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	sk 海力士
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          海力士DRAM制程升級到30納米級
          
                                                            
            
                    	
          • 　　海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級制程。海力士29日宣布，已開發(fā)出2款計算機用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季將先量產(chǎn)2Gb產(chǎn)品。
　
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  DRAM                          
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          海力士2011年計劃投資26億美元
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo)，海力士(Hynix)計劃資本支出3兆韓元(約26億美元)，該公司發(fā)言人證實首爾經(jīng)濟日報(Seoul Economic Daily)的報導(dǎo)。
　　彭博電話訪問發(fā)言人Park Seong Ae指出，實際投資金額可能會依市場情況而調(diào)整。Park進一步指出，2010年的投資金額為3.38兆韓元，相較之下，2011年的投資金額可能會比較小。
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  DRAM                          
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          海力士半導(dǎo)體明年一季度開始量產(chǎn)30納米芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 　　海力士半導(dǎo)體發(fā)言人Park Seong Ae周四表示，公司將從明年第一季度開始量產(chǎn)30納米芯片。
　　這一表態(tài)證實了韓國網(wǎng)絡(luò)新聞媒體edaily此前的相關(guān)報道。
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  30納米                          
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          海力士期望大陸市場能給其帶來轉(zhuǎn)機
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績走弱，營運獲利下滑加上淡季效應(yīng)與產(chǎn)品價格走跌等因素，有鑒于大陸市場潛力巨大，該公司擬加碼大陸資本投資金額，希望借此刺激營收。海力士大陸區(qū)負責人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時表示，公司計劃提高大陸廠制程技術(shù)，以生產(chǎn)高階晶片。
　　　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  DRAM                          
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          海力士M8產(chǎn)線將以代工為重心
          
                                                            
            
                    	
          • 　　海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，近期海力士以部分IC設(shè)計公司為對象，提出運用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動芯片、顯示器用驅(qū)動芯片(DDI)、傳感器專門IC設(shè)計等企業(yè)皆為協(xié)商對象。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  閃存                          
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          海力士半導(dǎo)體將投資2.31億美元以提高芯片產(chǎn)能
          
                                                            
            
                    	
          • 　　11月19日電全球第二大計算機存儲芯片制造商海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)周五表示，計劃投資2610億韓圜(約合2.31億美元),，以提高和升級芯片產(chǎn)能。
　　該公司對證交所表示，上述投資將于12月底做出。
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  芯片                          
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          海力士Q3獲利翻5倍 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　受惠于出貨成長及轉(zhuǎn)進優(yōu)勢芯片的策略奏效，南韓海力士半導(dǎo)體第三季營業(yè)利益創(chuàng)下歷史次高記錄。海力士預(yù)估，內(nèi)存芯片價格將于明年第一季開始止跌回穩(wěn)。
　　海力士周四公布，第三季營業(yè)利益為1.01兆韓元(8.849億美元)，超越市場預(yù)期的9610億韓元，并較去年同期的2090億韓元大幅成長近5倍，同時逼近上一季創(chuàng)下的1.05兆韓元的歷史新高。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  DRAM                          
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          海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash
          
                                                            
            
                    	
          • 　　韓國半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲器可應(yīng)用于手機或平板計算機(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲器，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  DRAM  20納米                          
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          三星、海力士4Q營收不樂觀
          
                                                            
            
                    	
          • 　　DRAM存儲器半導(dǎo)體價格跌勢持續(xù)第5個月，韓廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導(dǎo)體(Hynix)等存儲器公司2010年第4季將難避免營收惡化的危機。
　　　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  DRAM                          
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          景氣雖不明　海力士仍持續(xù)投資30納米制程
          
                                                            
            
                    	
          • 　　雖然在經(jīng)濟前景不明的情況下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣亦受到連帶影響，不過全球排名第2的半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)仍計劃對轉(zhuǎn)進30納米制程持續(xù)加碼，以增加和三星電子(Samsung Electronics)、日本爾必達(Elpida)等大廠競爭的優(yōu)勢。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  DRAM  30納米                          
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          海力士：股份收購者將出現(xiàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，目前韓國有幾間業(yè)者對海力士(Hynix) 股份拋售顯露興趣。海力士理事議長金鍾甲表示，韓國企業(yè)中有業(yè)者表示對海力士股份有興趣，早晚會對外宣布收購立場。
　　金鍾甲在接受電子新聞訪談時表示，由于存儲器產(chǎn)業(yè)競爭構(gòu)圖產(chǎn)生變化，且海力士的競爭力更強化，韓國業(yè)者對海力士的表現(xiàn)皆抱持正面的態(tài)度。
　　雖然主要是由債權(quán)團執(zhí)行海力士股份拋售，金鍾甲以理事會議長身分也積極接觸海力士潛在收購者。海力士近期以來對拋售股份的官方說法維持沒有表明收購意愿的企業(yè)，但金鍾甲此次的發(fā)言則暗示禁止拋售作業(yè)已進行
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  存儲器                          
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          今年全球芯片廠商資本開支將增長一倍
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)國外媒體報道，市場研究公司Gartner星期二稱，2010年全球芯片廠商的資本開支將比2009年增長將近一倍，因為在去年的經(jīng)濟衰退之后，芯片廠商渴望進行更多的投資。
　　Gartner稱，全球芯片廠商2010年的資本開支將達到507億美元，比2009年增長96%。由于經(jīng)濟衰退，全球芯片廠商2009年的資本開支是259億美元，比2008年減少了41%。
　　Gartner副總裁Klaus Rinnen在聲明中稱，2010年半導(dǎo)體市場的強勁增長推動半導(dǎo)體資本開支增長到創(chuàng)紀錄的高水平。
　　隨著半導(dǎo)
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  芯片                          
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          DRAM價15天爆跌10% 恐跌至2美元線
          
                                                            
            
                    	
          • 　　韓國電子時報報導(dǎo)，DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預(yù)測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當緊張。據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅 在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。
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                        海力士  DRAM  DDR3                          
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          DRAM價15天爆跌10%　恐跌至2美元線
          
                                                            
            
                    	
          • 　　韓國電子時報報導(dǎo)，DRAM價格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預(yù)測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當緊張。
　　據(jù)市調(diào)機構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。DD
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                        海力士  DRAM  DDR3                          
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          韓國2015年前將非內(nèi)存芯片份額提高一倍
          
                                                            
            
                    	
          • 　　韓國知識經(jīng)濟部上星期四稱，韓國將在未來五年投資1.7萬億韓元(14.5億美元)幫助韓國芯片廠商找出進入快速增長的非內(nèi)存芯片市場的道路。
　　三星電子和海力士半導(dǎo)體等韓國芯片廠商目前擁有全球內(nèi)存芯片市場50%以上的份額。但是，在非內(nèi)存芯片市場，韓國廠商的市場份額只有大約3%。韓國政府正是在這個背景之下采取這個行動的。
　　根據(jù)這個計劃，韓國芯片廠商在2015年要取得全球非內(nèi)存芯片市場7.5%的份額。2009年全球非內(nèi)存芯片市場的規(guī)模是1858億美元。這個市場預(yù)計將以平均15%的年增長率繼續(xù)增長。

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