sic-sbd 文章 進(jìn)入sic-sbd技術(shù)社區(qū)
低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)最高功率密度
- 相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體?！ “采腊雽?dǎo)體擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計(jì)用于太陽能光伏逆變器、電動(dòng)車/混和動(dòng)力電動(dòng)車(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，往往面對在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
- 關(guān)鍵字： 肖特基二極，SiC
工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動(dòng)用的SiC電源解決方案
- 前言 包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動(dòng)裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，需要柵極驅(qū)動(dòng)器、微控制器、顯示器、傳感器及風(fēng)扇來使系統(tǒng)正常運(yùn)行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設(shè)備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢且設(shè)計(jì)簡單、性價(jià)比高的電源解決方案?！ ⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET 圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
- 關(guān)鍵字： SiC，MOSFET
我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破
- 6月5日，在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺設(shè)備里“奮力”生長?！ ≈袊娍贫谝皇聵I(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了?！薄 iC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓
- 關(guān)鍵字： SiC
我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破
- 6月5日，在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺設(shè)備里“奮力”生長?！ ≈袊娍贫谝皇聵I(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了?！薄 iC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓
- 關(guān)鍵字： SiC
安森美半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用
- 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的可靠性和強(qiáng)固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢?！ iC技術(shù)提供比硅器件更佳的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復(fù)電流，開關(guān)性能與溫度無關(guān)。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI)，減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使SiC
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC
美高森美繼續(xù)擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件
- 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應(yīng)的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展臺展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
- 關(guān)鍵字： 美高森美 SiC
ROHM集團(tuán)Apollo筑后工廠將投建新廠房, 以強(qiáng)化SiC功率元器件的產(chǎn)能
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM為加強(qiáng)需求日益擴(kuò)大的SiC功率元器件的生產(chǎn)能力，決定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)的筑后工廠投建新廠房?！ ⌒聫S房為地上3層建筑，總建筑面積約11,000㎡?，F(xiàn)在，具體設(shè)計(jì)工作正在有條不紊地進(jìn)行，預(yù)計(jì)將于2019年動(dòng)工，于2020年竣工。 ROHM自2010年開始量產(chǎn)SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來，于世界首家量產(chǎn)“全SiC”功率模塊和溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET，不斷進(jìn)行著領(lǐng)先業(yè)界的技
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
ROHM炫動(dòng)慕展，為汽車車載帶來一大波方案
- ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海電子展"，并占據(jù)館內(nèi)的入口人氣位置，以炫動(dòng)的賽車和動(dòng)感十足的汽車產(chǎn)品，吸引觀眾的眼球。那么，這次ROHM重點(diǎn)帶來了什么汽車新品? 據(jù)悉，此次展會圍繞“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”，重點(diǎn)展示了功率電源產(chǎn)品及解決方案?！ D：ROHM展臺設(shè)在展館入口處，動(dòng)感賽車吸引眼球 賽車性能突破極限，因?yàn)橛蠸iC 視頻上吸睛的車隊(duì)是文圖瑞電動(dòng)方程式車隊(duì)?(Venturi?Formula?E?Team)?，RO
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
SiC和GaN產(chǎn)品市場趨勢及力特提供的產(chǎn)品
- 硅半導(dǎo)體器件在過去數(shù)十年間長期占據(jù)著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位，它鑄就了電子世界的核心，覆蓋我們?nèi)粘Ｉ钪械慕^大部分應(yīng)用。寬禁帶電子器件，以碳化硅和氮化鎵的形式，因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術(shù)無法克服的優(yōu)勢正在日益普及。
- 關(guān)鍵字： 力特，SiC，GaN
新一代功率器件動(dòng)向：SiC和GaN
- 更為嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量（+ 400TWh）的3％，也占總溫室氣體排放量的2％，與航空業(yè)的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下，各地政府正加緊實(shí)施更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)和新的法規(guī)，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品必須達(dá)到最高能效。
- 關(guān)鍵字： 安森美，SiC，GaN
新發(fā)現(xiàn)！SiC可用于安全量子通信
- 使用單光子作為量子位的載體可以在量子數(shù)據(jù)傳輸期間實(shí)現(xiàn)可靠的安全性。研究人員發(fā)現(xiàn)，目前可以通過某現(xiàn)有材料建立一個(gè)系統(tǒng)，能在常溫條件下可靠地產(chǎn)生單光子。 來自莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)的一個(gè)研究小組展示通過使用基于碳化硅(SiC)光電子半導(dǎo)體材料的單光子發(fā)射二極管，每秒可以發(fā)射多達(dá)數(shù)十億個(gè)光子。研究人員進(jìn)一步表明，SiC色心的電致發(fā)光可用于將無條件的安全量子通信線路中的數(shù)據(jù)傳輸速率提高到1Gbps以上。 量子密碼術(shù)與傳統(tǒng)的加密算法不同，它依賴于物理定律。在不改變原始信息的情況下，是無法
- 關(guān)鍵字： SiC 量子通信
受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場前景向好
- 相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設(shè)計(jì)，達(dá)到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。 此外，除了輕化車輛設(shè)計(jì)之外，因第三代半導(dǎo)體的低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的能源轉(zhuǎn)換損失，兩者對于電動(dòng)車?yán)m(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭?。因此?/li>
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
ROHM攜汽車電子及工業(yè)設(shè)備市場產(chǎn)品強(qiáng)勢登陸“2018慕尼黑上海電子展”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"?！ 澳侥岷谏虾ｋ娮诱?不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”為軸，為大家呈現(xiàn)包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動(dòng)設(shè)備”在內(nèi)的5大解決方案展區(qū)，囊括了業(yè)界領(lǐng)先的強(qiáng)大產(chǎn)品陣容。另外，為此
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品 都在世強(qiáng)
- 慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學(xué)習(xí)。而全球先進(jìn)的元件分銷商——世強(qiáng)元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動(dòng)化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?！ {借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍(lán)牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示，世強(qiáng)元件電商吸引了大批工程師
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
sic-sbd介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic-sbd!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic-sbd的理解，并與今后在此搜索sic-sbd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic-sbd的理解，并與今后在此搜索sic-sbd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
sic-sbd電路
sic-sbd相關(guān)帖子
sic-sbd資料下載
sic-sbd專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473