sk 海力士 文章 進(jìn)入sk 海力士技術(shù)社區(qū)
鴻海、SK 合作升級(jí)
- 郭崔會(huì)即將登場，據(jù)SK集團(tuán)透露，SK集團(tuán)會(huì)長崔泰源即將來臺(tái)與鴻海董事長郭臺(tái)銘相見歡，且時(shí)間就在9月初，外界揣測透過此次會(huì)面，雙方將會(huì)在業(yè)務(wù)上邁大步，合作范圍可望一路由半導(dǎo)體、興建智慧工廠，擴(kuò)展到共同開拓印度市場。 今年年初，鴻海集團(tuán)宣布與SK C&C聯(lián)手，打造全新的IT服務(wù)合作公司，前進(jìn)大陸市場，為鴻海和SK集團(tuán)的合作揭開序幕，如今雙方的合作又將推出升級(jí)版。 據(jù)悉郭、崔二人系在瑞士每年舉行的世界經(jīng)濟(jì)論壇(達(dá)沃斯論壇)上結(jié)緣，兩人相談甚歡，當(dāng)時(shí)，郭臺(tái)銘立馬提議買下崔泰源手中的SK C
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三星、海力士尬產(chǎn)能，韓國存儲(chǔ)器雙雄掀軍備競賽
- 昨日南韓半導(dǎo)體廠SK 海力士才發(fā)布史上最大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，隔天三星即宣布新廠下個(gè)月就將成軍啟用，這也宣告記憶體市場正式進(jìn)入新一輪的軍備競賽。 三星新廠位于首爾南部的水原市，可用于量產(chǎn)DRAM等記憶體或邏輯晶片。消息指出，水原廠部分產(chǎn)線過去幾個(gè)月已進(jìn)行過試產(chǎn)，年底將全面啟用。 另外，三星目前在平澤市還有一半導(dǎo)體廠正在興建，三星計(jì)畫未來兩年在這座工廠砸下15兆韓圜(125億美元)，是韓國史上對(duì)單一半導(dǎo)體廠的最大投資案。(koreaherald.com) 在另一方面，海力士昨日盛大宣布，未來十年內(nèi)將投
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海力士擴(kuò)產(chǎn) DRAM不妙
- 全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺(tái)幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預(yù)計(jì)2024年前竣工。近期DRAM價(jià)格好不容易出現(xiàn)止跌訊號(hào)，市場憂心，SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)，長期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。 外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因?yàn)榇笠?guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過剩，或引爆價(jià)格戰(zhàn)，這對(duì)三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 受市場憂心SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)影響，南亞科昨天股價(jià)在臺(tái)股大漲逾265點(diǎn)下
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三星大敵當(dāng)前，海力士、SanDisk專利訴訟戰(zhàn)大和解
- 南韓記憶體大廠SK 海力士與美國同業(yè)SanDisk不打不相識(shí)，海力士周三宣布，與美國同業(yè)SanDisk的官司已在庭外達(dá)成和解，與此同時(shí)，雙方還將擴(kuò)大專利合作，正式成為伙伴關(guān)系。 SanDisk去年按鈴控告旗下某職員于2008年跳槽后，將機(jī)密泄漏給海力士，但在雙方達(dá)成和解后，SanDisk已同意撤回官司。 海力士與SanDisk不僅一笑泯恩仇，還進(jìn)一步就專利授權(quán)取得新協(xié)議。聲明稿指出，海力士將支付SanDisk 權(quán)利金，并供應(yīng)DRAM予SanDisk，時(shí)間將持續(xù)至2023年。 海力士與東芝的官司去
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海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲(chǔ)器9月量產(chǎn)出貨
- 南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強(qiáng)敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)9月開始對(duì)客戶出貨。 快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后，48層產(chǎn)品明年才會(huì)投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財(cái)報(bào)遜于預(yù)期，受PC用DRAM需求低迷影響，當(dāng)季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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海力士高頻寬存儲(chǔ)器封裝圖文揭密
- 過去幾個(gè)月來，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。 海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個(gè)DRAM晶片以及一個(gè)邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現(xiàn)晶片至晶片間連接。 圖1：HBM模組橫截面示意圖 (來
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海力士高頻寬存儲(chǔ)器封裝揭密
- 過去幾個(gè)月來，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。 海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個(gè)DRAM晶片以及一個(gè)邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現(xiàn)晶片至晶片間連接。 圖1顯示四個(gè)DRAM晶片與一個(gè)邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設(shè)備
- 記憶體大廠整軍經(jīng)武，準(zhǔn)備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設(shè)備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進(jìn)新制程，拉高戰(zhàn)力。 韓媒etnews 6日?qǐng)?bào)導(dǎo)，記憶體大廠爭相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購不少新設(shè)備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D
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突破細(xì)微化極限！東芝攜手海力士研發(fā)納米壓印技術(shù)
- 全球第2大NAND型快閃存儲(chǔ)器 (Flash Memory)廠商?hào)|芝 ( Toshiba )5日發(fā)布新聞稿宣布，為加快次世代半導(dǎo)體露光技術(shù)「納米壓印技術(shù)(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發(fā)腳步，已和南韓半導(dǎo)體大廠SK 海力士 (SK Hynix )正式簽署契約，雙方技術(shù)人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關(guān)鍵技術(shù)，目標(biāo)為在2017年實(shí)用化。 東芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵權(quán)案一事達(dá)成和解，海力士(
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DRAM樂觀 NAND有隱憂
- 記憶體市況今年將不同調(diào);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。 DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺(tái)幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。 NAND Flash市場競爭、變化相對(duì)激烈，且難以預(yù)料;去年下半
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研調(diào)預(yù)估：8寸晶圓 明年產(chǎn)能續(xù)滿載
- 今年以來8寸產(chǎn)能滿載話題延燒，市場看好聯(lián)電、世界明年8寸產(chǎn)能可望持續(xù)吃緊。研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights出具報(bào)告指出，韓國、臺(tái)灣在全球8寸廠中仍將扮演領(lǐng)導(dǎo)地位。其中韓國掌控全球8寸產(chǎn)能達(dá)35%，臺(tái)灣則占21%。 IC Insights指出，韓國的8寸產(chǎn)能主要來自三星與海力士兩大廠商，其中光是三星就占了全球8寸產(chǎn)能的24%。若是排除存儲(chǔ)器的部分、僅考量晶圓代工的 8寸產(chǎn)能，韓國則占全球的28%。IC Insights指出，三星、海力士在海外也都有8寸的產(chǎn)能，其中海力士最大的8寸廠就在中國大陸，三星
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研調(diào)：臺(tái)韓兩地合計(jì)掌控全球56%12吋晶圓產(chǎn)能
- 研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights表示，臺(tái)灣及韓國半導(dǎo)體廠持續(xù)積極擴(kuò)產(chǎn)，合計(jì)已掌握全球56%的12吋晶圓產(chǎn)能。 IC Insights指出，三星(Samsung)與海力士 ( Hynix )合計(jì)掌握全球35%的12吋晶圓產(chǎn)能;其中，三星一家便掌握全球高達(dá)24%的12吋晶圓產(chǎn)能。臺(tái)灣廠商則掌握全球約21%的12吋晶圓產(chǎn)能;其中，有85%的產(chǎn)能主要投入晶圓代工，有15%產(chǎn)能生產(chǎn)記憶體產(chǎn)品。至于北美廠商則掌握全球28%的12吋晶圓產(chǎn)能，日本廠商則掌握全球14%的12吋晶圓產(chǎn)能。 另外，就全球晶圓產(chǎn)能
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三星半導(dǎo)體設(shè)備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠
- 韓國時(shí)報(bào)(Korea Times)15 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星電子明年將投資半導(dǎo)體設(shè)備 13.5 兆韓圜，或相當(dāng)于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。 全球記憶體晶片市場目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠市占率合計(jì)來到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設(shè)備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價(jià)格穩(wěn)定與市場供需平衡。 據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星看準(zhǔn)儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開設(shè)新廠房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，
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LPDDR4即將成為旗艦智能手機(jī)的首選
- 在智能手機(jī)嚴(yán)重同質(zhì)化的今天，每一項(xiàng)新技術(shù)的出現(xiàn)都讓人們有所期待，從64位到八核，國內(nèi)外芯片設(shè)計(jì)廠商都在想方設(shè)法快速跟進(jìn)，生怕錯(cuò)過了又一個(gè)新市場。 在64位和八核均晚于友商的高通，在全新旗艦64位八核驍龍810處理器上，它首次支持了雙通道LPDDR4，內(nèi)存帶寬提升了一倍達(dá)到25.6Gps，功耗有所下降。在主流旗艦機(jī)均為2K屏幕的今天，對(duì)于內(nèi)存帶寬的提高是相當(dāng)必要的，更何況驍龍810支持4K屏幕，堅(jiān)信4K UHD將成為2015年旗艦高端手機(jī)的選擇。 LPDDR4是JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)在今年8
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