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          羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

          • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設(shè)備,與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計(jì),由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn),從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性,同時實(shí)現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  MOS  

          羅姆開發(fā)出世界首家壓鑄模類型SiC功率模塊

          • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動,開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂,世界首家實(shí)現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作,并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實(shí)現(xiàn)小型和低成本封裝,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  

          羅姆半導(dǎo)體: “四大戰(zhàn)略”迸發(fā)強(qiáng)勁動力

          • 據(jù)羅姆中國營業(yè)本部村井美裕介紹,面對未來的50年,羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC  LED  

          富士電機(jī)擬擴(kuò)增SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)線

          •   富士電機(jī)計(jì)劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導(dǎo)體,并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線,此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線,未來預(yù)計(jì)在2012年春季開始量產(chǎn)。   
          • 關(guān)鍵字: 富士電機(jī)  SiC  

          SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)分析

          • 引言  隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展, 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅( SiC) , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  分析  模塊  功率放大器  寬帶  SiC  

          SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計(jì)

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: SiC  寬帶功率放大器  模塊設(shè)計(jì)  放大電路  

          利用SiC大幅實(shí)現(xiàn)小型化 安川電機(jī)試制新型EV行駛系統(tǒng)

          • 安川電機(jī)試制出了利用SiC功率元件的電動汽車(EV)行駛系統(tǒng)(圖1)。該系統(tǒng)由行駛馬達(dá)及馬達(dá)的驅(qū)動部構(gòu)成。通過...
          • 關(guān)鍵字: 安川電機(jī)  EV行駛系統(tǒng)  SiC  

          市調(diào)公司Semico調(diào)整ASIC市場

          •   在由Xilinx主辦的會議上市調(diào)公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關(guān)全球ASIC市場的報(bào)告。Semico對于傳統(tǒng)的ASIC市場將只有低增長的預(yù)測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動聯(lián)結(jié)等日益增長的需求推動下將有大的發(fā)展?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: Xilinx  Semico  SIC  

          英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管

          •   英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能,而且采用全隔離封裝,無需使用隔離套管和隔離膜,使安裝更加簡易、可靠。   獨(dú)具特色的是,新的TO220 FullPAK器件的內(nèi)部結(jié)到散熱器的熱阻與標(biāo)準(zhǔn)非隔離TO-220器件類似。這要?dú)w功于英飛凌已獲得專利的擴(kuò)散焊接工藝,該技術(shù)大大降低了內(nèi)部芯片到管腳的熱阻,有效地彌補(bǔ)了FullPAK內(nèi)部隔離層的散
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  肖特基二極管  SiC  

          即將普及的碳化硅器件

          •   隨綠色經(jīng)濟(jì)的興起,節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中,人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題,電能消耗約占人類總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。   據(jù)統(tǒng)計(jì),60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的,而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅(qū)動。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件,也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。   在這種情況下,性能遠(yuǎn)優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
          • 關(guān)鍵字: 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  

          SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

          • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC,研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內(nèi)增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
          • 關(guān)鍵字: MMIC  SiC  GaN  襯底    

          SiC二極管逆變器投入應(yīng)用,讓燃料電池車更輕

          •   日產(chǎn)汽車開發(fā)出了采用SiC二極管的汽車逆變器。日產(chǎn)已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車“X-TRAIL FCV”上,并開始行駛實(shí)驗(yàn)。通過把二極管材料由原來的Si變更為SiC,今后有望實(shí)現(xiàn)逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動汽車而言,逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。   SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導(dǎo)體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場比Si大1位數(shù)左右,理論上SiC導(dǎo)通電阻可比Si減小2位數(shù)以上。原因是導(dǎo)通電阻與絕緣破壞電場3次方成反比。導(dǎo)通電阻小,因此可
          • 關(guān)鍵字: 二極管  SiC  汽車  逆變器  日產(chǎn)  

          探討基于SiC集成技術(shù)的生物電信號采集方案

          •   人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域,人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個不小的挑戰(zhàn)。本文介紹采用IMEC的SiC技術(shù),它的開發(fā)重點(diǎn)是進(jìn)一步縮小集成后的EEG系統(tǒng)體積以及將低功耗處理技術(shù)、無線通信技術(shù)和能量提取技術(shù)整合起來,在已有系統(tǒng)上增加一個帶太陽能電池和能量存儲電路的額外堆疊層,這樣就能構(gòu)成一套完全獨(dú)立的生物電信號采集方案。   
          • 關(guān)鍵字: SiC  EEG  生物電信號采集  IMEC  

          車載SiC功率半導(dǎo)體前景光明 逆變器大幅實(shí)現(xiàn)小型化及低成本化

          •   豐田汽車在“ICSCRM 2007”展會第一天的主題演講中,談到了對應(yīng)用于車載的SiC功率半導(dǎo)體的期待。為了在“本世紀(jì)10年代”將其嵌入到混合動力車等所采用的馬達(dá)控制用逆變器中,“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導(dǎo)體,將有助于逆變器大幅實(shí)現(xiàn)小型化及低成本化。   在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用是許多SiC半導(dǎo)體廠商瞄準(zhǔn)的目標(biāo),但多數(shù)看法認(rèn)為,就元器件的成本、性能及可靠性而言,比起在產(chǎn)業(yè)設(shè)備以及民用設(shè)備上配備,在汽車上配備的障礙更大。該公司雖然沒有透露計(jì)劃采用SiC半導(dǎo)體的日期,但表示“到本世紀(jì)10年代前
          • 關(guān)鍵字: 汽車電子  豐田  SiC  半導(dǎo)體  汽車電子  

          京大等三家開發(fā)成功SiC外延膜量產(chǎn)技術(shù)

          •    京都大學(xué)、東京電子、羅姆等宣布,使用“量產(chǎn)型SiC(碳化硅)外延膜生長試制裝置”,確立對SiC晶圓進(jìn)行大批量統(tǒng)一處理的技術(shù)已經(jīng)有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導(dǎo)熱系數(shù)等特征的功率半導(dǎo)體朝著實(shí)用化邁出了一大步。目前,三家已經(jīng)開始使用該裝置進(jìn)行功率半導(dǎo)體的試制,面向混合動力車的馬達(dá)控制用半導(dǎo)體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途,“各廠商供應(yīng)工程樣品,并獲得了好評”。      此次開發(fā)的是SiC外延生長薄膜的量產(chǎn)技術(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  京大  SiC  外延膜  消費(fèi)電子  
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