super junction mosfet 文章 進(jìn)入super junction mosfet技術(shù)社區(qū)
碳化硅用于電機(jī)驅(qū)動
- 0? ?引言近年來，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對從普通電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲的廣泛應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響。SiC 功率器件進(jìn)入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應(yīng)用。電機(jī)在工業(yè)應(yīng)用的總功率中占了相當(dāng)大的比例。它們被用于暖通空調(diào)（HVAC）、重型機(jī)器人、物料搬運(yùn)和許多其他功能。提高電機(jī)驅(qū)動的能效和可靠性是降低
- 關(guān)鍵字： 202106 MOSFET WBG 202106
在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢
- 摘要隨著汽車電動化推進(jìn)，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電應(yīng)用也是方興未艾，越來越多的應(yīng)用領(lǐng)域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應(yīng)用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應(yīng)用表現(xiàn)，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導(dǎo)體進(jìn)行了輸出功率和開關(guān)頻率比較。前言隨著汽車電動化推進(jìn)，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電
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貿(mào)澤電子與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)近日 宣布與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半導(dǎo)體制造商。簽訂本協(xié)議后，貿(mào)澤開始備貨PANJIT 豐富多樣的產(chǎn)品，包括二極管、整流器和晶體管。貿(mào)澤備貨的PANJIT產(chǎn)品線包括高度可靠的汽車級E-Type瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS產(chǎn)品采用外延 (EPI) 平面晶圓工藝，與傳統(tǒng)晶圓工藝相比，該工藝具有高浪涌、低反向電流和更好的箝位電壓
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英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊，適用于1500V太陽能系統(tǒng)和ESS應(yīng)用的快速開關(guān)
- 近日，英飛凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK? 2B模塊。作為英飛凌1200 V系列的產(chǎn)品，該模塊采用有源鉗位三電平（ANPC）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，并集成了CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7器件、NTC溫度傳感器以及PressFIT壓接引腳。此功率模塊適用于儲能系統(tǒng)（ESS）這樣的快速開關(guān)應(yīng)用，還有助于提高太陽能系統(tǒng)的額定功率和能效，并可滿足對1500 V DC-link太陽能系統(tǒng)與日俱增的需求。Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數(shù)（cos φ）范
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Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證
- 空間應(yīng)用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運(yùn)行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因?yàn)檫@類事件會降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運(yùn)行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應(yīng)用認(rèn)證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開關(guān)元件，包括負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電
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安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor)，近日發(fā)布一對1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊，進(jìn)一步增強(qiáng)其用于充滿挑戰(zhàn)的電動車 (EV) 市場的產(chǎn)品系列。隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施，以提供一個快速充電站網(wǎng)絡(luò)，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn)，緊湊性、魯棒性和增強(qiáng)的可靠性都是設(shè)計(jì)人員面
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三星首款MOSFET冰箱變頻器 采用英飛凌600V功率產(chǎn)品
- 英飛凌科技向三星電子供應(yīng)具有最高能源效率及最低噪音的功率產(chǎn)品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開式：RF18A5101SR)變頻式冰箱。變頻是當(dāng)代變頻器設(shè)計(jì)中，采用直流轉(zhuǎn)交流的新興轉(zhuǎn)換趨勢。與傳統(tǒng)的開/關(guān)控制相比，能讓產(chǎn)品應(yīng)用更安靜平穩(wěn)地運(yùn)轉(zhuǎn)，同時也減少平均耗電量。 三星首款在壓縮機(jī)中使用分立式裝置設(shè)計(jì)的冰箱，采用英飛凌多款電源解決方案：EiceDRIVER、CoolSET Gen 5，以及壓縮機(jī)馬達(dá)用的 600V CoolMO
- 關(guān)鍵字： 三星 MOSFET 英飛凌
東芝推出用于隔離式固態(tài)繼電器的光伏輸出光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型S06L封裝的新款光伏輸出光耦（“光伏耦合器”）---“TLP3910”，適用于驅(qū)動高壓功率MOSFET的柵極，這類MOSFET用于實(shí)現(xiàn)隔離式固態(tài)繼電器（SSR）[1]功能。今日開始批量出貨。SSR是以光電可控硅、光電晶體管或光電晶閘管為輸出器件的半導(dǎo)體繼電器，它適用于對大電流執(zhí)行開／關(guān)控制的應(yīng)用。光伏耦合器是一種內(nèi)置光學(xué)器件但不具有用于執(zhí)行開關(guān)功能的MOSFET的光繼電器。在配置隔離式SSR設(shè)計(jì)時，通過將光伏耦合器與MOSFET結(jié)合使用，便
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Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應(yīng)用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統(tǒng)D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場經(jīng)理Neil M
- 關(guān)鍵字： Nexperia 低RDS(on) MOSFET
電子工程師必備！40個模擬電路小常識
- 隨著半導(dǎo)體技術(shù)和工藝的飛速發(fā)展，電子設(shè)備得到了廣泛應(yīng)用，而作為一名電力工程師，模擬電路是一門很基礎(chǔ)的課，對于學(xué)生來說，獲得電子線路基本知識、基本理論和基本技能,能為深入學(xué)習(xí)電子技術(shù)打下基礎(chǔ)。1. 電接口設(shè)計(jì)中，反射衰減通常在高頻情況下變差，這是因?yàn)閹p耗的傳輸線反射同頻率相關(guān)，這種情況下，盡量縮短PCB走線就顯得異常重要。2. 穩(wěn)壓二極管就是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，適用反向擊穿的工作狀態(tài)，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。3. PN結(jié)具有
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IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制
- 溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。半導(dǎo)體硅PTC熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達(dá)到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計(jì)得當(dāng)，可確保模塊正確降額，并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點(diǎn)，采用模擬電路仿真的方法說明功率模
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSFET
集中供電電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)*
- 用于消防控制系統(tǒng)的集中供電電源應(yīng)具備不間斷供電的特性，能夠進(jìn)行電池充電及智能顯示。本文通過半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)主電電路，以STM8S003F3P作為電源的控制單片機(jī)，使用繼電器控制電路實(shí)現(xiàn)主備電無縫切換，使用電池充電電路對蓄電池進(jìn)行智能充電管理，最后搭建實(shí)際電路進(jìn)行驗(yàn)證。驗(yàn)證結(jié)果表明：設(shè)計(jì)的集中供電電源輸出性能指標(biāo)較高，且能夠?qū)崿F(xiàn)不間斷供電及電池充電功能，滿足消防控制系統(tǒng)供電要求。
- 關(guān)鍵字： 集中供電電源 半橋拓?fù)?/a> 充電管理 智能 202104 MOSFET IGBT
通過節(jié)省時間和成本的創(chuàng)新技術(shù)降低電源中的EMI
- 隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集并且互連程度越來越高，降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個關(guān)鍵的系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴(yán)重阻礙設(shè)計(jì)進(jìn)度，浪費(fèi)大量時間和資金，因此必須在設(shè)計(jì)之初就考慮 EMI 問題。開關(guān)模式電源 (SMPS) 是現(xiàn)代技術(shù)中普遍使用的電路之一，在大多數(shù)應(yīng)用中，該電路可提供比線性穩(wěn)壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價的，因?yàn)?SMPS 中功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的開關(guān)會產(chǎn)生大量 EMI，進(jìn)而影響電路可靠性。EMI 主要來自不連續(xù)的輸入電流、開關(guān)節(jié)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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