本系統(tǒng)部件，或因全息多路技術(shù)過(guò)于復(fù)雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品的開(kāi)...
- 關(guān)鍵字： CMOS 成像器 全息數(shù)據(jù)檢索
IDT推出首款高性能四頻MEMS振蕩器
- 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業(yè)界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)兼容封裝尺寸內(nèi)的可配置輸出，從而節(jié)省通信、網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)、工業(yè)和FPGA等應(yīng)用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
- 關(guān)鍵字： IDT MEMS振蕩器 CMOS
聯(lián)發(fā)科技與OmniVision攜手推出手機(jī)參考設(shè)計(jì)
- 全球無(wú)線通訊及數(shù)字多媒體IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 (MediaTek, Inc.) ，日前宣布與CMOS影像傳感器領(lǐng)先品牌美國(guó)豪威科技股份有限公司(OmniVision Technologies, Inc.)合作，于其最新雙核及四核智能手機(jī)解決方案打造帶有畫(huà)中畫(huà)、影中影 (Video-in-Video ; ViV?) 相機(jī)功能的手機(jī)參考設(shè)計(jì)。
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)發(fā) 豪威 智能手機(jī) CMOS
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