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          技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(二)

          • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時,可使用“FZ(floatingzone)法”及“EFG(edge-definedfilm-fed...
          • 關(guān)鍵字: 氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED  

          技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(一)

          • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機源...
          • 關(guān)鍵字: SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻  

          采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號采集

          • 采用IMEC的SiC技術(shù)完成生物電信號采集,人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域,人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何將他們的體積
          • 關(guān)鍵字: IMEC  SiC  生物電信號采集    

          世界首家“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn)

          • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC(Silicon Carbide:碳化硅)構(gòu)成。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  半導(dǎo)體  SiC  

          用SiC撬動新能源、汽車電子新興市場

          • 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點,SiC功率器件被廣泛應(yīng)用于電動汽車/混合動力車中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域以及太陽能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域,很多半導(dǎo)體廠商都看好SiC技術(shù)的未來,并積極投身其中,在08年收購生產(chǎn)SiC晶圓的德國SiCrystal公司之后,羅姆半導(dǎo)體(ROHM)已經(jīng)在SiC領(lǐng)域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系,并率先市場SiC器件的量產(chǎn),羅姆要將SiC器件應(yīng)用于哪些新興領(lǐng)域?如何發(fā)揮其
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  太陽能  SiC  

          瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件

          • 全球領(lǐng)先的高級半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復(fù)合功率器件,它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管,組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調(diào))、PC服務(wù)器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩電子  功率器件  SiC  

          科銳推出芯片型碳化硅功率器件

          • 碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)先者科銳公司將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件??其J碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路,與傳統(tǒng)硅器件相比,可實現(xiàn)更高的能源效率。
          • 關(guān)鍵字: 科銳  SiC  MOSFET  

          羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

          • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設(shè)備,與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計,由于最大限度地利用了SiC器件的特點,從而大幅改善了電氣特性、機械特性,同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  MOS  

          羅姆開發(fā)出世界首家壓鑄模類型SiC功率模塊

          • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動,開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂,世界首家實現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作,并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實現(xiàn)小型和低成本封裝,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  

          羅姆半導(dǎo)體: “四大戰(zhàn)略”迸發(fā)強勁動力

          • 據(jù)羅姆中國營業(yè)本部村井美裕介紹,面對未來的50年,羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  LED  

          富士電機擬擴增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線

          •   富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線,未來預(yù)計在2012年春季開始量產(chǎn)。   
          • 關(guān)鍵字: 富士電機  SiC  

          SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計分析

          • 引言  隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展, 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅( SiC) , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  分析  模塊  功率放大器  寬帶  SiC  

          SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: SiC  寬帶功率放大器  模塊設(shè)計  放大電路  

          利用SiC大幅實現(xiàn)小型化 安川電機試制新型EV行駛系統(tǒng)

          • 安川電機試制出了利用SiC功率元件的電動汽車(EV)行駛系統(tǒng)(圖1)。該系統(tǒng)由行駛馬達(dá)及馬達(dá)的驅(qū)動部構(gòu)成。通過...
          • 關(guān)鍵字: 安川電機  EV行駛系統(tǒng)  SiC  

          市調(diào)公司Semico調(diào)整ASIC市場

          •   在由Xilinx主辦的會議上市調(diào)公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關(guān)全球ASIC市場的報告。Semico對于傳統(tǒng)的ASIC市場將只有低增長的預(yù)測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動聯(lián)結(jié)等日益增長的需求推動下將有大的發(fā)展。  
          • 關(guān)鍵字: Xilinx  Semico  SIC  
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