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5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件

　　據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，一些非常重要的市場(chǎng)趨勢(shì)正在推動(dòng)化合物半導(dǎo)體器件在關(guān)鍵行業(yè)的應(yīng)用，化合物半導(dǎo)體正在強(qiáng)勢(shì)回歸。這些趨勢(shì)主要包括第五代(5G)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議、無(wú)人駕駛和自動(dòng)汽車(chē)、交通電氣化、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和虛擬現(xiàn)實(shí)(AR/VR)。這些應(yīng)用正在推動(dòng)3D傳感的應(yīng)用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應(yīng)用。所有這些新發(fā)展背后的關(guān)鍵器件都是由化合物半導(dǎo)體制造而成。科銳(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關(guān)于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導(dǎo)體應(yīng)用的冰山一角。　　我們
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ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅(qū)動(dòng)器板加快產(chǎn)品上市時(shí)間

　　Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場(chǎng)首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評(píng)估板，在200kHz開(kāi)關(guān)頻率時(shí)該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設(shè)計(jì)旨在提高設(shè)計(jì)可靠性，同時(shí)減少創(chuàng)建額外原型的需求，為電源轉(zhuǎn)換和儲(chǔ)能客戶節(jié)省時(shí)間、降低成本并縮短上市時(shí)間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國(guó)得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會(huì)上展示該評(píng)估
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安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本

　　推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體?(ON?Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開(kāi)關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實(shí)現(xiàn)器件并聯(lián)?！　“采腊雽?dǎo)體最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
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納微半導(dǎo)體將在中國(guó)臺(tái)灣的電源設(shè)計(jì)技術(shù)論壇活動(dòng)上

　　納微 (Navitas)半導(dǎo)體宣布其現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用及技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)黃萬(wàn)年將在2018年1月30日于中國(guó)臺(tái)北舉辦的“2018前瞻電源設(shè)計(jì)與功率組件技術(shù)論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實(shí)現(xiàn)下一代電源適配器設(shè)計(jì)”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內(nèi)首個(gè)及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見(jiàn)解。納微是這項(xiàng)活動(dòng)的銀級(jí)贊助商，該活動(dòng)為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個(gè)交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專(zhuān)業(yè)知識(shí)。　　黃萬(wàn)年
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ROHM贊助上海同濟(jì)大學(xué)“DIAN Racing”電動(dòng)方程式車(chē)隊(duì)

　　近年來(lái)，出于地球溫室化對(duì)策和減少空氣污染的考慮，對(duì)汽車(chē)的環(huán)保性能要求越來(lái)越高。世界各國(guó)均已制定了新能源汽車(chē)的開(kāi)發(fā)和引進(jìn)計(jì)劃，未來(lái)新能源汽車(chē)的普及將會(huì)進(jìn)一步加速。其中，中國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)發(fā)展勢(shì)頭最為迅猛。隨著中國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)的迅速壯大和新能源汽車(chē)技術(shù)的快速發(fā)展，越來(lái)越多的中國(guó)新能源汽車(chē)品牌開(kāi)始走出國(guó)門(mén)，投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車(chē)市場(chǎng)。　　作為全球知名半導(dǎo)體制造商， ROHM一直以來(lái)都將汽車(chē)市場(chǎng)為主要目標(biāo)領(lǐng)域，通過(guò)開(kāi)發(fā)并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿足最新汽車(chē)電子化需求的創(chuàng)新型高
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電動(dòng)汽車(chē)打開(kāi)應(yīng)用窗口：SiC產(chǎn)品要來(lái)了！

隨著技術(shù)的不斷更新?lián)Q代，以及電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的巨大助力，SiC產(chǎn)品有望迎來(lái)快速增長(zhǎng)期。
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我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破

　　近日，863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過(guò)了技術(shù)驗(yàn)收。　　通常，國(guó)際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱(chēng)之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢(shì)，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對(duì)設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場(chǎng)分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 SiC

在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

　　摘要　　本文評(píng)測(cè)了主開(kāi)關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測(cè)試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開(kāi)關(guān)管提升了開(kāi)關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對(duì)市場(chǎng)上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì)影響較大。　　前言　　市場(chǎng)對(duì)開(kāi)關(guān)速度、功率、機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限。　　寬帶隙半導(dǎo)體器件因電、熱、機(jī)械等各項(xiàng)性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認(rèn)為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅
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制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開(kāi)始

　　接近62%的能源被白白浪費(fèi) 　　美國(guó)制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱(chēng)為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國(guó)制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說(shuō)，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車(chē)減重設(shè)計(jì)，本身也是為了降低能源消耗的問(wèn)題。在美國(guó)第二個(gè)創(chuàng)新研究院“美國(guó)電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問(wèn)題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng)新中心。　　　　圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
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ROHM SiC在汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用

近年來(lái)，SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對(duì)產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻(xiàn)，在新能源汽車(chē)、城市基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源，以及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比，SiC產(chǎn)品憑借更低的開(kāi)關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)設(shè)備中冷卻機(jī)構(gòu)的小型化。同時(shí)，通過(guò)更高頻率的開(kāi)關(guān)動(dòng)作，還可實(shí)現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化。可見(jiàn)，SiC是可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)設(shè)備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
關(guān)鍵字： ROHM SiC 汽車(chē)

走過(guò)疑慮 SiC器件終迎春天

在經(jīng)過(guò)多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來(lái)了春天。
關(guān)鍵字： SiC Cree

1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，要進(jìn)行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能之外，還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃裕约白銐虻拈撝惦妷汉鸵詰?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
關(guān)鍵字：電源轉(zhuǎn)換器 SiC MOSFET 逆變器 201707

SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案設(shè)計(jì)

人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開(kāi)發(fā)無(wú)線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無(wú)線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了.
關(guān)鍵字： SiC 集成技術(shù) 生物電信號(hào) 采集方案

基于SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案

人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開(kāi)發(fā)無(wú)線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無(wú)線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何
關(guān)鍵字： EEG SiC 生物電信號(hào)采集 IMEC

第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
關(guān)鍵字： GaN SiC 第三代半導(dǎo)體材料