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全球存儲及觸摸感應領導廠商賽普拉斯簽約世強合力開拓中國成長型新市場
- 前不久，全球高性能、混合信號、可編程解決方案的領先供應商賽普拉斯(Cypress)簽下中國本土最具實力的分銷商世強(Sekorm)，由后者負責其全線產(chǎn)品包括PSoC®可編程片上系統(tǒng)器件、觸摸感應解決方案、SRAM和非易失性存儲器、USB控制器等等在中國區(qū)的分銷業(yè)務。 賽普拉斯全球分銷高級總監(jiān)Kamal Haddad表示很高興找到了值得信賴的分銷伙伴一起開拓市場，中國市場對賽普拉斯非常重要，世強將在開拓新市場的同時，直接支持新的設計，擴展客戶基礎并建立持續(xù)的合作關系。 賽普拉斯198
- 關鍵字： Cypress Sekorm PSoC SRAM
基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設計與實現(xiàn)
- 1 引言 FIFO(First In First Out)是一種具有先進先出存儲功能的部件。在高速數(shù)字系統(tǒng)當中通常用作數(shù)據(jù)緩存。在高速數(shù)據(jù)采集、傳輸和實時顯示控制領域中.往往需要對大量數(shù)據(jù)進行快速存儲和讀取，而這種先進先出的結構特點很好地適應了這些要求，是傳統(tǒng)RAM無法達到的。 許多系統(tǒng)都需要大容量FIFO作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個FIFO芯片級聯(lián)擴展，這往往導致系統(tǒng)結構復雜，成本高。本文分別針對Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件，介紹了使用CPLD進行接口連接和編程控制，來
- 關鍵字： FIFO SRAM DRAM CPLD
賽普拉斯加強在中國和韓國的分銷力量 增加五家新代理商
- 賽普拉斯半導體公司日前宣布，已經(jīng)與中國及韓國的五家新代理商達成協(xié)議。即日起，中國的大豆科技、世強和利爾達，韓國的HB公司和STC公司將加入賽普拉斯的銷售隊伍。這些分銷合作伙伴將銷售賽普拉斯的全線產(chǎn)品，包括PSoC?可編程片上系統(tǒng)器件、觸摸感應解決方案、SRAM和非易失性存儲器、USB控制器等等。 賽普拉斯全球分銷高級總監(jiān)Kamal Haddad說：“我們很高興和這些值得信賴的合作伙伴一起拓展我們的分銷渠道。中國和韓國市場對于賽普拉斯來說非常重要，這五個合作伙伴將協(xié)助我們將各類產(chǎn)品滲透到新增的65個分
- 關鍵字： 賽普拉斯 PSoC SRAM
賽普拉斯發(fā)布異步SRAM
- 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正代碼(ECC)的16Mb快速異步SRAM 已開始出樣。片上ECC功能可使新的SRAM具有最高水準的數(shù)據(jù)可靠性，而無需另外的錯誤校正芯片，從而簡化設計并節(jié)省電路板空間。該器件可確保工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療、消費電子和汽車等應用領域里的數(shù)據(jù)安全。 背景輻射造成的軟錯誤可損壞存儲內(nèi)容，丟失重要數(shù)據(jù)。賽普拉斯新型異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有錯誤校正動作，無需用戶干預，因而具有業(yè)界最佳的軟錯誤(S
- 關鍵字： 賽普拉斯 SRAM ECC
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應用
- 靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持數(shù)據(jù)不丟失?！ ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
東芝產(chǎn)出從深度休眠模式快速喚醒的極低泄漏SRAM
- 東芝公司(Toshiba Corporation,TOKYO:6502)今天宣布，該公司已經(jīng)開發(fā)出適用于低功耗微控制器備用RAM的極低泄漏65納米靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)，它可以實現(xiàn)從深度休眠模式快速喚醒。 東芝于2月11日在2014年美國電氣和電子工程師協(xié)會(IEEE)國際固態(tài)電路會議上公布了這一進展，此次大會在加州舊金山舉行。 可穿戴式設備、醫(yī)療保健工具和智能電表等低功耗系統(tǒng)對較長的電池放電時間存在強勁需求。降低這些系統(tǒng)所使用微控制器的功耗存在許多挑戰(zhàn)，隨著工藝的升級換代，泄漏電流的
- 關鍵字： 東芝 SRAM
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