3. 

        <meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>
          


          
	
  	
          
	
          
		首頁　 
		資訊　 
		商機 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會展　 
		EETV　 
		百科 　
		問答　 
		電路圖　 
		工程師手冊 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請
	
          




          
	EEPW首頁 >> 
	主題列表 >> 
	sic-mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          SiC和GaN的應用優(yōu)勢與技術挑戰(zhàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 1? ?SiC和GaN應用及優(yōu)勢我們對汽車、工業(yè)、數據中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續(xù)航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率?！? ?數據中心：SiC 和GaN 可用于數據中心電源，以提高效率并降低運營成本。●? ?可再生能
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        202310  SiC  GaN  安世半導體                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          SiC和GaN的技術應用挑戰(zhàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅動損耗和更高的開關速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉換器、大功率太陽能發(fā)電站和大型三相電網變流器等應用。SiC 進入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        202310  納芯微  SiC  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          為敏感電路提供過壓及電源反接保護！
          
                                                            
            
                    	
          • 假如有人將24V電源連接到您的12V電路上，將發(fā)生什么？倘若電源線和接地線因疏忽而反接，電路還能安然無恙嗎？您的應用電路是否工作于那種輸入電源會瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴酷環(huán)境中?即使此類事件的發(fā)生概率很低，但只要出現任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負電源電壓，設計人員慣常的做法是布設一個與電源相串聯的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級空間，又會在高負載電流下消耗大量的功率?！?P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯二極管，但 MOSFET 以及所需的
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        MOSFET  二極管  LTC4365                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          東芝在SiC和GaN的技術產品創(chuàng)新
          
                                                            
            
                    	
          • 1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關器件。此外，SiC 的導熱系數大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        202310  東芝  SiC  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          ST在SiC和GaN的發(fā)展簡況
          
                                                            
            
                    	
          • ST（ 意法半導體） 關注電動汽車、充電基礎設施、可再生能源和工業(yè)應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實現能效和功率密度更高的產品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開關管用于開發(fā)超快速充電和高頻功率轉換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開關和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        202310  意法半導體  SiC  GaN                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進在汽車和工業(yè)中的應用
          
                                                            
            
                    	
          • 1 SiC的應用優(yōu)勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質因數（FoM）和低反向恢復電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應用，尤其是高壓大電流等應用場景，主驅逆變器采用SiC，可提升系統(tǒng)的效率，進而使得在相同的電池容量下里程數得以提升。OBC（車載充電機）采用SiC，可實現更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800 V 高壓系統(tǒng)發(fā)展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢將更能體現。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業(yè)群先進電源
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        202310  SiC  安森美                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          從國際龍頭企業(yè)布局看SiC產業(yè)發(fā)展趨勢
          
                                                            
            
                    	
          • 碳化硅（SiC）具有高擊穿場強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網、軌道交通等應用需求，對我國“新基建”產業(yè)發(fā)展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當下我國應該集中優(yōu)勢資源重點發(fā)展。
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        ?202310  碳化硅  SiC  襯底  8英寸  擴產                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          圖騰柱無橋PFC與SiC相結合，共同提高電源密度和效率
          
                                                            
            
                    	
          • 效率和尺寸是電源設計的兩個主要考慮因素，而功率因數校正 (PFC)也在變得越來越重要。為了減少無功功率引起的電力線諧波含量和損耗，盡可能降低電源運行時對交流電源基礎設施的影響，需要使用 PFC。但要設計出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰(zhàn)性。本文介紹了如何通過修改傳統(tǒng) PFC 拓撲結構來更好地實現這一目標。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級，由四個整流器二極管和一個升壓二極管組成。圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級圖騰柱無橋拓撲結構還有一種提高
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        安森美  PFC  SiC  電源密度                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          采用SiC提高住宅太陽能系統(tǒng)性能
          
                                                            
            
                    	
          • 預計在未來五年，住宅太陽能系統(tǒng)的數量將大幅增長。太陽能系統(tǒng)能為家庭提供清潔和綠色的能源，用于為家用電器供電，為電動汽車充電，甚至將多余的電力輸送至電網。有了太陽能系統(tǒng)，即使發(fā)生電網故障，也不用擔心。本篇博客介紹了住宅太陽能系統(tǒng)的主要組成部分，并建議采用安森美 (onsemi) 的電源方案方案來提高太陽能系統(tǒng)的效率、可靠性和成本優(yōu)勢。住宅太陽能逆變器系統(tǒng)概述住宅太陽能逆變器系統(tǒng)中包括了產生可變直流電壓的光伏面板陣列。升壓轉換器使用“最大功率點跟蹤”(MPPT) 方法（根據陽光的強度和方向優(yōu)化能量采集），將可
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        SiC  太陽能系統(tǒng)                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          杰平方半導體宣布啟動香港首間碳化硅（SiC）先進垂直整合晶圓廠項目
          
                                                            
            
                    	
          • 由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進重點企業(yè)辦公室共同推動，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產業(yè)的發(fā)展。香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng)科發(fā)展藍圖》中，明確指出應加強支持具策略性的先進制造產業(yè)發(fā)展，譬如半導體芯片，促進香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導體進出口市場之一，香港更是位處大
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        香港科技園公司  杰平方半導體  碳化硅  SiC  垂直整合晶圓廠                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          新增SiC和IGBT模型,羅姆官網可提供超過3,500種LTspice模型
          
                                                            
            
                    	
          • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）擴大了支持電路仿真工具*1 LTspice? 的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能，可以提前確認和驗證電路是否按設計預期工作。此前羅姆已經陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經提供超過3,500 種分立產品的LTspice?模型，這些模型從各產品頁面均可下載。目前，羅姆官網上發(fā)布的產品所對應的LTspice?模型覆蓋率
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        SiC  IGBT模型  羅姆  LTspice模型                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          基于ST CCM PFC L4986A 設計的1KW 雙BOOST PFC電源方案
          
                                                            
            
                    	
          • L4986簡介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專有的乘法器“模擬器”，除了創(chuàng)新型THD優(yōu)化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V
 高壓啟動功能，無需使用傳統(tǒng)的放電電阻?？梢灾С值墓β史秶鷱囊粌砂偻叩綆浊?。 ST 提供兩個版本：A為65 kHz，B為130 
kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡介：Double-boost 是無橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著提
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        ST  SIC  第三代半導體  CCM PFC  4986  電動工具  割草機  雙boost  double boost  無橋PFC                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)
          
                                                            
            
                    	
          • Littelfuse擁有廣泛的產品系列、具有競爭力的產品性能和先進的技術，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse擁有廣泛的產品系列、具有競爭力的產品性能和先進的技術，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        Littelfuse  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          適用于熱插拔應用的具有導通電阻的高效 MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進一步損壞電子設備。熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進一步損壞電子設備。簡介熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產生較大的
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        MOSFET  導通電阻                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅動IC 應用于工業(yè)馬達控制器
          
                                                            
            
                    	
          • 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內部電流隔離的高電流單通道驅動器，專為高功率應用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設計。其特性包括互補的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時的軟關斷以及獨立的高低驅動器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設計及開發(fā)。       NCD57000 可在輸入側提供 5
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        NCD57000  驅動器  IGBT  MOSFET  onsemi  馬達控制                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
	共1632條
	12/109		|‹
			«
																																																																																																																	10																11																12																13																14																15																16																17																18																19																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																					»
			›|
		
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          sic-mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic-mosfet!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic-mosfet的理解，并與今后在此搜索sic-mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
          
       	          						樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
        		關于我們 - 
        		廣告服務 - 
        		企業(yè)會員服務 - 
        		網站地圖 - 
        		聯系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機EEPW
        		
          
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          
        		《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
          
      			備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473
      		
          
    	
          
  	





          




          



看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人

(function(){
    var bp = document.createElement('script');
    var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0];
    if (curProtocol === 'https') {
        bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js';
    }
    else {
        bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js';
    }
    var s = document.getElementsByTagName("script")[0];
    s.parentNode.insertBefore(bp, s);
})();