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ST:發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈
- 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出,由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標(biāo)。 意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來說,如果能將電力利用效率提升1%,就能節(jié)省95.
- 關(guān)鍵字: ST GaN SiC
環(huán)旭電子預(yù)計在2022量產(chǎn)電動車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊
- 搭配電動車市場的快速成長,近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試,近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞,預(yù)計在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys的報告指出,2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛,與去年同期相比大幅成長160%,成長率遠(yuǎn)高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求,其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
- 關(guān)鍵字: 環(huán)旭電子 電動車用逆變器 IGBT SiC 電源模塊
環(huán)旭電子預(yù)計2022量產(chǎn)電動車用逆變器用IGBT與SiC電源模塊
- 搭配電動車市場的快速成長,近年環(huán)旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試,近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞,預(yù)計在2022正式量產(chǎn)電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Canalys的報告指出,2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛,與去年同期相比大幅成長160%,成長率遠(yuǎn)高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關(guān)鍵功率半導(dǎo)體組件和模塊需求,其中第三代半導(dǎo)體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的專家Nexperia,今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管,正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應(yīng)商Nexperia而言是一項戰(zhàn)略性舉措,旨在擴(kuò)展高壓寬禁帶半導(dǎo)體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件,重復(fù)反向峰值電壓為650V(VRRM),持續(xù)正向電流為10A(IF),旨在為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用實現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝,使該系列
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Qorvo?收購領(lǐng)先的碳化硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?,Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今天宣布,已收購位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司。對UnitedSiC的收購擴(kuò)大了Qorvo在快速增長的電動汽車(EV)、工業(yè)電源、電路保護(hù)、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源市場的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎(chǔ)設(shè)施和國防產(chǎn)品(IDP)業(yè)務(wù)之一,將由Chris Dries博士領(lǐng)導(dǎo),他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執(zhí)行官,現(xiàn)任Qorv
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恩智浦利用信號質(zhì)量提升技術(shù)解決CAN FD帶寬限制難題
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布其CAN信號質(zhì)量提升(SIC)技術(shù)已用于TJA146x收發(fā)器系列中,并已經(jīng)成功應(yīng)用到長安汽車最新的平臺中。恩智浦的CAN SIC技術(shù)有效提升了CAN信號質(zhì)量,使CAN FD網(wǎng)絡(luò)能夠在更大型復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)中運行,實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速率。這項經(jīng)濟(jì)高效的技術(shù)能夠擴(kuò)展CAN FD的潛力和靈活性,從而應(yīng)對下一代汽車的網(wǎng)絡(luò)挑戰(zhàn)。中國汽車制造商長安汽車是第一家在生產(chǎn)中采用恩智浦的CAN SIC技術(shù)的汽車客戶。●? ?長安汽車成為第一家采
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碳化硅在新能源汽車中的應(yīng)用現(xiàn)狀與導(dǎo)入路徑
- 碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等特點,可以很好地滿足新能源汽車電動化發(fā)展趨勢,引領(lǐng)和加速了汽車電動化進(jìn)程,對新能源汽車發(fā)展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導(dǎo)入期到產(chǎn)業(yè)成長期過渡的關(guān)鍵階段,汽車產(chǎn)銷量、保有量連續(xù)6年居世界首位,在全球產(chǎn)業(yè)體系當(dāng)中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,極大地推動了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新,為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 新能源汽車 功率半導(dǎo)體 202110 MOSFET SiC
意法半導(dǎo)體收購Norstel AB 強(qiáng)化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈
- 近年隨著電動汽車產(chǎn)業(yè)崛起,碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體市場需求激增,吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注,國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發(fā)驅(qū)使SiC爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比,碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap,Eg)的半導(dǎo)體;再者,碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field,Ec),因此可被用于制造功率組件應(yīng)用之電子電路的材料,因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經(jīng)受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
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鄭有炓院士:第三代半導(dǎo)體迎來新發(fā)展機(jī)遇
- 半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)的核心基礎(chǔ)材料,一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè),半個多世紀(jì)來從基礎(chǔ)技術(shù)層面支撐了信息技術(shù)翻天覆地的變化,推動了電子信息科技產(chǎn)業(yè)可持續(xù)蓬勃發(fā)展。同樣地,信息技術(shù)和電子信息科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求又驅(qū)動了半導(dǎo)體材料與技術(shù)的發(fā)展。第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用第三代半導(dǎo)體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,它是繼20世紀(jì)50年代以Ge、Si為代表的第一代半導(dǎo)體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導(dǎo)體之后于90年代發(fā)展起來的新型寬禁帶半導(dǎo)體材料,即禁帶寬度明顯大于Si(1.12 eV)和Ga
- 關(guān)鍵字: 第三代半導(dǎo)體 SiC
汽車電氣化的部分關(guān)鍵技術(shù)及ST的解決方案
- 1? ?汽車電氣化的趨勢和挑戰(zhàn)汽車市場中與電氣化相關(guān)的應(yīng)用是減少交通碳排放影響的關(guān)鍵因素。中國領(lǐng)導(dǎo)人在2020年9 月提出中國要在2030年碳達(dá)峰,2060 年實現(xiàn)碳中和的目標(biāo)。為了實現(xiàn)碳中和,減少能源使用中的碳排放是其中的重要一環(huán)。電能是清潔、高效的能源品種,用電能作為主要的能源消耗可以大幅減少碳排放。同時也要發(fā)展低排放的清潔能源作為主要發(fā)電的能源。中國交通運輸行業(yè)碳排放占比達(dá)10%,而公路運輸占其中的74%,主要來自燃油車的排放。因此,發(fā)展電動汽車并逐漸從燃油車過渡到電動汽車對減少
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清潔安全的汽車將由功能電子化和自動駕駛賦能
- 未來的汽車將是清潔和安全的汽車,由先進(jìn)的汽車功能電子化和自動駕駛技術(shù)賦能。安森美半導(dǎo)體汽車戰(zhàn)略及業(yè)務(wù)拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動汽車電動車可幫助實現(xiàn)零排放,其市場發(fā)展是令人興奮和充滿生機(jī)的,隨著電動車銷售不斷增長,必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施,以提供一個快速充電站網(wǎng)絡(luò),使他們能夠快速完成行程,而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展,需要超過350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點,緊湊
- 關(guān)鍵字: 202108 SiC 汽車 OBC
安森美半導(dǎo)體:為關(guān)鍵應(yīng)用推出系列綠色解決方案
- 1? ?關(guān)注關(guān)鍵應(yīng)用的節(jié)能減排安森美半導(dǎo)體提供所有應(yīng)用的電力電子解決方案,也專注于一些關(guān)鍵應(yīng)用,包括能源基礎(chǔ)設(shè)施(太陽能轉(zhuǎn)換、儲能、電動車充電站/ 樁)、工業(yè)、云計算和5G 基礎(chǔ)設(shè)施。這些市場都有其獨特的技術(shù)挑戰(zhàn)。這些挑戰(zhàn)由相同因素的不同組合驅(qū)動:提高能效、減小尺寸和質(zhì)量以及優(yōu)化系統(tǒng)成本或擁有成本。例如太陽能轉(zhuǎn)換,從集中式逆變器到組串式逆變器的轉(zhuǎn)變消除了逆變器的單點故障風(fēng)險。如果一個組串式逆變器停止工作,仍可用其他組串來發(fā)電。它還有個額外的好處,就是能對較少量的面板進(jìn)行最大功率點追蹤。
- 關(guān)鍵字: 202107 SiC
采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效
- 圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率,但是主流半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過,SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計師必須竭力滿足許多要求,包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權(quán)衡取舍,一個好例子是既要求達(dá)到服務(wù)器電源的“鈦”標(biāo)準(zhǔn)等能效目標(biāo),又要用功率因素校正(PFC)將線路諧波發(fā)射保持在低水平,以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下,會通過升壓轉(zhuǎn)換器部分實施PFC,升壓轉(zhuǎn)換器會將整流后
- 關(guān)鍵字: SiC FET PFC
SiC大戰(zhàn)拉開帷幕,中國勝算幾何
- 近些年,隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長,碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增,因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用進(jìn)一步成熟的趨勢下,SiC的爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴,目前,襯底成本大約是加工晶片的50%,外延片是25%,器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%,封裝測試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴,生產(chǎn)工藝還復(fù)雜,與硅相比,碳化硅很難處理、研磨和鋸切,挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應(yīng)商購買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
- 關(guān)鍵字: SiC 功率半導(dǎo)體
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