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          工業(yè)設備輔助電源驅動用的SiC電源解決方案

          •   前言  包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉換系統(tǒng),需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統(tǒng)正常運行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優(yōu)勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案?! ⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET  圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下,MOSFET的最高耐壓
          • 關鍵字: SiC,MOSFET  

          我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實現(xiàn)新突破

          •   6月5日,在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi),100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行,SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。  中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說:“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪,正好咱們自己能生產(chǎn)了?!薄 iC單晶是第三代半導體材料,以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性, 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料,是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓
          • 關鍵字: SiC  

          我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實現(xiàn)新突破

          •   6月5日,在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi),100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行,SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長?! ≈袊娍贫谝皇聵I(yè)部主任李斌說:“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪,正好咱們自己能生產(chǎn)了?!薄 iC單晶是第三代半導體材料,以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性, 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料,是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓
          • 關鍵字: SiC  

          安森美半導體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴苛的汽車應用

          •   推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴展系列,包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應用所需的可靠性和強固性,以及等同于寬禁隙(WBG)技術的眾多性能優(yōu)勢?! iC技術提供比硅器件更佳的開關性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復電流,開關性能與溫度無關。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI),減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使SiC
          • 關鍵字: 安森美  SiC  

          美高森美繼續(xù)擴大碳化硅產(chǎn)品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件

          •   致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品,及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展,在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
          • 關鍵字: 美高森美  SiC  

          ROHM集團Apollo筑后工廠將投建新廠房, 以強化SiC功率元器件的產(chǎn)能

          •   全球知名半導體制造商ROHM為加強需求日益擴大的SiC功率元器件的生產(chǎn)能力,決定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)的筑后工廠投建新廠房?! ⌒聫S房為地上3層建筑,總建筑面積約11,000㎡?,F(xiàn)在,具體設計工作正在有條不紊地進行,預計將于2019年動工,于2020年竣工?! OHM自2010年開始量產(chǎn)SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來,于世界首家量產(chǎn)“全SiC”功率模塊和溝槽結構SiC-MOSFET,不斷進行著領先業(yè)界的技
          • 關鍵字: ROHM  SiC  

          ROHM炫動慕展,為汽車車載帶來一大波方案

          •   ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海電子展",并占據(jù)館內(nèi)的入口人氣位置,以炫動的賽車和動感十足的汽車產(chǎn)品,吸引觀眾的眼球。那么,這次ROHM重點帶來了什么汽車新品?  據(jù)悉,此次展會圍繞“汽車電子”和“工業(yè)設備”,重點展示了功率電源產(chǎn)品及解決方案?! D:ROHM展臺設在展館入口處,動感賽車吸引眼球  賽車性能突破極限,因為有SiC  視頻上吸睛的車隊是文圖瑞電動方程式車隊?(Venturi?Formula?E?Team)?,RO
          • 關鍵字: ROHM  SiC  

          SiC和GaN產(chǎn)品市場趨勢及力特提供的產(chǎn)品

          • 硅半導體器件在過去數(shù)十年間長期占據(jù)著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位,它鑄就了電子世界的核心,覆蓋我們?nèi)粘I钪械慕^大部分應用。寬禁帶電子器件,以碳化硅和氮化鎵的形式,因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術無法克服的優(yōu)勢正在日益普及。
          • 關鍵字: 力特,SiC,GaN  

          新一代功率器件動向:SiC和GaN

          • 更為嚴格的行業(yè)標準和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關鍵驅動因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求,其耗電量約占全球總電力供應量(+ 400TWh)的3%,也占總溫室氣體排放量的2%,與航空業(yè)的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下,各地政府正加緊實施更嚴格的標準和新的法規(guī),以確保所有依賴能源的產(chǎn)品必須達到最高能效。
          • 關鍵字: 安森美,SiC,GaN  

          新一代功率器件及電源管理IC的發(fā)展概況

          • 介紹了包括SiC、GaN在內(nèi)的新一代功率器件,面向工業(yè)和汽車的新型功率模塊,可穿戴設備的電源管理IC的發(fā)展概況及相關新技術和熱門產(chǎn)品。
          • 關鍵字: SiC  GaN  電源管理  201804  

          新發(fā)現(xiàn)!SiC可用于安全量子通信

          •   使用單光子作為量子位的載體可以在量子數(shù)據(jù)傳輸期間實現(xiàn)可靠的安全性。研究人員發(fā)現(xiàn),目前可以通過某現(xiàn)有材料建立一個系統(tǒng),能在常溫條件下可靠地產(chǎn)生單光子。   來自莫斯科物理技術學院(MIPT)的一個研究小組展示通過使用基于碳化硅(SiC)光電子半導體材料的單光子發(fā)射二極管,每秒可以發(fā)射多達數(shù)十億個光子。研究人員進一步表明,SiC色心的電致發(fā)光可用于將無條件的安全量子通信線路中的數(shù)據(jù)傳輸速率提高到1Gbps以上。   量子密碼術與傳統(tǒng)的加密算法不同,它依賴于物理定律。在不改變原始信息的情況下,是無法
          • 關鍵字: SiC  量子通信  

          受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場前景向好

          •   相較目前主流的硅晶圓(Si),第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外,也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢,不僅可使芯片面積可大幅減少,并能簡化周邊電路的設計,達到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計,2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。        此外,除了輕化車輛設計之外,因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性,也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失,兩者對于電動車續(xù)航力的提升有相當?shù)膸椭?。因此?/li>
          • 關鍵字: SiC  GaN  

          ROHM攜汽車電子及工業(yè)設備市場產(chǎn)品強勢登陸“2018慕尼黑上海電子展”

          •   全球知名半導體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"?!  澳侥岷谏虾k娮诱?不僅是亞洲領先的電子行業(yè)展覽,還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業(yè)設備”為軸,為大家呈現(xiàn)包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動設備”在內(nèi)的5大解決方案展區(qū),囊括了業(yè)界領先的強大產(chǎn)品陣容。另外,為此
          • 關鍵字: ROHM  SiC  

          慕展:功率電子、微波通信、阻容感、材料、結構件領域的最新產(chǎn)品 都在世強

          •   慕尼黑上海電子展舉辦,作為亞洲第一電子大展,展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學習。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商,則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結構件、阻容感、材料、測試測量等九大領域的最新產(chǎn)品及方案亮相?! {借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示,以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示,世強元件電商吸引了大批工程師
          • 關鍵字: SiC  GaN  

          5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件

          •   據(jù)麥姆斯咨詢報道,一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導體器件在關鍵行業(yè)的應用,化合物半導體正在強勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網(wǎng)絡協(xié)議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實(AR/VR)。這些應用正在推動3D傳感的應用,提高功率模塊效率和更高頻率的通信應用。所有這些新發(fā)展背后的關鍵器件都是由化合物半導體制造而成??其J(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告,還僅僅是化合物半導體應用的冰山一角。   我們
          • 關鍵字: 5G  SiC  
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