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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南
- SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP517
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
國(guó)內(nèi)8英寸SiC傳來(lái)新進(jìn)展
- 近年來(lái)，汽車、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用及儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)μ蓟璋雽?dǎo)體產(chǎn)品需求不斷增長(zhǎng)，并推動(dòng)新興半導(dǎo)體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上，國(guó)內(nèi)廠商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機(jī)電已完成了6英寸到8英寸的擴(kuò)徑和質(zhì)量迭代，實(shí)現(xiàn)8英寸拋光片的開(kāi)發(fā)，晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當(dāng)，今年二季度將實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)；天科合達(dá)計(jì)劃在2023年實(shí)現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn)，同時(shí)該公司在5月與半導(dǎo)體大廠英飛凌簽訂碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。近期，科友半導(dǎo)體傳來(lái)了新消息。6月22日，科友半導(dǎo)體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度
- 關(guān)鍵字： 8英寸 SiC 科友半導(dǎo)體
使用SiC的關(guān)鍵在于了解事實(shí)
- 最近，碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領(lǐng)域的潛在應(yīng)用受到了廣泛關(guān)注，但同時(shí)也引發(fā)了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解，讓工程師們?cè)谖磥?lái)放心地使用 SiC器件。應(yīng)用圍繞SiC 產(chǎn)生的一些疑慮與其應(yīng)用范圍相關(guān)。例如，一些設(shè)計(jì)人員認(rèn)為SiC MOSFET 應(yīng)該用來(lái)替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品應(yīng)該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而，額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品質(zhì)因數(shù)很有競(jìng)爭(zhēng)力，反向恢復(fù)電荷也非常小。因此，在圖騰柱功率因數(shù)校正 (TPPFC) 或同
- 關(guān)鍵字： 202306 SiC
羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨合作協(xié)議
- SiC（碳化硅）功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. （以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡(jiǎn)稱“Vitesco”）簽署了SiC功率元器件的長(zhǎng)期供貨合作協(xié)議。根據(jù)該合作協(xié)議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過(guò)1300億日元。?之所以能達(dá)成此次合作，是因?yàn)殡p方已于2020年建立了“電動(dòng)汽車電力電子技術(shù)開(kāi)發(fā)合作伙伴關(guān)系”，并基于合作伙伴關(guān)系進(jìn)行了密切的技術(shù)合作，開(kāi)展了適用于電動(dòng)汽車的SiC功率元器件和采用SiC芯
- 關(guān)鍵字： 羅姆 緯湃 SiC
為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
- 在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體）如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開(kāi)關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導(dǎo)體
- 關(guān)鍵字： SiC 肖特基二極管
SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案
- 如今，碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用，如火車、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見(jiàn)要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進(jìn)步，但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來(lái)了多重挑戰(zhàn)。如今，碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用，如火車、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見(jiàn)要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車、5G 和物
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中國(guó)小型 SiC 廠商，難過(guò) 2023
- 2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊，成為第一家在量產(chǎn)汽車中使用 SiC 芯片的電動(dòng)汽車公司。特斯拉的使用結(jié)果表明，在相同功率等級(jí)下，SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開(kāi)關(guān)損耗降低了 75％。換算下來(lái)，采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊，其系統(tǒng)效率可以提高 5％左右。一場(chǎng)特斯拉的大風(fēng)，引燃了 SiC。然而，就在剛剛過(guò)去的 3 月份，特斯拉卻突然宣布，下一代的電動(dòng)車傳動(dòng)系統(tǒng) SiC 用量大減 75%，因借創(chuàng)新技術(shù)找到下一代電動(dòng)車動(dòng)力系統(tǒng)減少使用 S
- 關(guān)鍵字： SiC
第三代半導(dǎo)體高歌猛進(jìn)，誰(shuí)將受益？
- “現(xiàn)在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會(huì)再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導(dǎo)體大廠意法半導(dǎo)體（ST）曾以此言表達(dá)碳化硅于新能源汽車市場(chǎng)的重要性。當(dāng)下，在全球半導(dǎo)體行業(yè)的逆流中，第三代半導(dǎo)體正閃爍著獨(dú)特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢(shì)成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅(jiān)定下注，一部關(guān)于第三代半導(dǎo)體的爭(zhēng)奪劇集已經(jīng)開(kāi)始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長(zhǎng)期近日，科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長(zhǎng)相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周
- 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體 SiC GaN
如何通過(guò)實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率
- 牽引逆變器是電動(dòng)汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級(jí)別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng)，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓（輸入到輸出）的電隔離，驅(qū)動(dòng)逆變器每相的高邊和低邊功率模塊，并監(jiān)測(cè)和保護(hù)逆變器免受各種故障的影響。根據(jù)汽車安全完整性等級(jí) (ASIL) 功能安全要求，柵極驅(qū)
- 關(guān)鍵字： SiC 牽引逆變器
泰克推出基于示波器的雙脈沖測(cè)試解決方案， 加快SiC和GaN技術(shù)驗(yàn)證速度
- 中國(guó)北京，2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測(cè)試測(cè)量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測(cè)試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開(kāi)關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs）提供自動(dòng)可重復(fù)的、高精度測(cè)量功能。下一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設(shè)計(jì)。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運(yùn)行，并能夠無(wú)縫集成到示波器測(cè)量系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字： 泰克 示波器 雙脈沖測(cè)試 SiC GaN
投身車電領(lǐng)域的入門(mén)課：IGBT和SiC功率模塊
- 2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對(duì)電動(dòng)汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對(duì)電動(dòng)汽車的需求上升，再加上全球各國(guó)政府紛紛采取激勵(lì)措施，電動(dòng)汽車充電站的需求量開(kāi)始增加。在過(guò)去的三年里，電動(dòng)車領(lǐng)導(dǎo)品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長(zhǎng)的趨勢(shì)。 低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展，將推動(dòng)整個(gè)亞太地區(qū)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步擴(kuò)張。同時(shí)，不斷加碼的政府激勵(lì)措施和持續(xù)擴(kuò)張的高性能車市場(chǎng)也推動(dòng)著北美和歐洲地區(qū)電動(dòng)汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)。因此，根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計(jì)，全球電動(dòng)汽車市場(chǎng)規(guī)模將從 2
- 關(guān)鍵字： 車用 電能轉(zhuǎn)換 車電領(lǐng)域 IGBT SiC 功率模塊
采用增強(qiáng)互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計(jì)高能效焊機(jī)
- “引言”近年來(lái)，為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過(guò)改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。?逆變焊機(jī)通常是通過(guò)功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機(jī)的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機(jī)行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強(qiáng)便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢(shì)一直是促進(jìn)持續(xù)發(fā)展的推動(dòng)力。譬如，多
- 關(guān)鍵字： 增強(qiáng)互連封裝技術(shù) SiC MOSFET單管 焊機(jī)
目標(biāo) 2027 年占領(lǐng) 40% 的汽車 SiC 芯片市場(chǎng)，安森美半導(dǎo)體投資 20 億美元擴(kuò)建工廠
- IT之家 5 月 18 日消息，安森美半導(dǎo)體表示將投資 20 億美元，用于擴(kuò)展現(xiàn)有工廠，目標(biāo)在全球汽車碳化硅（SiC）芯片市場(chǎng)中，占據(jù) 40% 的份額。安森美半導(dǎo)體目前在安森美半導(dǎo)體美國(guó)、捷克共和國(guó)和韓國(guó)都設(shè)有工廠，其中韓國(guó)工廠已經(jīng)在生產(chǎn) SiC 芯片了。報(bào)道中并未提及安森美半導(dǎo)體具體會(huì)擴(kuò)建哪家工廠，安森美半導(dǎo)體計(jì)劃構(gòu)建完整產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現(xiàn)從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導(dǎo)體預(yù)估到 2027 年占領(lǐng)全球碳化硅汽車芯片市場(chǎng) 40% 的份額。專家還表示到 2027 年，安森美半導(dǎo)體的銷售
- 關(guān)鍵字： 汽車電子 安森美 SiC
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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