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ST進(jìn)軍工業(yè)市場(chǎng)，打造豐富多彩的工業(yè)樂園

近日，意法半導(dǎo)體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部區(qū)域營(yíng)銷和應(yīng)用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場(chǎng)的特點(diǎn)，并介紹了ST的產(chǎn)品線寬泛且通用性強(qiáng)，能夠提供完整系統(tǒng)的支持。1 芯片廠商如何應(yīng)對(duì)工業(yè)市場(chǎng)少量多樣的挑戰(zhàn)工業(yè)領(lǐng)域呈現(xiàn)多樣、少量的特點(diǎn)，需要改變消費(fèi)類電子大規(guī)模生產(chǎn)的模式，實(shí)現(xiàn)少量、高質(zhì)量的生產(chǎn)。具體地，工業(yè)的一大挑戰(zhàn)是應(yīng)用的多樣化，即一個(gè)大應(yīng)用下面通常有很多小的子應(yīng)用，所以產(chǎn)品會(huì)非標(biāo)準(zhǔn)化，即一個(gè)產(chǎn)品只能針對(duì)某一類小應(yīng)用/小客戶的需
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ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動(dòng)汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。另外，羅姆也已開始供應(yīng)SiC MOSFET評(píng)估板“P02SCT304
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科銳宣布與德爾?？萍奸_展汽車SiC器件合作

近日，科銳宣布與德爾?？萍迹―elphi Technologies PLC）開展汽車碳化硅（SiC）器件合作。
關(guān)鍵字：科銳德爾?？萍?/a> SiC

SiC: 為何被稱為是新一代功率半導(dǎo)體？

　　王?瑩?（《電子產(chǎn)品世界》編輯，北京?100036）　　SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢(shì)。據(jù)SiC廠商羅姆基于IHS的調(diào)查顯示，2025年整個(gè)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約23億美元。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì)得到更多的應(yīng)用?！　〔贿^，制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì)相應(yīng)地下降，羅姆等公司已經(jīng)有6英
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SiC將達(dá)23億美元規(guī)模，技術(shù)精進(jìn)是主攻方向

? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢(shì)。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì)得到更多的應(yīng)用。? ? ? 不過，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)，一個(gè)是襯底，一個(gè)是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì)相應(yīng)地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠商競(jìng)爭(zhēng)
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對(duì)更高功率密度的需求推動(dòng)電動(dòng)工具創(chuàng)新解決方案

電動(dòng)工具中直流電機(jī)的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ８鶕?jù)雙向開關(guān)的使用與否實(shí)現(xiàn)一個(gè)或兩個(gè)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個(gè)半橋或至少六個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管（FET），因此從有刷電流轉(zhuǎn)向無刷電流意味著全球電動(dòng)工具FET總區(qū)域市場(chǎng)增長(zhǎng)了3到6倍（見圖1）。圖1：從有刷拓?fù)滢D(zhuǎn)換到無刷拓?fù)湟馕吨鳩ET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增但BLDC設(shè)計(jì)在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如，若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增
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SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個(gè)機(jī)型，產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個(gè)機(jī)型，該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個(gè)機(jī)型。　　ROHM于2010年在全球率先成功實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動(dòng)領(lǐng)先的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴(kuò)大的車載市場(chǎng)，ROHM也及時(shí)確立車載品質(zhì)，并于2012年開始供應(yīng)車載充電器用的SiC肖特
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安森美半導(dǎo)體將在APEC 2019演示用先進(jìn)云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案

　　2019年3月14日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，將在美國(guó)加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發(fā)平臺(tái)支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡(jiǎn)易評(píng)估應(yīng)用廣泛的電源方案，使用戶能在一個(gè)具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍，且在采購(gòu)硬件和完成設(shè)計(jì)之前對(duì)系統(tǒng)性能有信心?！　trata Developer S
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集邦咨詢：需求持續(xù)擴(kuò)張，2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾2,900億元

　　Mar. 7, 2019 ---- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢?cè)谧钚隆吨袊?guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)了2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場(chǎng)規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長(zhǎng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長(zhǎng)8%?！　〖钭稍兎治鰩熤x瑞峰指出，功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動(dòng)型的產(chǎn)業(yè)，2019年
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碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
關(guān)鍵字：碳化硅(SiC)MOSFET 短路熱模型

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，可最大程度提高效率及安全性

　　深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動(dòng)級(jí)。新品件經(jīng)過設(shè)定后可支持不同的門極驅(qū)動(dòng)電壓，來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動(dòng)器、電焊機(jī)和電源?！　IC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
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SiC市場(chǎng)趨勢(shì)及應(yīng)用動(dòng)向

介紹了SiC的市場(chǎng)動(dòng)向，SiC市場(chǎng)不斷擴(kuò)大的原因，SiC技術(shù)及解決方案的突破，以及羅姆公司在SiC方面的特點(diǎn)。
關(guān)鍵字： SiC 市場(chǎng) 應(yīng)用汽車 201903

ST將收購(gòu)Norstel 55％股權(quán)，擴(kuò)大SiC器件供應(yīng)鏈

意法半導(dǎo)體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商N(yùn)orstel AB公司簽署協(xié)議，收購(gòu)后者55%股權(quán)。Norstel公司于2005年從Link?ping大學(xué)分拆出來，開發(fā)和生產(chǎn)150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示，在交易完成之后，它將在全球產(chǎn)能受限的情況下控制部分SiC器件的整個(gè)供應(yīng)鏈，并為自己帶來一個(gè)重要的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。
關(guān)鍵字： ST Norstel SiC

第三代半導(dǎo)體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)？

　　目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高，它們?cè)谖磥淼拇蠊β?、高溫、高壓?yīng)用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實(shí)現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景?！　∪欢?，SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來?！　?shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
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看看國(guó)外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)

　　每年十二月，在美國(guó)舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會(huì)議。此會(huì)議作為一個(gè)論壇，在其中報(bào)告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個(gè)會(huì)會(huì)議就是IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議(International Electron Devices Meeting，縮寫：IEDM)　　在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會(huì)聚集在一起討論納米級(jí)CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內(nèi)存、顯示、感測(cè)器、微機(jī)電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級(jí)規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
關(guān)鍵字： DRAM GAA-FET