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          一種基于FPGA 的嵌入式塊SRAM 的設(shè)計
          
                                                            
            
                    	
          •     摘　要：文章中提出了一種應用于FPGA 的嵌入式可配置雙端口的塊存儲器。該存儲器包括與其他電路的布線接口、可配置邏輯、可配置譯碼、高速讀寫電路。在編程狀態(tài)下，可對所有存儲單元進行清零，且編程后為兩端口獨
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          • 關(guān)鍵字：
                        FPGA  SRAM  嵌入式                            
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          基于FPGA 的嵌入式塊SRAM 的設(shè)計
          
                                                            
            
                    	
          •   摘　要：文章中提出了一種應用于FPGA 的嵌入式可配置雙端口的塊存儲器。該存儲器包括與其他電路的布線接口、可配置邏輯、可配置譯碼、高速讀寫電路。在編程狀態(tài)下，可對所有存儲單元進行清零，且編程后為兩端口獨立
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          • 關(guān)鍵字：
                        FPGA  SRAM  嵌入式                            
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          起因于RTN的SRAM誤操作進行觀測并模擬的方法
          
                                                            
            
                    	
          • 瑞薩電子開發(fā)出了對起因于隨機電報噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進行觀測并實施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當設(shè)定針對RTN的設(shè)計余度。該公司已在ldquo
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          • 關(guān)鍵字：
                        SRAM  RTN  模擬  方法                            
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          賽普拉斯最新推出65-nm 36-Mbit 和18-Mbit器件
          
                                                            
            
                    	
          • 　　RAM業(yè)界的領(lǐng)導者賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速? (QDR?) 和雙倍速 (DDR) SRAM，這些新產(chǎn)品是其65-nm SRAM 系列產(chǎn)品中的最新成員。這些新的存儲器件完善了業(yè)界最寬的65-nm同步SRAM產(chǎn)品線，最高容量可達144Mbit，速度最快可達550MHz。賽普拉斯擁有專利的工藝技術(shù)最多可將90-nmSRAM的功耗降低50%，引領(lǐng)了“綠色”網(wǎng)絡架構(gòu)應用的新潮流。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        賽普拉斯  SRAM                          
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          基于位線循環(huán)充電SRAM模式的自定時電路設(shè)計
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著集成電路的密度和工作頻率按照摩爾定律所描述的那樣持續(xù)增長，使得高性能和低功耗設(shè)計已成為芯片設(shè)計的主流。在微處理器和SoC中，存儲器占據(jù)了大部分的芯片面積，而且還有持續(xù)增加的趨勢。這使存儲器中的字線長度和位線長度不斷增加，增加了延時和功耗。因此，研究高速低功耗存儲器的設(shè)計技術(shù)對集成電路的發(fā)展具有重要意義。對SRAM存儲器的低功耗設(shè)計技術(shù)進行研究，在多級位線位SRAM結(jié)構(gòu)及工作原理基礎(chǔ)上，以改善SRAM速度和功耗特性為目的，設(shè)計了基于位線循環(huán)充電結(jié)構(gòu)的雙模式自定時SRAM，其容量為8K×32 b。
            
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        定時  電路設(shè)計  模式  SRAM  循環(huán)  充電  基于                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          賽普拉斯72-Mbit SRAM受業(yè)界重視
          
                                                            
            
                    	
          • 　　SRAM市場的領(lǐng)導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，全球領(lǐng)先的通訊設(shè)備和網(wǎng)絡解決方案供應商中興公司在其新型ZXCME 9500系列以太網(wǎng)交換機中選用了賽普拉斯的QDR?II+ (四倍速?) SRAM器件。賽普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市場上最快的550MHz的時鐘頻率下工作，且擁有市場上最寬泛的產(chǎn)品選擇范圍，并能提供業(yè)界最多的參考設(shè)計。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        賽普拉斯  交換機  SRAM                          
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          中興新型以太網(wǎng)交換機選用賽普拉斯的72-Mbit SRAM
          
                                                            
            
                    	
          • 普拉斯半導體公司日前宣布通訊設(shè)備和網(wǎng)絡解決方案供應商中興公司在其新型ZXCME 9500系列以太網(wǎng)交換機中選用了賽普拉斯的QDRtrade;II+ (四倍速trade;) SRAM器件。賽普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市場上
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          • 關(guān)鍵字：
                        普拉  72-Mbit  SRAM  賽普  選用  新型  以太網(wǎng)  交換機  中興                          
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          基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設(shè)計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲的設(shè)計,　1 前言　針對FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來改進設(shè)計的方法，并給出了部分VHDL程序?！　? 硬件設(shè)計　　這里將主要討論以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61
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          • 關(guān)鍵字：
                        存儲  設(shè)計  數(shù)據(jù)  大容量  FPGA  SRAM  基于                          
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          SRAM在網(wǎng)絡中的應用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　同步SRAM的傳統(tǒng)應用領(lǐng)域是搜索引擎，用于實現(xiàn)算法。在相當長的一段時間里，這都是SRAM在網(wǎng)絡中發(fā)揮的主要作用。然而，隨著新存儲技術(shù)的出現(xiàn)，系統(tǒng)設(shè)計師為SRAM找到了新的用武之地，如：NetFlow(網(wǎng)流)、計數(shù)器、統(tǒng)
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          • 關(guān)鍵字：
                        應用  網(wǎng)絡  SRAM                          
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          SRAM特點及工作原理
          
                                                            
            
                    	
          • SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù).　　基本簡介　　SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一
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          • 關(guān)鍵字：
                        SRAM  工作原理                            
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          基于SRAM工藝FPGA的保密性問題
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監(jiān)視配置
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          • 關(guān)鍵字：
                        保密性  問題  FPGA  工藝  SRAM  基于                          
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          賽普拉斯推出全球首款32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　賽普拉斯半導體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非常快的響應時間和最小化的封裝尺寸。目標應用領(lǐng)域包括存儲服務器、交換機和路由器、測試設(shè)備、高端安全系統(tǒng)和軍事系統(tǒng)。
　　CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問時間可達12ns。器件采用符合RoHS標準的48-B
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          • 關(guān)鍵字：
                        賽普拉斯  SRAM                          
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          分析美光沖得那么快能堅持多久？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　編者點評：存儲器是半導體業(yè)的風向標。它的特點起伏大，幾乎每十年有一次大的變動及盈利一年要虧損2-3年。另一個是反映半導體制造工藝能力水平，通常新建生產(chǎn)線會采用SRAM工藝來通線及會盡可能的采用最先進工藝技術(shù)。另外存儲器的產(chǎn)值約占半導體的23%，但其投資會占到半導體的40-60%。盡管看似供求市場決定它的周期變化, 非常簡單,然而實際上操作很難。所以韓，美包括臺灣地區(qū)都不會輕易退出此領(lǐng)域。中國是全球最大的半導體市場, 從長遠戰(zhàn)略看不該缺席存儲器。
　　美光公司報道它的季度業(yè)績由虧損3億美元轉(zhuǎn)變到盈利9
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          • 關(guān)鍵字：
                        美光  存儲器  SRAM                          
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           SoC用低電壓SRAM技術(shù)
          
                                                            
            
                    	
          • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化，可抑制SRAM的最
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          • 關(guān)鍵字：
                        SRAM  SoC  低電壓                            
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          瑞薩開發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術(shù)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術(shù)，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導體電路技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品，該公司試制出了bit密度達到業(yè)界最高水平的SRAM，并確認了其工作性能。主要用于實現(xiàn)40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。
　　在So
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          • 關(guān)鍵字：
                        瑞薩電子  SRAM  CMOS                          
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