sic fet 文章 進入sic fet技術社區(qū)
電動汽車和光伏逆變器的下一項關鍵技術
- 圖1 半導體對許多新興綠色科技至關重要毋庸置疑，從社會發(fā)展的角度，我們必須轉向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術的轉變也帶來了一系列技術挑戰(zhàn)。無論是生產(chǎn)要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對于電動汽車（EV）和太陽能電池板等應用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環(huán)境中持續(xù)可靠地運
- 關鍵字： 電動汽車 光伏逆變器 SiC
瞻芯電子：第三代SiC MOSFET通過車規(guī)認證
- 6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認證。同時，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)，后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領域的高科技芯片公司，致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
- 關鍵字： 瞻芯電子 SiC MOSFET 車規(guī)認證
2023年SiC功率元件營收排名，ST以32.6%市占率穩(wěn)居第一
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動汽車應用的驅動下保持強勁成長，前五大SiC功率元件供應商約占整體營收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續(xù)領先，onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢分析，2024年來自AI服務器等領域的需求則顯著大增，然而，純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應鏈，預計2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。作為關鍵的車用SiC MOSFE
- 關鍵字： SiC 功率元件 ST
碳化硅的新爆發(fā)
- 隨著全球對于電動汽車接納程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未來十年將會迎來全新的增長契機。預計將來，功率半導體的生產(chǎn)商與汽車行業(yè)的運作方會更踴躍地參與到這一領域的價值鏈建設里。SiC 作為第三代半導體以其優(yōu)越的性能，在今年再次掀起風潮。6 英寸到 8 英寸的過渡推動由于截至 2024 年開放 SiC 晶圓市場缺乏批量出貨，因此 8 英寸 SiC 平臺被認為具有戰(zhàn)略性意義。SiC 具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度和高遷移率等特點，是良好的半導體材料，目前已經(jīng)在汽車電子、工業(yè)半導體等領域有
- 關鍵字： SiC
純電車需求放緩 SiC功率組件業(yè)年營收動能降溫
- 在純電動汽車應用的驅動下，根據(jù)TrendForce研究顯示，2023年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)保持強勁成長，但2024年純電動汽車銷量成長速度的明顯放緩與工業(yè)需求走弱，預估今年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)營收年成長幅度將較過去幾年顯著收斂。根據(jù)TrendForce研究顯示，2023年全球前5大SiC功率組件供貨商約占整體營收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續(xù)領先，onsemi則是由2022年的第4名上升至第2名。 TrendForce表示，作為關鍵的車用SiC MOSFET供貨商，ST正在意大利卡塔尼亞打
- 關鍵字： 純電車 SiC 功率組件 TrendForce
GaN“上車”進程加速，車用功率器件市場格局將改寫
- 根據(jù)Yole機構2024 Q1的預測，氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場2023至2029年平均復合年增長 (CAGR) 將高于45%，其中表現(xiàn)最為搶眼的是汽車與出行市場（automotive & mobility），“從無到有”，五年后即有望占據(jù)三分之一的GaN應用市場（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應用市場成長則顯得比較溫和，CAGR遠低于GaN（圖1）。隨著GaN“上車”進程加速，功率器件器件市場競爭格局或將被改寫。圖1：在GaN市場份額變化中，汽車與出行市場 “從無到有”，五年后
- 關鍵字： GaN 車用功率器件 Transphorm SiC
一文了解SiC MOS的應用
- 作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調(diào)、新能
- 關鍵字： SiC MOS 碳化硅 MOSFET
低導通電阻SiC器件在大電流高功率應用中的優(yōu)越性
- 眾所周知，SiC作為一種性能優(yōu)異的第三代半導體材料，因其高擊穿場強、寬禁帶寬度、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特性可以輔助電子器件更好地在高溫、高壓、高頻應用中使用，可有效突破傳統(tǒng)Si基半導體材料的物理極限。目前使用最廣泛的SiC開關器件是SiC MOSFET，與傳統(tǒng)Si IGBT相比，SiC材料的優(yōu)異性能配合MOSFET單極開關的特點可以在大功率應用中實現(xiàn)高頻、高效、高能量密度、低成本的目標，從而推動電力電子系統(tǒng)的發(fā)展。圖1: 碳化硅器件應用范圍示意圖1圖2: 典型應用場景對應的功率等級2從技術上講，
- 關鍵字： 低導通電阻 SiC 大電流 高功率
設計基于SiC的電動汽車直流快速充電機
- 電動汽車（EV）直流快速充電機繞過安裝在電動汽車上的車載充電機，直接為電池提供快速直流充電。如下圖所示，直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成：圖 1. 直流快速充電機由一級 AC-DC 和一級 DC-DC 組成在優(yōu)化系統(tǒng)效率的同時最大限度縮短充電時間是直流快速充電機的主要關注點。在設計此類系統(tǒng)時，必須考慮器件選型、電壓范圍和負載要求、運行成本、溫度、堅固性和環(huán)境保護，以及可靠性。相比傳統(tǒng)硅（Si）和 IGBT 器件，基于碳化硅（SiC）的器件由于具有工作溫度更高、導通損耗更小、漏電流
- 關鍵字： SiC 電動汽車 直流快速充電機 Wolfspeed
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項，您知道嗎？
- 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點介紹M3S產(chǎn)品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
- 關鍵字： SiC MOSFET RSP
解決補能焦慮，安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布
- 800V車型刷屏，高壓SiC車載應用加速普及。實際上，近期有越來越多的國內(nèi)外車企開始加速800V電壓架構車型的量產(chǎn)，多款20-25萬元價格段的標配SiC車型上市。2024年，隨著車企卷價格卷性能戰(zhàn)略推進，將進一步拉動SiC滲透。SiC迎來800V高壓平臺風口◆ 800V架構成為電動汽車主流電動化進程持續(xù)推進，安森美（onsemi）電源方案事業(yè)部汽車主驅方案部門產(chǎn)品總監(jiān)Jonathan Liao指出預計到2030年將有1.5億輛新能源汽車駛上道路。但從消費者角度看購買電動車的兩大顧慮是續(xù)航里程和充電便利性
- 關鍵字： SiC 逆變器 功率模塊
優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長設備通過技術鑒定
- 6月7日，蘇州優(yōu)晶半導體科技股份有限公司（以下簡稱“優(yōu)晶科技”）宣布8英寸電阻法SiC單晶生長設備獲行業(yè)專家認可，成功通過技術鑒定評審。鑒定委員會認為，優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC晶體生長設備及工藝成果技術難度大，創(chuàng)新性強，突破了國內(nèi)大尺寸晶體生長技術瓶頸，擁有自主知識產(chǎn)權，經(jīng)濟效益顯著。資料顯示，優(yōu)晶科技成立于2010年12月，專注于大尺寸（6英寸及以上）導電型SiC晶體生長設備研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。該公司于2019年成功研制出6英寸電阻法SiC單晶生長設備，經(jīng)持續(xù)工藝優(yōu)化，目前已推出至第四代機型——UKIN
- 關鍵字： 優(yōu)晶科技 8英寸 SiC 單晶生長設備
恩智浦與采埃孚合作開發(fā)基于SiC的牽引逆變器
- 6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導體）在官網(wǎng)披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動汽車（EV）開發(fā)基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅動器，該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應用。據(jù)介紹，GD316x產(chǎn)品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長電動汽車的續(xù)航里程、減少充電停車次數(shù)、同時降低OEM廠商的系統(tǒng)級成本。據(jù)了解，牽引逆變器是電動汽車電力傳動系統(tǒng)的
- 關鍵字： 恩智浦 SiC 逆變器
sic fet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic fet的理解，并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic fet的理解，并與今后在此搜索sic fet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
sic fet相關帖子
sic fet資料下載
sic fet專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473