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          基于SRAM和DRAM結(jié)構(gòu)的大容量FIFO的設(shè)計(jì)

          • 分別基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E,介紹了采用兩種不同的RAM結(jié)構(gòu),通過(guò)CPLD來(lái)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)大容量FIFO的方法。
          • 關(guān)鍵字: SRAM  DRAM  FIFO  大容量    

          ATmegal28擴(kuò)展512KB掉電保護(hù)SRAM方案

          •   如今,電子技術(shù)發(fā)展迅猛,尤其是單片機(jī)已廣泛地應(yīng)用于通信、交通、家用電器、便攜式智能儀表和機(jī)器人制作等領(lǐng)域,產(chǎn)品功能、精度和質(zhì)量均有大幅度提高,且電路簡(jiǎn)單,故障率低,可靠性高,價(jià)格低廉。在單片機(jī)的某些應(yīng)用中,如果不對(duì)系統(tǒng)的外部SRAM進(jìn)行擴(kuò)展,就不能滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)的要求。因此如何擴(kuò)展、擴(kuò)展什么類(lèi)型的芯片、擴(kuò)展的容量多大就成為值得考慮的問(wèn)題。這個(gè)問(wèn)題解決的好與壞直接關(guān)系到項(xiàng)目的成敗。本文介紹在AVR ATmegal28中如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展掉電數(shù)據(jù)不丟失的512 KB SRAM的方案。   1 系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu)  
          • 關(guān)鍵字: ATmegal28 SRAM  

          TMS320C61416 EMIF下雙FPGA加載設(shè)計(jì)

          •   基于SRAM結(jié)構(gòu)的FPGA容量大,可重復(fù)操作,應(yīng)用相當(dāng)廣泛;但其結(jié)構(gòu)類(lèi)似于SRAM,掉電后數(shù)據(jù)丟失,因此每次上電時(shí)都需重新加載。   目前實(shí)現(xiàn)加載的方法通常有兩種:一種是用專(zhuān)用Cable通過(guò)JTAG口進(jìn)行數(shù)據(jù)加載,另一種是外掛與該FPGA廠商配套的PROM芯片。前者需要在PC機(jī)上運(yùn)行專(zhuān)用的加載軟件,直接下載到FPGA片內(nèi),所以掉電數(shù)據(jù)仍然會(huì)丟失,只適用于FPGA調(diào)試階段而不能應(yīng)用于工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的數(shù)據(jù)加載。   后者雖然可以解決數(shù)據(jù)丟失問(wèn)題,但這種專(zhuān)用芯片成本較高,供貨周期也較長(zhǎng)(一般大于2個(gè)月),使F
          • 關(guān)鍵字: SRAM  TMS320C61416  FPGA  

          鐵電存儲(chǔ)器1T單元C-V特性的計(jì)算機(jī)模擬

          •   鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)具備可存儲(chǔ)大量資料的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)與高速運(yùn)作的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的優(yōu)點(diǎn),且在斷電后,資料不會(huì)消失,亦具備快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。在所有非易失性存儲(chǔ)器(NVM)中,鐵電存儲(chǔ)器件被認(rèn)為是最有吸引力的用于IT的存儲(chǔ)器件之一[1]。1T單元體積更小,集成度更高。特別是這種方式易于實(shí)現(xiàn)多值存儲(chǔ),在相同規(guī)模下可以達(dá)到更高的存儲(chǔ)容量,因而在提高性價(jià)比方面具有極大的優(yōu)勢(shì)。   為了系統(tǒng)地從理論上研究鐵電存儲(chǔ)器IT單元特性,米勒首先提出了數(shù)學(xué)模型[2]。后人也有用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)、依據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得到的
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  SRAM  NVM  存儲(chǔ)器  

          基于DBL結(jié)構(gòu)的嵌入式64kb SRAM的低功耗設(shè)計(jì)

          •        針對(duì)嵌入式系統(tǒng)的低功耗要求,采用位線分割結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)陣列分塊譯碼結(jié)構(gòu),完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設(shè)計(jì)。         與一般布局的存儲(chǔ)器相比,采用這兩種技術(shù)使存儲(chǔ)器的功耗降低了43% ,而面積僅增加了18%。          
          • 關(guān)鍵字: DBL  嵌入式系統(tǒng)  SRAM  低功耗  嵌入式  

          從過(guò)去到未來(lái)

          • 如果你認(rèn)為過(guò)去的歸過(guò)去,未來(lái)的歸未來(lái),那么你就錯(cuò)了,因?yàn)闆](méi)有過(guò)去就不會(huì)有現(xiàn)在,沒(méi)有現(xiàn)在當(dāng)然就不會(huì)有未來(lái)。然而過(guò)去、現(xiàn)在、未來(lái)之間是如何相互依存的呢?從某方面來(lái)說(shuō)這是神秘難以解答的一件事,但簡(jiǎn)單來(lái)講就是靠記憶的作用,過(guò)去雖然不存在了,卻可以回想,未來(lái)雖然還沒(méi)有決定,現(xiàn)在卻可以一步步去計(jì)劃、設(shè)想與實(shí)踐
          • 關(guān)鍵字: NVM  SRAM  DRAM  

          基于SRAM編程技術(shù)的PLD核心可重構(gòu)電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

          • 本文針對(duì) CPLD的核心可編程結(jié)構(gòu):P-Term和可編程互連線,采用2.5V、0.25μmCMOS工藝設(shè)計(jì)了功能相近的基于SRAM編程技術(shù)的可重構(gòu)電路結(jié)構(gòu)。
          • 關(guān)鍵字: SRAM  PLD  編程技術(shù)  核心    

          用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用

          •   摘要:首先對(duì)采用SRAM工藝的FPGA的保密性和加密方法進(jìn)行原理分析,然后提出一種實(shí)用的采用單片機(jī)產(chǎn)生長(zhǎng)偽隨機(jī)碼實(shí)現(xiàn)加密的方法,并詳細(xì)介紹具體的電路和程序。     關(guān)鍵詞:靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM) 現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA) 加密   在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性,而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置,這就使得可以通過(guò)監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流,進(jìn)行克隆
          • 關(guān)鍵字: 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)  現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)  加密  MCU和嵌入式微處理器  

          單片機(jī)SRAM工藝的FPGA加密應(yīng)用

          • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性,而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置,這就使得可以通過(guò)監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流,進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此,在關(guān)鍵、核心設(shè)備中,必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。       1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問(wèn)題       通常,采用SRAM工藝的
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  SRAM  FPGA  加密  嵌入式  

          2007年6月12日,瑞薩開(kāi)發(fā)出32納米及以上工藝片上SOI SRAM前瞻技術(shù)

          •   2007年6月12日,瑞薩開(kāi)發(fā)出一種可在32 nm(納米)及以上工藝有效實(shí)現(xiàn)SRAM的技術(shù),以用于集成在微處理器或SoC(系統(tǒng)級(jí)芯片)中的片上SRAM。
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  SRAM  Renesas  

          揚(yáng)長(zhǎng)補(bǔ)短發(fā)展FeRAM

          •   存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬(wàn)能膏藥,或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨(dú)的存儲(chǔ)元件,有數(shù)據(jù)計(jì)算和程序存儲(chǔ)的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單的分成易失性和非易失性兩部分,它們各有所長(zhǎng),應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。   易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM,SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù),但是RAM 類(lèi)型的存儲(chǔ)器易于使用、性能好。非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲(chǔ)器均源自于ROM(只讀存儲(chǔ)器)技術(shù),包
          • 關(guān)鍵字: DRAM  FeRAM  RAM  SRAM  存儲(chǔ)器  

          瑞薩科技與松下開(kāi)發(fā)新SRAM制造技術(shù)

          •   瑞薩科技(Renesas Technology Corp.)與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布,共同開(kāi)發(fā)出一種新技術(shù),可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)穩(wěn)定工作。這種SRAM可嵌入在SoC(系統(tǒng)(集成)芯片)器件和微處理器(MPU)當(dāng)中。經(jīng)測(cè)試證實(shí),采用該技術(shù)的512Kb SRAM的實(shí)驗(yàn)芯片,可以在寬泛的溫度條件下(-40℃-125℃)穩(wěn)定工作,而且在工藝發(fā)生變化時(shí)具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實(shí)驗(yàn)的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產(chǎn),集成了兩種不同的存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì),一個(gè)元
          • 關(guān)鍵字: SRAM  瑞薩科技  松下  存儲(chǔ)器  

          新一代非易失性存儲(chǔ)器——NVSRAM的原理和應(yīng)用

          • 摘要: 本文介紹了針對(duì)高端存儲(chǔ)應(yīng)用的最新非易失性存儲(chǔ)器NVSRAM??梢愿鶕?jù)應(yīng)用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)。關(guān)鍵詞: Flash;EEPROM;SRAM;NVSRAM 概述眾所周知,在非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域,市場(chǎng)熱度節(jié)節(jié)攀升。近日,SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫(xiě),即為非易失性SRAM。本文將比較各類(lèi)非易失性存儲(chǔ)器,并介紹NVSRAM的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì), NVSRAM 的應(yīng)用以及工作方式。 非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用
          • 關(guān)鍵字: 0701_A  NVSRAM  SRAM  消費(fèi)電子  雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊  存儲(chǔ)器  消費(fèi)電子  

          用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用

          • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性,而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置,這就使得可以通過(guò)監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流,進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此,在關(guān)鍵、核心設(shè)備中,必須采用加密技術(shù)保護(hù)設(shè)計(jì)者的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問(wèn)題   通常,采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法主要有三種:由計(jì)算機(jī)通過(guò)下載電纜配置、用專(zhuān)用配置芯片(如Altera公司的EPCX系列芯片)配置、采用存儲(chǔ)器
          • 關(guān)鍵字: FPGA  SRAM  單片機(jī)  加密  嵌入式系統(tǒng)  存儲(chǔ)器  

          網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中的SRAM

          • 引言同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎,用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里,這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而,隨著新存儲(chǔ)技術(shù)的出現(xiàn),系統(tǒng)設(shè)計(jì)師為SRAM找到了新的用武之地,如:NetFlow(網(wǎng)流)、計(jì)數(shù)器、統(tǒng)計(jì)、包緩沖、隊(duì)列管理和存儲(chǔ)分配器。 如今,人們對(duì)所有路由器和交換機(jī)的要求都不僅限于FIB(轉(zhuǎn)發(fā)信息庫(kù))搜索。計(jì)數(shù)器需要跟蹤接受服務(wù)的信息包數(shù)量,并獲取統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)來(lái)解決帳單編制問(wèn)題。通過(guò)統(tǒng)計(jì)來(lái)連續(xù)監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)(被稱(chēng)為NetFlow),從而完成問(wèn)題檢測(cè)和判定。隨著每個(gè)信息包處理量的增加,需要采用包
          • 關(guān)鍵字: IPV6  SRAM  存儲(chǔ)器  通訊  網(wǎng)絡(luò)  無(wú)線  存儲(chǔ)器  
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