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sic-mosfet 文章進入sic-mosfet技術社區(qū)

在光伏逆變器中運用SiC BJT實現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本

最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產(chǎn)出一款可實現(xiàn)更高功率密度、更低系統(tǒng)成本且設計更簡易的...
關鍵字：光伏逆變器 SiC BJT

網(wǎng)絡化智能調(diào)光LED隧道照明系統(tǒng)

摘要：本課題的主要研究內(nèi)容是根據(jù)《公路隧道通風照明設計規(guī)范》要求研究設計了網(wǎng)絡化智能調(diào)光LED隧道燈控制系統(tǒng)。
關鍵字：智能調(diào)光 LED 隧道照明光耦 MOSFET 201312

高功率LED照明驅(qū)動應用的新方法

摘要：傳統(tǒng)高功率LED驅(qū)動電源大多采用直流并聯(lián)LED的方式工作，成本低，容易實現(xiàn)，但目前高亮度LED消耗的電流可達350mA甚至更高，因此傳統(tǒng)方法的損耗極大，效率低;本文提出了一種串聯(lián)輸入多并聯(lián)驅(qū)動電源的實現(xiàn)方法，具有高性價比，輸出電流大，失真度低，且具有優(yōu)異的串電流調(diào)節(jié)功能等優(yōu)點。
關鍵字： LED 照明驅(qū)動 DC/DC SIMPLE MOSFET 201312

東芝電子攜“智慧社區(qū)”亮相第十五屆高交會

2013年11月22日，日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，在第十五屆中國國際高新技術成果交易會(簡稱高交會)電子展上圍繞“智慧與科技的雙贏，盡在東芝智能社區(qū)”這一主題，重點展示了面向移動終端、家用電器、汽車電子、工業(yè)電子以及存儲等五大應用領域的創(chuàng)新技術與解決方案。
關鍵字：東芝存儲卡 MOSFET

針對IGBT和MOSFET可再生能源應用的驅(qū)動器設計

引言對電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中，開關型功率轉(zhuǎn)換...
關鍵字： IGBT MOSFET

通過基片薄型化降低導通電阻漸成趨勢

　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發(fā)。　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
關鍵字：三菱電機 SiC

MOS管驅(qū)動電路總結

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關鍵字： MOS管驅(qū)動電路 MOSFET 導通特性 AN799

把握LED設計關鍵實現(xiàn)情調(diào)照明

一、LED的出現(xiàn)打破了傳統(tǒng)光源的設計方法與思路，目前有兩種最新的設計理念。1.情景照明:是2008年由飛...
關鍵字： LED MOSFET

淺析MOSFET的UIS及雪崩能量

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工...
關鍵字： MOSFET 電源設計

SiC二極管通過基片薄型化降低導通電阻

　　通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。　　目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發(fā)。　　比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
關鍵字： SiC 二極管

Power Integrations的高頻率雙管正激IC可大幅降低系統(tǒng)成本和尺寸

用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領導者 Power Integrations公司(納斯達克股票代號：POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過20個元件，從而減小外形尺寸并提高功率密度。
關鍵字： Power MOSFET HiperTFS-2

飛兆集成式智能功率級(SPS)模塊具有更高的功率密度和更佳的效率

在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統(tǒng)供電應用中，提高效率和功率密度是設計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。
關鍵字：飛兆 MOSFET SPS 驅(qū)動器

新日本無線新推出粗銅線絲焊類型的音頻SiC-SBD

新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專長于高速開關動作，再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術，能夠?qū)崿F(xiàn)高音質(zhì)音響效果。
關鍵字：新日本無線 SiC-SBD MUSES

德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導通電阻

日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業(yè)界最小型低導通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導通電阻。
關鍵字： TI MOSFET 導通電阻

怎么能使Simulink的仿真速度更快?

現(xiàn)在的專業(yè)軟件都是越做越大，功能成倍成倍地增加，而處理的對象也是越來越復雜，特別是使用一些仿真軟件在高精度下建模仿真的時候，因為PC上硬件的發(fā)展速度慢于軟件功能復雜化的速度，就造成了我們的仿真看起來是越跑越慢了。
關鍵字： Simulink 仿真速度操作系統(tǒng) MOSFET

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