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          SoC低電壓SRAM技術(shù)介紹

          • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,發(fā)布了采用09年開(kāi)始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過(guò)控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化,可抑
          • 關(guān)鍵字: SRAM  SoC  低電壓    

          SRAM在網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用分析

          • 同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎,用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里,這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而,隨著新存儲(chǔ)技術(shù)的出現(xiàn),系統(tǒng)設(shè)計(jì)師為SRAM找到了新的用武之地,如:NetFlow(網(wǎng)流)、計(jì)數(shù)器、統(tǒng)計(jì)、
          • 關(guān)鍵字: 分析  應(yīng)用  網(wǎng)絡(luò)  SRAM  

          基于SRAM的FPGA配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式解析方案

          • 1.引言由于FPGA 良好的可編程性和優(yōu)越的性能表現(xiàn),當(dāng)前采用FPGA 芯片的嵌入式系統(tǒng)數(shù)量呈現(xiàn)迅速增加的趨勢(shì),特別是在需要進(jìn)行大規(guī)模運(yùn)算的通信領(lǐng)域。目前FPGA 配置數(shù)據(jù)一般使用基于SRAM 的存儲(chǔ)方式,掉電后數(shù)據(jù)消失,
          • 關(guān)鍵字: SRAM  FPGA  數(shù)據(jù)存儲(chǔ)  方式    

          基于SRAM工藝FPGA的加密方法介紹

          • 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級(jí)特性,而得到了廣泛的應(yīng)用。由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置,這就使得可以通過(guò)監(jiān)視配置
          • 關(guān)鍵字: 方法  介紹  加密  FPGA  SRAM  工藝  基于  

          嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用中NV SRAM存儲(chǔ)器的應(yīng)用

          • 嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用中NV SRAM存儲(chǔ)器的應(yīng)用,傳統(tǒng)方案中常常采用EPROM、EEPROM和Flash存儲(chǔ)程序,NVSRAM具有高速存取時(shí)間和與SRAM相同的接口,因而可用于存儲(chǔ)程序。本文介紹NVSRAM如何與基于程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的微處理器進(jìn)行接口,并說(shuō)明選用NVSRAM與現(xiàn)有的其它非易
          • 關(guān)鍵字: 應(yīng)用  存儲(chǔ)器  SRAM  NV  嵌入式  系統(tǒng)  

          DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

          • DS1265W 8Mb非易失(NV)SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電 ...
          • 關(guān)鍵字: DS1265W  SRAM  

          DS1250 4096k、非易失SRAM

          • DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自 ...
          • 關(guān)鍵字: DS1250  4096k  SRAM  

          DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

          • DS1250W 3.3V 4096k NVSRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰 ...
          • 關(guān)鍵字: DS1250W  3.3V  4096k  全靜態(tài)  SRAM  

          一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計(jì)方法

          SoC用低電壓SRAM技術(shù)

          • 東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,發(fā)布了采用09年開(kāi)始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過(guò)控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化,可抑
          • 關(guān)鍵字: SRAM  SoC  低電壓    

          Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì)

          • Linux下ColdFire片內(nèi)SRAM的應(yīng)用程序優(yōu)化設(shè)計(jì),本文以MP3解碼器為例,介紹了一種在嵌入式Linux系統(tǒng)下配置使用處理器片內(nèi)SRAM的應(yīng)用方案,有效提高了代碼的解碼效率,降低了執(zhí)行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。1 硬件平臺(tái)和軟件架構(gòu)硬件平臺(tái)采
          • 關(guān)鍵字: 優(yōu)化  設(shè)計(jì)  應(yīng)用程序  SRAM  ColdFire  片內(nèi)  Linux  

          使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)

          • 使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開(kāi)發(fā)人員所采用的利器,因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程,不需要增添任何額外的工藝步驟。如圖1a中所示的那樣
          • 關(guān)鍵字: SoC  存儲(chǔ)器  設(shè)計(jì)  ASIC  嵌入式  SRAM  工藝  實(shí)現(xiàn)  使用  

          基于FPGA與外部SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

          • 1引言我們將針對(duì)FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn),提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來(lái)改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法,并給出...
          • 關(guān)鍵字: FPGA  SRAM  

          富士通與SuVolta展示其SRAM可在0.4伏低壓下工作

          •   富士通半導(dǎo)體有限公司和SuVolta公司宣布,通過(guò)將SuVolta的PowerShrink 低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成,已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))模塊可以正常運(yùn)行。這些技術(shù)降低能耗,為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果會(huì)在12月5日開(kāi)始在華盛頓召開(kāi)的2011年國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。   從移動(dòng)電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務(wù)器,以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應(yīng)電
          • 關(guān)鍵字: 富士通  SRAM  

          富士通和SuVolta展示低電壓工作的SRAM模塊

          •   富士通半導(dǎo)體和SuVolta宣布,通過(guò)將SuVolta的PowerShrink低功耗CMOS與富士通半導(dǎo)體的低功耗工藝技術(shù)集成,已經(jīng)成功地展示了在0.425V超低電壓下,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ))模塊可以正常運(yùn)行。這些技術(shù)降低能耗,為即將出現(xiàn)的終極“生態(tài)”產(chǎn)品鋪平道路。技術(shù)細(xì)節(jié)和結(jié)果將會(huì)在12月5日開(kāi)始在華盛頓召開(kāi)的2011年國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。   從移動(dòng)電子產(chǎn)品到因特網(wǎng)共享服務(wù)器,以及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,控制功耗成為增加功能的主要限制。而供應(yīng)電壓又是決定功耗的重要因素
          • 關(guān)鍵字: 富士通  SRAM   
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