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EiceDRIVERTM 系列新品：1EDI Compact驅(qū)動(dòng)器
- 2013年12月4日，英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國柜臺(tái)交易市場(chǎng)股票代碼：IFNNY)宣布，在今年的電氣自動(dòng)化系統(tǒng)及元器件(SPS IPC Drives)貿(mào)易展上，英飛凌科技股份有限公司推出針對(duì)絕緣電壓高達(dá)1200伏的應(yīng)用的1EDI EiceDRIVERTM Compact單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 驅(qū)動(dòng)器 IGBT MOSFET
高功率LED照明驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的新方法
- 摘要：傳統(tǒng)高功率LED驅(qū)動(dòng)電源大多采用直流并聯(lián)LED的方式工作，成本低，容易實(shí)現(xiàn)，但目前高亮度LED消耗的電流可達(dá)350mA甚至更高，因此傳統(tǒng)方法的損耗極大，效率低;本文提出了一種串聯(lián)輸入多并聯(lián)驅(qū)動(dòng)電源的實(shí)現(xiàn)方法，具有高性價(jià)比，輸出電流大，失真度低，且具有優(yōu)異的串電流調(diào)節(jié)功能等優(yōu)點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： LED 照明驅(qū)動(dòng) DC/DC SIMPLE MOSFET 201312
通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻漸成趨勢(shì)
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
- 關(guān)鍵字： 三菱電機(jī) SiC
MOS管驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： MOS管 驅(qū)動(dòng)電路 MOSFET 導(dǎo)通特性 AN799
淺析MOSFET的UIS及雪崩能量
- 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源設(shè)計(jì)
SiC二極管 通過基片薄型化降低導(dǎo)通電阻
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導(dǎo)通電阻的研發(fā)日趨活躍。這一趨勢(shì)在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產(chǎn)品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產(chǎn)品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導(dǎo)通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。 目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產(chǎn)品也要達(dá)到230μm左右。為了進(jìn)一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關(guān)研發(fā)。 比如，羅姆通過研磨等工序?qū)iC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢(shì)壘二極管
- 關(guān)鍵字： SiC 二極管
Power Integrations的高頻率雙管正激IC可大幅降低系統(tǒng)成本和尺寸
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者 Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時(shí)集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過20個(gè)元件，從而減小外形尺寸并提高功率密度。
- 關(guān)鍵字： Power MOSFET HiperTFS-2
飛兆集成式智能功率級(jí)(SPS)模塊具有更高的功率密度和更佳的效率
- 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計(jì)人員面臨的重大挑戰(zhàn)。
- 關(guān)鍵字： 飛兆 MOSFET SPS 驅(qū)動(dòng)器
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