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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器
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使用TI功能安全柵極驅(qū)動(dòng)器提高SiC牽引逆變器的效率
- 隨著電動(dòng)汽車 (EV) 制造商競(jìng)相開發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統(tǒng)效率的壓力，這樣可以延長(zhǎng)行駛里程并在市場(chǎng)中獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。功率損耗越低則效率越高，因?yàn)樗鼤?huì)影響系統(tǒng)熱性能，進(jìn)而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著開發(fā)的逆變器功率級(jí)別更高，每輛汽車的電機(jī)數(shù)量增加，以及卡車朝著純電動(dòng)的方向發(fā)展，人們將持續(xù)要求降低系統(tǒng)功率損耗。過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有比IGBT更高
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貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
- 2022年9月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關(guān)DC/DC
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東芝推出面向更高效工業(yè)設(shè)備的第三代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。 新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開關(guān)損耗減少大約
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安森美慶祝在新罕布什爾州擴(kuò)張?zhí)蓟韫S
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，昨天美國(guó)時(shí)間舉行了剪彩儀式，慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數(shù)幾乎翻兩番。此擴(kuò)張使安森美能完全控制其SiC制造供應(yīng)鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購，到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶提供必要的供應(yīng)保證，以滿足對(duì)基于SiC的方案迅速增長(zhǎng)的需求。SiC對(duì)于提高電
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UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）為功率設(shè)計(jì)擴(kuò)展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合
- 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對(duì)快速增長(zhǎng)的車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應(yīng)用實(shí)現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強(qiáng)型封裝，為需求最大效率、低傳導(dǎo)損失和高性價(jià)比的高功耗應(yīng)用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
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UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）針對(duì)電源設(shè)計(jì)擴(kuò)展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合
- Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項(xiàng)，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務(wù)器電源等快速增長(zhǎng)的應(yīng)用量身定制，能夠?yàn)樵跓嵩鰪?qiáng)型封裝中實(shí)現(xiàn)更高效率、低傳導(dǎo)損耗和卓越成本效益的高功率應(yīng)用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時(shí)具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
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安森美: 打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商
- 由于 SiC 具有更快的開關(guān)速度，因此對(duì)于某些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可縮減無源元器件如電感器的尺寸以降低系統(tǒng)尺寸和成本。光伏發(fā)電和大規(guī)模儲(chǔ)能變得越來越重要，最終將取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前僅占全球總發(fā)電量的一小部分，因此 SiC 將有長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展路向。隨著電動(dòng)車采用率的增加，充電樁將大規(guī)模部署，另外，SiC 最終還將成為電動(dòng)車主驅(qū)逆變器的首選材料，因?yàn)樗蓽p少車輛的整體尺寸和重量，且能效更高，可延長(zhǎng)電池使用壽命。安森美首席碳化硅專家，中國(guó)汽車OEM技術(shù)負(fù)責(zé)人 吳桐 博士安森美 (onsemi) 在收購上游
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安森美：打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商
- 受訪人：安森美首席碳化硅專家，中國(guó)汽車OEM技術(shù)負(fù)責(zé)人吳桐博士1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？ 氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)具有較高的電子遷移率和較高的能帶隙，用它們制成的晶體管具有比硅基晶體管更高的擊穿電壓和更耐受高溫，可以突破硅基器件的應(yīng)用極限，開關(guān)速度更快，導(dǎo)通電阻更低，損耗更小，能效更高?！ aN的開關(guān)頻率比SiC高得多，而SiC的可靠
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第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)的“互補(bǔ)共生”
- 受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營(yíng)銷組的應(yīng)用經(jīng)理，負(fù)責(zé)工業(yè)和個(gè)人電子市場(chǎng)的定制電源設(shè)計(jì)。他的團(tuán)隊(duì)每年負(fù)責(zé)500項(xiàng)設(shè)計(jì)，并在過去20年中設(shè)計(jì)了15000個(gè)電源。Robert于2002年加入TI，大部分時(shí)間都在擔(dān)任各種應(yīng)用的電源設(shè)計(jì)師。Robert擁有佛羅里達(dá)大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？
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TrendForce：估今年車用SiC功率組件市場(chǎng)破10億
- 為進(jìn)一步提升電動(dòng)車動(dòng)力性能，全球各大車企已將目光鎖定在新一代SiC（碳化硅）功率組件，并陸續(xù)推出了多款搭載相應(yīng)產(chǎn)品的高性能車型。依TrendForce研究，隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車用SiC功率組件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，2026年將攀升至39.4 億美元。 隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車用SiC功率組件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元。TrendForce指出，目前車用SiC功率組件市場(chǎng)主要由歐美IDM大廠掌控，關(guān)鍵供貨
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ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊 打造次世代電動(dòng)車
- SEMIKRON和半導(dǎo)體制造商ROHM在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運(yùn)用于SEMIKRON車規(guī)級(jí)功率模塊「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。 合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國(guó)公司社長(zhǎng) Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國(guó)一家大型汽車制造商簽
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賽米控與羅姆就碳化硅功率元器件展開新的合作
- 賽米控（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)開展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國(guó)公司社長(zhǎng)?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右） 此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車規(guī)級(jí)功率模塊“eMPack?”，開啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國(guó)一家大型汽車制造商簽署
- 關(guān)鍵字： 羅姆 碳化硅 SiC 無線寬帶
SiC FET的起源及其向著完美開關(guān)發(fā)展的歷程
- 使用寬帶隙半導(dǎo)體作為高頻開關(guān)為實(shí)現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率提供了有力支持。一個(gè)示例是，碳化硅開關(guān)可以實(shí)施為SiC MOSFET或以共源共柵結(jié)構(gòu)實(shí)施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術(shù)進(jìn)行了比較。白皮書當(dāng)然，接近完美的電子開關(guān)已經(jīng)存在很長(zhǎng)一段時(shí)間了，但是我們這里要談的不是機(jī)械開關(guān)。現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換依賴的是半導(dǎo)體開關(guān)，它們最好在打開時(shí)沒有電阻，在關(guān)閉時(shí)電阻和耐受電壓無限大，并能在簡(jiǎn)單驅(qū)動(dòng)下以任意快的速度在開關(guān)狀態(tài)間切換且沒有瞬時(shí)功率損耗。在這個(gè)重視能源與成本
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破解SiC、GaN柵極動(dòng)態(tài)測(cè)試難題的魔法棒 — 光隔離探頭
- SiC、GaN 作為最新一代功率半導(dǎo)體器件具有遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時(shí)，SiC、GaN極快的開關(guān)速度也給工程師帶來了使用和測(cè)量的挑戰(zhàn)，稍有不慎就無法獲得正確的波形，從而嚴(yán)重影響到器件評(píng)估的準(zhǔn)確、電路設(shè)計(jì)的性能和安全、項(xiàng)目完成的速度。SiC、GaN動(dòng)態(tài)特性測(cè)量中，最難的部分就是對(duì)半橋電路中上橋臂器件驅(qū)動(dòng)電壓VGS的測(cè)量，包括兩個(gè)部分：開關(guān)過程和Crosstalk。此時(shí)是無法使用無源探頭進(jìn)行測(cè)量的，這會(huì)導(dǎo)致設(shè)備和人員危險(xiǎn)，同時(shí)還會(huì)由
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sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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