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海力士半導(dǎo)體放緩NAND Flash工藝轉(zhuǎn)換速度
- 南韓半導(dǎo)體大廠海力士半導(dǎo)體(Hynix)主要NAND Flash產(chǎn)品群，近期將從原本的30納米制程轉(zhuǎn)換至20納米級(jí)制程。海力士目前整體NAND Flash產(chǎn)量，以26納米制程產(chǎn)品比重逾50%為最大。 海力士相關(guān)人員表示，26納米制程N(yùn)AND Flash比重至2011年3月底約為40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26納米制程產(chǎn)品將逐漸取代32納米制程產(chǎn)品，成為海力士主力產(chǎn)品。 NAND Flash為非揮發(fā)性內(nèi)存芯片，即使中斷供電也能儲(chǔ)存信息，是智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等行動(dòng)裝
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海力士半導(dǎo)體工廠蒸鍍?cè)O(shè)備氣體外泄
- 據(jù)韓國電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)位于京畿道利川的工廠發(fā)生氣體外泄事故。19日晚間約10點(diǎn)50分，在維修D(zhuǎn)RAM半導(dǎo)體產(chǎn)線蒸鍍?cè)O(shè)備過程中，海力士合作廠2位員工因操作不當(dāng)，使設(shè)備內(nèi)殘留的液化氣體外泄。
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2010韓國電子制造設(shè)備業(yè)發(fā)展迅速
- 2010年韓國半導(dǎo)體、顯示器設(shè)備業(yè)者中，有10間企業(yè)年度銷售突破2,000億韓元(約1.8億美元)。至2009年為止，韓國僅2間企業(yè)年度銷售逾2,000億韓元，過去韓國半導(dǎo)體及顯示器設(shè)備國產(chǎn)業(yè)者積極推動(dòng)事業(yè)多元化及擴(kuò)大出口，形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)以建構(gòu)可永續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)，目前正快速成長中。根據(jù)韓國電子公示系統(tǒng)(Data Analysis, Retrieval and Transfer System;DART)及相關(guān)業(yè)者表示，2010年銷售突破2,000億韓元的設(shè)備業(yè)者包含Semes、Jusung Engineer
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海力士背負(fù)54.46億美元債務(wù)
- 2001年海力士(Hynix)受景氣波及，遭債權(quán)銀行團(tuán)接手并進(jìn)行債務(wù)重整，時(shí)隔10年，海力士已成為全球第2大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供貨商。即使如此，海力士仍背負(fù)5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù)，該公司現(xiàn)任執(zhí)行長權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時(shí)，目前海力士首要目標(biāo)是盡力還款，并同時(shí)確保有足夠資金擴(kuò)產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)。
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海力士宣布下一代DDR4內(nèi)存開發(fā)完畢
- 三星電子搶先行動(dòng)整整三個(gè)月之后，另一家半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條開發(fā)完畢。海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內(nèi)存條，支持錯(cuò)誤校驗(yàn)功能，均采用先進(jìn)的30nm級(jí)別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范?！?/li>
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全球NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽3缺1
- 存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報(bào)價(jià)下跌影響而驟降，除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外，市場(chǎng)認(rèn)為目前全球4大NAND Flash陣營中，唯一沒有宣布要擴(kuò)產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)等應(yīng)用都是NAND Flash當(dāng)?shù)?，海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12，未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!
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