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          是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

          • 與硅技術(shù)相比,SiC MOSFET在光伏和儲(chǔ)能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì),它解決了能效與成本的迫切需求,特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時(shí)候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個(gè)工人來搬運(yùn)和安裝該系統(tǒng),將會(huì)非常利于運(yùn)維。因此,尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導(dǎo)體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源,而且使設(shè)備更小、更輕,相關(guān)的資本、安裝和維護(hù)成本更低。關(guān)鍵的應(yīng)用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)中,1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低,同時(shí)要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  SiC  逆變器  

          高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望

          • 碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為寬禁帶半導(dǎo)體單極型功率 器件,具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢(shì),在高壓應(yīng)用領(lǐng)域需求廣泛,具有巨大的研究?jī)r(jià)值。回顧了高壓 SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進(jìn)展,總結(jié)了進(jìn)一步提高器件品質(zhì)因數(shù)的元胞優(yōu)化結(jié)構(gòu),介紹了針對(duì)高壓器件的幾種終端結(jié)構(gòu)及其發(fā)展現(xiàn)狀,對(duì)高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進(jìn)行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進(jìn)入高壓、特高壓領(lǐng)域,高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
          • 關(guān)鍵字: SiC  MOSFET  

          特斯拉 Model3 搭載 SiC,寬禁帶半導(dǎo)體迎來爆發(fā)

          • 去年 11 月底,特斯拉 Model 3 新款開售,其產(chǎn)品設(shè)計(jì)和功能變化都引起了外界關(guān)注。在特斯拉 Model 3 車型中,SiC 得到量產(chǎn)應(yīng)用,這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動(dòng)汽車,可提高續(xù)航里程,對(duì)突破現(xiàn)有電池能耗與控制系統(tǒng)上瓶頸,乃至整個(gè)新能源汽車行業(yè)都有重要意義。目前,業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為以 SiC 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體將成為下一代半導(dǎo)體主要材料,那么寬禁帶半導(dǎo)體當(dāng)前發(fā)展?fàn)顩r如何?國(guó)內(nèi)外發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體有哪些區(qū)別?未來發(fā)展面臨著哪些挑戰(zhàn)?01、特斯拉 Model 3 首批
          • 關(guān)鍵字: 特斯拉  Model 3  SiC  

          瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動(dòng)IC 用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

          • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM,用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄碜訫CU的控制信號(hào),并將這些信號(hào)傳遞至高壓域,快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  柵極驅(qū)動(dòng)IC  EV逆變器  IGBT  SiC MOSFET  

          安森美與大眾汽車集團(tuán)就下一代電動(dòng)汽車的碳化硅(SiC)技術(shù)達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議,進(jìn)一步鞏固戰(zhàn)略合作關(guān)系

          • 2023 年 1 月 30 日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)宣布與德國(guó)大眾汽車集團(tuán) (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議,為大眾汽車集團(tuán)的下一代平臺(tái)系列提供模塊和半導(dǎo)體器件,以實(shí)現(xiàn)完整的電動(dòng)汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導(dǎo)體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分,形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅(qū)逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅(qū)逆變器電源模塊,作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性,可
          • 關(guān)鍵字: 安森美  大眾汽車集團(tuán)  電動(dòng)汽車  碳化硅  SiC  

          簡(jiǎn)述碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用

          • 電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加,并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用,包括電動(dòng)汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深層石油開采系統(tǒng)、飛機(jī)系統(tǒng)等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加,并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用,包括電動(dòng)汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深層石油開采系統(tǒng)、飛機(jī)系統(tǒng)等領(lǐng)域的進(jìn)步。電力電子電路不斷發(fā)展以實(shí)現(xiàn)更高的效率,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)等電力電子設(shè)備為令人興奮
          • 關(guān)鍵字: 國(guó)晶微半導(dǎo)體  SIC  

          羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應(yīng)用于日立安斯泰莫的純電動(dòng)汽車逆變器

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)的第4代SiC MOSFET和柵極驅(qū)動(dòng)器IC已被日本先進(jìn)的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“日立安斯泰莫”)用于其純電動(dòng)汽車(以下簡(jiǎn)稱“EV”)的逆變器。在全球?qū)崿F(xiàn)無碳社會(huì)的努力中,汽車的電動(dòng)化進(jìn)程加速,在這種背景下,開發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)動(dòng)力總成系統(tǒng)已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領(lǐng)域,為了延長(zhǎng)續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸,提高發(fā)揮驅(qū)動(dòng)核心作用的逆變器的效率已成為一個(gè)重要課題,業(yè)內(nèi)對(duì)碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC MOSFET  日立安斯泰莫  純電動(dòng)汽車逆變器  

          意法半導(dǎo)體第3代SiC碳化硅功率模塊,這品牌用上了?

          • 現(xiàn)代-起亞集團(tuán)的 E-GMP 純電平臺(tái)以 800V 高電壓架構(gòu)、高功率充電備受肯定,原先 E-GMP 平臺(tái)在后馬達(dá) Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導(dǎo)體,成本與轉(zhuǎn)換效率比傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體更高,更能提升續(xù)航。如今瑞士半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊,并確認(rèn) E-GMP 平臺(tái)的起亞 EV6 等車款將采用,預(yù)計(jì)在動(dòng)力、續(xù)航都能再升級(jí)。E-GMP 平臺(tái),原先已在后馬達(dá)逆變器采用 Si
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅功率模塊  起亞 EV6  意法半導(dǎo)體  ACEPACK DRIVE  

          宇宙輻射對(duì)OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評(píng)估

          • 汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn),車載充電器(OBC)與DCDC轉(zhuǎn)換器(HV-LV DCDC)的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展,同應(yīng)對(duì)大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣,設(shè)計(jì)人員把目光投向先進(jìn)技術(shù),以期利用現(xiàn)代超結(jié)硅(Super Junction Si)技術(shù)以及碳化硅(SiC)技術(shù)來提供解決方案。在追求性能的同時(shí),對(duì)于車載產(chǎn)品來說,可靠性也是一個(gè)重要的話題。在車載OBC/DCDC應(yīng)用中,高壓功率半導(dǎo)體器件用的越來越多。對(duì)于汽車級(jí)高壓半導(dǎo)體功率器件來說,門極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點(diǎn)。宇宙輻射很少被提及,但事實(shí)是無論
          • 關(guān)鍵字: Infineon  OBC  SiC  

          通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET,無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題

          • 高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求?;诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會(huì)在提高性能的同時(shí),應(yīng)對(duì)所有其他挑戰(zhàn)。 在過去20年間,額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高,如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎(chǔ)上打造而成。技術(shù)的進(jìn)步推動(dòng)終端設(shè)備取得了極大的發(fā)展;如今,隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出,
          • 關(guān)鍵字: SiC MOSFET  功率轉(zhuǎn)換  

          安森美:聚焦SiC產(chǎn)能擴(kuò)建,推出最新MOSFET產(chǎn)品

          • 近日,安森美公布了2022年第三季度業(yè)績(jī),其三季度業(yè)績(jī)直線上揚(yáng),總營(yíng)收21.93億美元,同比增長(zhǎng)25.86%;毛利10.58億美元,同比增長(zhǎng)46.82%。財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示,其三大業(yè)務(wù)中,智能電源組營(yíng)收為11.16億美元,同比增長(zhǎng)25.1%;高級(jí)解決方案組營(yíng)收7.34億美元,同比增長(zhǎng)19.7%;智能感知組營(yíng)收為3.42億美元,同比增長(zhǎng)44.7%,三大業(yè)務(wù)全線保持增長(zhǎng)。自安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury加入安森美后,安森美執(zhí)行了一系列的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型,聚焦于智能電源和智能感知兩大領(lǐng)域,從傳統(tǒng)的I
          • 關(guān)鍵字: 安森美  SiC  MOSFET  

          EEVIA媒體論壇之英飛凌:賦能未來汽車低碳化和數(shù)字化發(fā)展

          • 在最近召開的EEVIA第十屆年度中國(guó)硬科技媒體論壇暨2022產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢(shì)展望研討會(huì)上,來自英飛凌安全互聯(lián)系統(tǒng)事業(yè)部的汽車級(jí)WiFi/BT及安全產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng)管理經(jīng)理?xiàng)畲蠓€(wěn)以“英飛凌賦能未來汽車低碳化和數(shù)字化發(fā)展“為題,詳細(xì)介紹了英飛凌在汽車電子領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)品和未來趨勢(shì)。 新能源車是全球汽車市場(chǎng)增長(zhǎng)最快也是需求最旺盛的領(lǐng)域,特別是在中國(guó)這個(gè)全球產(chǎn)銷第一的市場(chǎng),2022年國(guó)有品牌汽車占據(jù)近一半的中國(guó)汽車市場(chǎng)份額,最大的驅(qū)動(dòng)力是來自于新能源車和電動(dòng)車??梢灶A(yù)想,隨著政府和車廠的支持,電動(dòng)車未來幾年會(huì)迎
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  SiC  電動(dòng)汽車  無人駕駛  

          SiC助力軌道交通駛向“碳達(dá)峰”

          • 當(dāng)前,全球主要國(guó)家和地區(qū)都已經(jīng)宣布了“碳達(dá)峰”的時(shí)間表。在具體實(shí)現(xiàn)的過程中,軌道交通將是一個(gè)重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能,且?guī)?dòng)大量基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),因此軌道交通的“碳達(dá)峰”雖然和工業(yè)的“碳達(dá)峰”路徑有差異,但總體實(shí)現(xiàn)時(shí)間將較為接近。在中國(guó),這個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)是2030年之前。當(dāng)然,“碳達(dá)峰”在每一個(gè)領(lǐng)域都有狹義和廣義的區(qū)分,比如在工業(yè)領(lǐng)域,一方面是重點(diǎn)企業(yè)自身通過節(jié)能+綠電的方式實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰”,另一方面也需要圍繞重點(diǎn)企業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈上下游全面實(shí)現(xiàn)能耗降低。對(duì)于軌道交通也是如此,狹義層面的軌交工具,以及廣義
          • 關(guān)鍵字: Mouser  SiC  

          碳化硅(SiC)電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)助力實(shí)現(xiàn)“萬(wàn)物電氣化”

          • 綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用,尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅(SiC)是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù),可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車輛和飛機(jī)實(shí)現(xiàn)電氣化,從而減少溫室氣體(GHG)排放。 碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機(jī)的氣動(dòng)和液壓系統(tǒng),為機(jī)載交流發(fā)電機(jī)、執(zhí)行機(jī)構(gòu)和輔助動(dòng)力裝置(APU)供電。這類解決方案還可以減少這些系統(tǒng)的維護(hù)需求。但是,SiC技術(shù)最顯著的貢獻(xiàn)體現(xiàn)在其所肩負(fù)實(shí)現(xiàn)商用運(yùn)輸車輛電氣化的使命上,這些車輛是世界上最大的GHG排放源之一。隨著1700V金屬
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  電源管理  可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)  萬(wàn)物電氣化  

          士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線初步通線,首個(gè)SiC器件芯片投片成功

          • 10月24日,士蘭微發(fā)布公告稱,近期,士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線,首個(gè)SiC器件芯片已投片成功,首批投片產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求,項(xiàng)目取得了階段性進(jìn)展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試,目標(biāo)是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示,公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開發(fā),性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上,參數(shù)指標(biāo)較好,繼續(xù)完成評(píng)測(cè),即將向客戶送樣。據(jù)了解,2017年12月1
          • 關(guān)鍵字: 士蘭微  士蘭明鎵  SiC  功率器件  
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          sic介紹

          SiC是一種Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料,具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類:一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型,稱為3C或β-SiC,這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目;另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu),其中典型的有6H、4H、15R等,統(tǒng)稱為α-SiC。與Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境,并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細(xì) ]

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