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          SPI、I2C、UART三種串行總線協(xié)議的區(qū)別和SPI接口介紹,以及SPI接口詳解

          • SPI、I2C、UART三種串行總線協(xié)議的區(qū)別和SPI接口介紹,以及SPI接口詳解-SPI接口在Master控制下產(chǎn)生的從器件使能信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào),兩個(gè)雙向移位寄存器按位傳輸進(jìn)行數(shù)據(jù)交換,傳輸數(shù)據(jù)高位在前,低位在后(MSB)。在SCK的下降沿上數(shù)據(jù)改變,上升沿一位數(shù)據(jù)被存入移位寄存器。
          • 關(guān)鍵字: spi  總線  uart  

          一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼,入門(mén)必懂知識(shí)

          • 一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼,入門(mén)必懂知識(shí)-如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中,我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢?將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁(yè)中,還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體,每次修改都同時(shí)寫(xiě)入一次呢?將參數(shù)存儲(chǔ)到固定的地址,則每個(gè)參數(shù)都將占用Flash的一個(gè)塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中,那么只有一個(gè)參數(shù)修改時(shí),也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎?
          • 關(guān)鍵字: ram  flash  源代碼  

          時(shí)序一致性測(cè)試解決方案

          •   在某產(chǎn)品測(cè)試過(guò)程中,工程師反饋偶爾會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)異常,經(jīng)過(guò)系統(tǒng)性的分析,致遠(yuǎn)電子測(cè)試團(tuán)隊(duì)推測(cè)可能是ADC芯片的SPI通信總線的時(shí)序存在偶發(fā)異常,但由于異常出現(xiàn)概率很低,該如何對(duì)SPI通信總線偶發(fā)的時(shí)序問(wèn)題進(jìn)行定位呢?  一、搭建測(cè)試環(huán)境  SPI總線測(cè)試點(diǎn)位于主機(jī)的主板底部,時(shí)鐘頻率大約為33MHz,屬高頻信號(hào),所以對(duì)探頭的端接方式比較講究;為了方便測(cè)試,如圖1所示,用短線將測(cè)試點(diǎn)引出,探頭的地線也從前端自繞線引出,這樣可以提高信號(hào)完整性,減少示波器采樣對(duì)時(shí)序分析過(guò)程的影響?! ?nbsp; 
          • 關(guān)鍵字: 時(shí)序  SPI  

          stm8s開(kāi)發(fā)(七) SPI的使用:SPI主機(jī)通信!

          •   科普SPI:是一種高速的,全雙工,同步的通信總線,并且在芯片的管腳上只占用四根線,分別是:SCK(時(shí)鐘)、MOSI(主機(jī)發(fā)送數(shù)據(jù))、MISO(主機(jī)接收數(shù)據(jù))、NSS(片選),其中NSS的片選信號(hào),大部分情況下我們使用的是軟件NSS,即為使用一個(gè)GPIO進(jìn)行軟件控制片選。值得注意的是,其中SPI有4中模式:分別是空閑時(shí)SCLK的電平高\(yùn)低、MISO采樣時(shí)第1\2個(gè)變化沿?! tm8s的SPI結(jié)構(gòu)如下圖,        如果用形象的比喻的話:SCK像一個(gè)發(fā)條齒輪,只有當(dāng)發(fā)
          • 關(guān)鍵字: stm8s  SPI  

          單線SPI的在線編程方案

          •   “串口下載”是大多數(shù)工程師最早接觸的程序下載方式,尤其是一開(kāi)始使用51單片機(jī)的工程師們。隨著硬件集成度越來(lái)越高,芯片資源不斷被壓縮,工程師也想到了另一種“串口下載”方式,只需一根數(shù)據(jù)線即可?! ‰S著半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展,芯片集成度越來(lái)越高,隨之研發(fā)設(shè)計(jì)出來(lái)的PCBA大小已經(jīng)能和硬幣比肩,功能卻一點(diǎn)都沒(méi)有受到影響,是如何做到的呢?在不影響功能的情況下盡量裁剪硬件資源,這是每個(gè)工程師都頭疼的問(wèn)題,關(guān)鍵在于裁剪后如何保證編程能夠正常進(jìn)行?! 【幊探涌诙喾N多樣,包括工程師們熟悉的UART、I2C、SPI、SW
          • 關(guān)鍵字: SPI  串口下載  

          全球NOR Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求 兆易創(chuàng)新/華邦電動(dòng)作不斷

          • 隨著各大供應(yīng)商對(duì)NOR Flash的不斷加大投入,未來(lái)其市場(chǎng)將會(huì)逐漸趨于飽和,利潤(rùn)也會(huì)越來(lái)越小,至于整體趨勢(shì)還有待觀察。
          • 關(guān)鍵字: NOR  兆易創(chuàng)新  

          第二季PC DRAM合約價(jià)漲逾一成,全球DRAM營(yíng)收季增16.9%

          •   集邦咨詢內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價(jià)格方面來(lái)看,由于客戶端已經(jīng)將庫(kù)存水位逐步往上提升,第二季供不應(yīng)求狀況雖不至于像第一季度嚴(yán)重,但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存第二季價(jià)格上漲逾一成,行動(dòng)式內(nèi)存則因中國(guó)品牌手機(jī)廠下修出貨數(shù)量,價(jià)格僅小幅上漲5%內(nèi)。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,觀察市場(chǎng)面,受惠于平均銷售單價(jià)的上揚(yáng)與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn),大規(guī)模的擴(kuò)張產(chǎn)能至今年年底仍未見(jiàn),全球DRAM市場(chǎng)第二
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NOR  

          硅晶圓漲價(jià) NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌

          • 曾經(jīng)飛索的破產(chǎn)和三星的退出使NOR FLASH行業(yè)重新洗牌,同年美光稱霸,臺(tái)灣廠商崛起,NOR FLASH漲價(jià),行業(yè)迎來(lái)一波反彈。
          • 關(guān)鍵字: 硅晶圓  NOR   

          硅晶圓漲價(jià) NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌

          •   供給端:原材料價(jià)格調(diào)漲,大廠退出   原材料漲價(jià)   今年以來(lái)半導(dǎo)體硅晶圓市場(chǎng)出現(xiàn)八年以來(lái)首度漲價(jià)情況,其主要原因在于供需失衡。晶圓代工大廠臺(tái)積電、三星電子、英特爾等提高制程,20nm以下先進(jìn)工藝占比不斷提高,加大對(duì)高質(zhì)量大硅片的需求。三星、SK海力士、英特爾、美光、東芝等全力轉(zhuǎn)產(chǎn)3D NAND,投資熱潮刺激300mm大硅片的需求。同時(shí)工業(yè)與汽車半導(dǎo)體、CIS、物聯(lián)網(wǎng)等IC芯片開(kāi)始快速增長(zhǎng),大陸半導(dǎo)體廠商大舉建廠擴(kuò)產(chǎn),帶來(lái)新的硅片需求增量。供給方面,硅片廠集中在日韓臺(tái),前六大廠商市占98%,在硅片
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          1970-2017 DRAM芯片市場(chǎng)的生死搏殺

          • 自1970年,美國(guó)英特爾的半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來(lái),已經(jīng)過(guò)去47年,美國(guó)、日本、德國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣的選手,懷揣巨額籌碼,高高興興地走進(jìn)來(lái),卻在輸光光之后黯然離場(chǎng)。目前,只有韓國(guó)三星和海力士,占據(jù)絕對(duì)壟斷地位,在DRAM市場(chǎng)呼風(fēng)喚雨,賺得盆滿缽滿。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  Flash  

          NOR Flash行業(yè)趨勢(shì)解讀:供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲(chǔ)雄心勃勃

          •   這個(gè)時(shí)間點(diǎn)我們討論Nor Flash行業(yè)趨勢(shì)與全年景氣度,一方面是Nor廠商二季度業(yè)績(jī)即將公布,而相關(guān)公司一季度業(yè)績(jī)沒(méi)有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標(biāo)的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣(mài)以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會(huì)反饋意見(jiàn)等),同時(shí)我們調(diào)高AMOLED與TDDI Nor的需求拉動(dòng)預(yù)期,詳細(xì)測(cè)算供需缺口,以求對(duì)未來(lái)趨勢(shì)定性、定量研究;   汽車電子與工控拉動(dòng)行業(yè)趨勢(shì)反轉(zhuǎn) TDDI+AMOLED新需求錦上添花   1、汽車與工控拉動(dòng)2016趨勢(shì)反轉(zhuǎn)   從各方面驗(yàn)證,2016年是NOR
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  NOR   

          Flash產(chǎn)能不給力 UFS稱霸江湖夢(mèng)碎

          • UFS普及并不缺乏機(jī)會(huì),F(xiàn)lash產(chǎn)能的困境能否早日抒解,成為真正影響UFS茁壯的關(guān)鍵因素了。
          • 關(guān)鍵字: Flash  UFS  

          被傳產(chǎn)線遭受重大化學(xué)污染 武漢新芯發(fā)聲明回應(yīng)

          •   如今某些網(wǎng)絡(luò)新聞媒體缺乏基本的職業(yè)道德,為博眼球胡謅瞎報(bào),誤導(dǎo)群眾,損人又害己,更有可能會(huì)影響NOR Flash行業(yè)良性發(fā)展。   歪曲報(bào)道如下:   武漢新芯廠內(nèi)傳出化學(xué)污染事件,雖然沒(méi)有造成人員傷亡,但是造成NOR Flash產(chǎn)線制程污染,影響產(chǎn)能在9000片左右,市場(chǎng)預(yù)料,將造成NOR Flash產(chǎn)能缺口。   由于美光及賽普拉斯(Cypress)相繼退出中低容量的NOR Flash市場(chǎng),使中低容量產(chǎn)品全球供給量遭遇缺口,現(xiàn)在武漢新芯受到化學(xué)污染,有望再度推升NOR Flash報(bào)價(jià),市場(chǎng)最
          • 關(guān)鍵字: 武漢新芯  NOR   

          基于ZigBee技術(shù)的家居智能無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)

          • 介紹了一種基于ZigBee技術(shù)的智能家居無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。重點(diǎn)闡述了該系統(tǒng)的組成、通訊協(xié)議以及無(wú)線節(jié)點(diǎn)的軟硬件設(shè)計(jì)。
          • 關(guān)鍵字: UART  ZigBee  ACLK  Flash  
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          spi nor flash介紹

          您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條spi nor flash!
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