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使用高速SRAM設(shè)計(jì)電池支持型存儲器
- 嵌入式系統(tǒng)的性能取決于其軟硬件能力。一個(gè)編寫合理的軟件可以利用硬件的所有能力發(fā)揮后者的最大性能。與此類似，無論軟件設(shè)計(jì)多么合理，低效的硬件都可能影響系統(tǒng)性能?！ ?shù)十年來，傳統(tǒng)嵌入式系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)一直沒有改變。圖1顯示了一個(gè)典型嵌入式系統(tǒng)的框圖。一個(gè)微控制器和一個(gè)微處理器位于系統(tǒng)的核心。按照具體應(yīng)用，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可根據(jù)需要刪減接口和外設(shè)。如果控制器的內(nèi)置存儲器不足，就需要使用閃存、SRAM、DRAM等外置存儲器。通常而言，閃存用于存儲控制器執(zhí)行的代碼，而SRAM用于存儲運(yùn)行時(shí)臨時(shí)變量和保存重要的應(yīng)用數(shù)據(jù)塊
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Zeno開發(fā)特殊SRAM 可提升MOS結(jié)構(gòu)效能
- Zeno Semiconductor日前開發(fā)出將最小靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)納入單一MOS電晶體技術(shù)，不僅其采用記憶單元(bit-cell)數(shù)量變多，存取時(shí)間也可大幅縮短4成。 據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，Zeno在國際電子零組件會議(International Electron Devices Meeting)上展示這項(xiàng)新技術(shù)。Zeno執(zhí)行董事長Zvi Or-Bach表示，該技術(shù)之所以讓N型MOS電晶體做為穩(wěn)定SRAM，主要是透過采
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10nm SRAM、10核心芯片亮相ISSCC
- 一年一度的“國際固態(tài)電路會議”(ISSCC)將在明年2月舉行，幾乎所有重要的晶片研發(fā)成果都將首度在此公開發(fā)布，讓業(yè)界得以一窺即將面世的最新技術(shù)及其發(fā)展趨勢。三星(Samsung)將在ISSCC 2016發(fā)表最新的10nm制程技術(shù)、聯(lián)發(fā)科(MediaTek)將展示采用三叢集(Tri-Cluster)架構(gòu)搭載十核心的創(chuàng)新行動SoC。此外，指紋辨識、視覺處理器與3D晶片堆疊以及更高密度記憶體等技術(shù)也將在此展示最新開發(fā)成果。 三星將提供更多DRAM與快
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三星成功開發(fā)10納米FinFET SRAM 10納米邏輯制程量產(chǎn)更近一步
- 在英特爾(Intel)、臺積電的SRAM仍停留在14納米、16納米制程時(shí)，三星電子(Samsung Electronics)已搶先研發(fā)出10納米FinFET制程SRAM，這也意味著距離10納米邏輯芯片量產(chǎn)更近一步。 速度較DRAM快的SRAM，可運(yùn)用為中央處理器(CPU)緩存存儲器。完成研發(fā)10納米SRAM，也意味著三星在同制程系統(tǒng)芯片生產(chǎn)準(zhǔn)備作業(yè)正順利進(jìn)行。照此趨勢，2017年初將可正式量產(chǎn)采10納米制程的移動應(yīng)用處理器(AP)。10納米AP將與GB級數(shù)據(jù)機(jī)芯片整合，移動裝置速度將更快。 據(jù)南韓
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串行和并行接口SRAM對比
- 外置SRAM通常配有一個(gè)并行接口?？紤]到大多數(shù)基于SRAM的應(yīng)用的存儲器要求，選擇并行接口并不令人驚訝。對于已經(jīng)(和仍在)使用SRAM的高性能(主要是緩存)應(yīng)用而言，與串行接口相比，并行接口擁有明顯優(yōu)勢。但這種情況似乎即將改變。 盡管能夠提供高于串行接口的性能，但并行接口也有劣勢。其中最明顯的是，無論是從電路板空間還是從引腳數(shù)要求的角度而言，并行接口的尺寸都遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于串行接口。例如，一個(gè)簡單的4Mb SRAM最多可能需要43個(gè)引腳才能與一個(gè)控制器相連。在使用一個(gè)4Mb SRAM時(shí)，我們的要求可能如
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 SRAM
PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存儲器比較
- PROM、EEPROM、FLASH的總結(jié)性區(qū)別 EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構(gòu)。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個(gè)附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結(jié)構(gòu)，所以可以單元讀/寫。技術(shù)上，F(xiàn)LASH是結(jié)合EPROM和EEPRO
- 關(guān)鍵字： SRAM DRAM
存儲器革新將引發(fā)電子產(chǎn)業(yè)蝴蝶效應(yīng)？
- 經(jīng)過幾十年的發(fā)展，電子產(chǎn)業(yè)幾乎已成為一個(gè)線性系統(tǒng)，并被摩爾定律(Moore‘sLaw)左右。然而隨著摩爾定律逐漸出現(xiàn)松動，越來越多新技術(shù)開始浮上臺面。這些技術(shù)不僅僅是既有技術(shù)的改進(jìn)，而是全面的變革。電子產(chǎn)業(yè)可望借由這些新技術(shù)轉(zhuǎn)型成為非線性系統(tǒng)，推翻多年來電子產(chǎn)業(yè)所定立的主張。 存儲器技術(shù)近年的發(fā)展，可能就此改變存儲器與處理技術(shù)在1940年代便已確立的關(guān)系。連續(xù)存儲器配置的效率盡管不斷受到挑戰(zhàn)，但系統(tǒng)的惰性使得這種配置幾十年來維持不變。 即使在對稱多處理系統(tǒng)中，存儲器的配置仍多是
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ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
- ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。 ROM在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算 機(jī)的內(nèi)存。 RAM 有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設(shè)備了，但 是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱為動態(tài)RA
- 關(guān)鍵字： ROM RAM SRAM
賽普拉斯推出具備片上錯(cuò)誤校正碼的高性能同步SRAM，確保卓越的可靠性
- 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)市場領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，推出業(yè)界最高容量的其具有片上錯(cuò)誤校正碼(ECC)的同步SRAM。新的36Mb同步SRAM集成了ECC功能，使之可以提供最高水平的數(shù)據(jù)可靠性，簡化多種軍用、通訊和數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的設(shè)計(jì)。賽普拉斯今年計(jì)劃擴(kuò)充具備ECC功能的同步SRAM產(chǎn)品線，增加其他容量的產(chǎn)品。 由背景輻射引起的軟錯(cuò)誤可損壞存儲器中的內(nèi)容，造成重要數(shù)據(jù)的遺失。賽普拉斯新型同步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有的錯(cuò)誤校正功能，而無需用戶干預(yù)，能達(dá)到業(yè)界最佳的軟
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賽普拉斯的異步SRAM系列又添新丁 具有片上錯(cuò)誤校正碼的4Mb器件橫空出世
- 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)市場領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其具有錯(cuò)誤校正碼(ECC)的4Mb異步SRAM正在出樣。這些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的數(shù)據(jù)可靠性，而無需額外的錯(cuò)誤校正芯片，從而簡化了設(shè)計(jì)，并縮小了電路板尺寸。該器件可在工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療、消費(fèi)及汽車等應(yīng)用中確保數(shù)據(jù)的可靠性。 由背景輻射引起的軟錯(cuò)誤可損壞存儲器中的內(nèi)容，造成重要數(shù)據(jù)的遺失。賽普拉斯新型異步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有的錯(cuò)誤校正功能，而無需用戶干預(yù)，能達(dá)到業(yè)界最
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賽普拉斯的異步SRAM系列又添新丁，具有片上錯(cuò)誤校正碼的4Mb器件橫空出世
- 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)市場領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其具有錯(cuò)誤校正碼(ECC)的4Mb異步SRAM正在出樣。這些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的數(shù)據(jù)可靠性，而無需額外的錯(cuò)誤校正芯片，從而簡化了設(shè)計(jì)，并縮小了電路板尺寸。該器件可在工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療、消費(fèi)及汽車等應(yīng)用中確保數(shù)據(jù)的可靠性。 由背景輻射引起的軟錯(cuò)誤可損壞存儲器中的內(nèi)容，造成重要數(shù)據(jù)的遺失。賽普拉斯新型異步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有的錯(cuò)誤校正功能，而無需用戶干預(yù)，能達(dá)到業(yè)界最
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IBM持續(xù)提升磁帶儲存密度
- IBM Research 宣布創(chuàng)下磁帶(magnetic tape)儲存最高密度的世界紀(jì)錄──在富士(FujiFilm)為其研究案特別開發(fā)的低成本微粒(particulate)磁帶上達(dá)到每平方英寸1,230億位元(123 billion bits)未壓縮資料的儲存密度。該技術(shù)一旦商業(yè)化，可讓今日的6 Gbyte磁帶盒(cartridge)儲存容量擴(kuò)充到220 Terabyte。 負(fù)責(zé)磁帶技術(shù)開發(fā)的IBM Research研究經(jīng)理Mark Lantz表示：“新技術(shù)可確保我們在接下來十年
- 關(guān)鍵字： IBM SRAM
SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式設(shè)計(jì)中的作用
- 上世紀(jì)90年代中期，英特爾決定把SRAM整合到自己的處理器中，這給世界各地的獨(dú)立式SRAM供應(yīng)商帶來“滅頂之災(zāi)”。最大的SRAM市場(PC高速緩存)一夜之間銷聲匿跡，只留下少數(shù)細(xì)分市場應(yīng)用。SRAM的“高性能存儲器(訪問時(shí)間短、待機(jī)功耗小)”價(jià)值主張因其較高的價(jià)格和容量限制(目前的最高容量是288Mb)而高度受限。由于SRAM每個(gè)單元有四到六個(gè)晶體管，幾乎無法與DRAM和閃存競爭(這兩種存儲器每個(gè)單元只有1個(gè)晶體管);每個(gè)單元的晶體管數(shù)越少就意味著板容量
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世界最小延遲的網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)采用賽普拉斯QDR-IV SRAM
- 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)市場領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備制造商Exablaze在其ExaLINK Fusion網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)中選用了賽普拉斯的QDR-IV SRAM。該交換機(jī)采用了一種將賽靈思Ultrascale FPGA與QDR-IV存儲器對接的模塊化設(shè)計(jì)。ExaLINK Fusion采用了賽普拉斯最快的QDR-IV器件，頻率為1066 MHz，是市場上最高隨機(jī)存取速率(RTR)的存儲器。 RTR的意思是每秒完全隨機(jī)存儲器訪問次數(shù)，是影響高速線卡和交換機(jī)速率的存儲器性能關(guān)鍵
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