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          ROHM（羅姆）舉辦“2015 ROHM科技展”　將于全國5個城市巡回展出
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　全球知名半導體制造商ROHM于今年夏季將分別在成都(06/12)、長沙(06/26)、蘇州(07/10)、青島(07/ 24)、哈爾濱(08/07)等5個城市隆重推出“2015 ROHM科技展”巡展活動。在展示ROHM最新產(chǎn)品和技術的同時，還包括了由半導體業(yè)界專家和ROHM工程師帶來的主題演講，獲得了眾多工程師的盛情參與。
　　“2015 ROHM科技展”以“羅姆對智能生活的貢獻”為主題，從應用層面出發(fā)，介紹功率電子、傳感器網(wǎng)絡
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          • 關鍵字：
                        ROHM  SiC                          
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          SiC功率器件的技術市場走勢
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要：探討了SiC的技術特點及其市場與應用。
　　近期，全球知名半導體制造商ROHM在清華大學內(nèi)舉辦了以“SiC功率元器件技術動向和ROHM的SiC功率元器件產(chǎn)品”為主題的交流學習會。此次交流學習會上，ROHM在對比各種功率器件的基礎上，對SiC元器件的市場采用情況和發(fā)展趨勢做了分析，并對ROHM的SiC產(chǎn)品陣容、開發(fā)以及市場情況做了詳盡的介紹。
　　各種功率器件的比較
　　功率元器件主要用于轉換電源，包括四大類：逆變器、轉換器(整流器)、直流斬波器DC/DC轉換器、矩陣
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          • 關鍵字：
                        SiC  功率器件  ROHM  IGBT  201503                          
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          LED襯底第三代半導體SiC技術的崛起
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　第一代半導體材料Si點燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群，促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生，95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。
　　

 
　　目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當今社會發(fā)展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
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          • 關鍵字：
                        LED  SiC  MOSFET                          
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          ROHM：國際半導體巨頭的“小”追求和“低”要求
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　近年來，隨著柔性屏幕、觸控技術和全息技術在消費電子領域的應用日益廣泛，智能手機、平板電腦等智能終端功能越來越多樣化。加上可穿戴設備的興起、汽車電子的發(fā)展、通信設備的微型化，設備內(nèi)部印制電路板所需搭載的半導體器件數(shù)大幅提升，而在性能不斷提升的同時，質(zhì)量和厚度卻要求輕便、超薄。有限的物理空間加上大量的器件需求，對電子元器件的小型化、薄型化以及高精度、高可靠性提出了更高的要求，各個領域元器件小型化的需求日益高漲。小型化不僅是過去幾年的發(fā)展方向，也是將來的趨勢。
　　談到元器件的小型化，我們就不得不提為此作
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          • 關鍵字：
                        ROHM  半導體  SiC                          
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          SiC功率半導體將在2016年形成市場 成為新一輪趨勢
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調(diào)查結果。

　　全球功率半導體市場規(guī)模的推移變化和預測(出處：矢野經(jīng)濟研究所)
　　2013年全球功率半導體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩(wěn)步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。
　　預計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設備領域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場規(guī)
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          • 關鍵字：
                        SiC  功率半導體                          
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          SiC對醫(yī)療設備電源為最佳選擇，三菱電機展示高頻功率模塊
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三菱電機開發(fā)出了支持50kHz左右高頻開關動作的工業(yè)設備用混合SiC功率半導體模塊，并在7月23～25日舉辦的“日本尖端技術展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)，從2014年5月開始樣品供貨。

　　據(jù)介紹，新產(chǎn)品可用于光伏發(fā)電用逆變器等多種工業(yè)設備，尤其適合經(jīng)常采用高開關頻率的醫(yī)療設備用電源。新產(chǎn)品有6種，耐壓均為1200V，額定電流為100A～600A不等。通過采
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          • 關鍵字：
                        SiC  醫(yī)療設備                          
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          東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動?！　BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調(diào)查)?！　iC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
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          • 關鍵字：
                        東芝  SBD  SiC                          
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          美國阿肯色大學設計工作溫度超過350°C的SiC基集成電路
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美國阿肯色大學研究人員已經(jīng)設計出可在溫度高于350°C (大約660°F)時工作的集成電路。該研究由美國國家科學基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設備、汽車和航空航天設備領域的處理器、驅動器、控制器和其他模擬與數(shù)字電路的功能，因為所有這些應用場合的電子設備都必須在高溫甚至經(jīng)常在極限溫度下運行。

　　阿肯色大學電子工程學院特聘教授Alan Mantooth說，“堅固性允許這些電路被放置在標準硅基電路部件無法工作的地方。我們設計了性能優(yōu)越的信號處理電路模
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          • 關鍵字：
                        SiC  集成電路                          
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          東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動?！　BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調(diào)查)?！　iC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
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          • 關鍵字：
                        東芝  SBD  SiC                          
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          美國阿肯色大學設計工作溫度超過350°C的SiC基集成電路
          
                                                            
            
                    	
          • 美國設計出可在溫度高于350°C 時工作的集成電路，該產(chǎn)品可以用于高溫甚至極溫下運行的航空航天設備......
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          • 關鍵字：
                        SiC  集成電路                          
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          東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014
          
                                                            
            
                    	
          • 　　日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產(chǎn)品?！　≌故井a(chǎn)品簡介:　　1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)　　東芝在IGBT的基礎上成功研發(fā)出“注入增強”(IE：Inject
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          • 關鍵字：
                        東芝  IEGT  SiC                          
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          美高森美發(fā)布用于高壓工業(yè)應用的創(chuàng)新SiC MOSFET系列 繼續(xù)保持在碳化硅解決方案領域的領導地位
          
                                                            
            
                    	
          • 　　致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業(yè)應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設備的解決方案?！　∶栏呱罁碛欣肧iC半導體市場增長的良好條件，據(jù)市場研究機構Yole Développement預計，從201
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          • 關鍵字：
                        美高森美  MOSFET  SiC                          
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          耐高溫半導體解決方案日益受到市場歡迎
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　日前，CISSOID 公司與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華銷售 CISSOID 產(chǎn)品的經(jīng)銷協(xié)議，后者將會幫助CISSOID公司的高溫半導體產(chǎn)品在中國市場大范圍推廣?！　≈Z衛(wèi)卡公司將其在碳化硅方面的專業(yè)技術與 CISSOID 的技術及其產(chǎn)品組合完美結合在一起，形成獨一無二的競爭力。例如：SiC 電源開關專用的隔離式柵極驅動器HADES 技術;高溫 SiC MOSFET;及 SiC 傳感元件的高溫信號調(diào)節(jié)器?！　ISSOID公司營銷拓展副總裁Jean-Christophe Doucet先生表示，為保
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          • 關鍵字：
                        CISSOID  諾衛(wèi)卡  SiC                          
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          電容器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點　　TDK公司為變頻器提供一款采用了愛普科斯(EPCOS)?CeraLink?技術的全新直流鏈路電容器。CeraLink?技術是以PLZT陶瓷材料為基礎(鉛鑭鋯鈦酸)，使用的容值范圍為1?微法?至100?微法，額定直流電壓為400?伏。另一款電容器的額定直流電壓為800伏，容值為5?微法?！　eraLink?新技術在功率變換器的直流鏈路的穩(wěn)定性和濾波方面具有很多優(yōu)勢-特別與傳統(tǒng)電容器技術相比：由于該款新電容
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          • 關鍵字：
                        TDK  電容器  CeraLink  SiC                          
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          ROHM超小型元器件RASMID?
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • ROHM于2011年開發(fā)了03015(0.3 mm×0.15 mm)尺寸的世界最小貼片電阻器，相比以往的0402產(chǎn)品尺寸成功減小了44%。2012年開發(fā)了世界最小半導體—0402尺寸的齊納二極管。2013年，產(chǎn)品陣容中增加了0402尺寸的肖特基勢壘二極管(SBD)，同時實現(xiàn)了03015尺寸的貼片電阻器量產(chǎn)。
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          • 關鍵字：
                        ROHM  小型化  SBD  貼片電阻                          
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