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應用筆記140 第2/3部分 - 開關模式電源基礎知識
- 為何使用開關模式電源？顯然是高效率。在SMPS中，晶體管在開關模式而非線性模式下運行。這意味著，當晶體管導通并傳導電流時，電源路徑上的壓降最小。當晶體管關斷并阻止高電壓時，電源路徑中幾乎沒有電流。因此，半導體晶體管就像一個理想的開關。晶體管中的功率損耗可減至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是設計人員使用SMPS而不是線性穩(wěn)壓器或LDO的主要原因，特別是在高電流應用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT開關模式同步降壓電源通?？蓪崿F(xiàn)90%以上的效率，而線性穩(wěn)壓器的效率不到27.5%。這意味著功率
- 關鍵字： MOSFET
健康催生可穿戴多功能需求
- 可穿戴設備廣泛用于娛樂、運動和醫(yī)療健康等領域，作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術嵌入人們的衣著或配件的設備，可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個新發(fā)展機遇，可穿戴設備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實際產(chǎn)品大量普及的過程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長。據(jù)統(tǒng)計，2019年全球可穿戴技術產(chǎn)品市場的規(guī)模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說可穿戴設備已成為過去5年來消費電子領域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴重的新冠疫情影響，部
- 關鍵字： MOSFET VR MR CGM IDC 202009
有助于減輕激光光源電路的設計負擔并提高測距精度
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日確立了一項VCSEL*1模塊技術，該技術通過提高VCSEL的輸出功率，進一步提高了空間識別和測距系統(tǒng)（TOF系統(tǒng)*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作為光源的VCSEL產(chǎn)品和用來驅動光源的MOSFET產(chǎn)品在電路板上是獨立貼裝的。在這種情況下，產(chǎn)品之間的布線長度（寄生電感*3）無意中會影響光源的驅動時間和輸出功率，這就對實現(xiàn)高精度感應所需的短脈沖大功率光源帶來了局限性。ROHM此項新技術的確立，將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個模塊
- 關鍵字： MOSFET VCSEL TOF AGV
內(nèi)置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片
- 一、芯片介紹繼推出5W和20W的開關電源控制IC后，為滿足客戶對更多功率段的需求，金升陽推出內(nèi)置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內(nèi)置高壓MOS 管功率開關的原邊控制開關電源（PSR），采用PFM 調(diào)頻技術，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，穩(wěn)定性和平均效率非常高。由于集成高壓啟動，可以省去外圍的啟動電阻，實現(xiàn)低損耗可靠啟動。同時，該芯片具有可調(diào)節(jié)線性補償功能和內(nèi)置峰值電流補償功能，輸出功率最大可達8W。二、產(chǎn)品應用可廣泛應用于AC
- 關鍵字： MOSFET PSR IC RFM
模塊化參考設計幫助用戶為各種應用選擇不同的功能塊 縮短上市時間、節(jié)省BOM成本及資源
- 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團 近日宣布推出一款48V電動車應用成功產(chǎn)品組合解決方案，可幫助用戶加快電動滑板車、電動自行車、混合動力汽車、UPS和儲能系統(tǒng)的開發(fā)。該參考設計在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應用，如割草機、手推車、機器人清潔器、電動工具、移動電源等。該成功產(chǎn)品組合使用了15個瑞薩IC產(chǎn)品，包括三個關鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強健的HIP2211 100V MOSFET驅動器以及用于電機控制的RX23T 32位
- 關鍵字： MOSFET PWM BLDC MCU
低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---?SiRA99DP?，10?V條件下導通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代?SiRA99DP?導通電阻達到業(yè)內(nèi)最低水平，采用熱增強型6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。日前發(fā)布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43
- 關鍵字： MOSFET
東芝與MikroElektronika展開合作，為電機驅動IC開發(fā)評估板
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，與MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于東芝電機驅動IC的Click boards?開發(fā)評估板。Mikroe是一家設計和制造用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件工具的公司?？蛻衄F(xiàn)在可通過由Mikroe制造和銷售的評估板Click boards?對東芝電機驅動IC進行評估。東芝高度集成的電機驅動IC擁有四十多年的歷史，因得到電機控制系統(tǒng)的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應用中的直流有刷電機、直流無刷電機和步進電機，東芝提供豐富的電機驅動
- 關鍵字： NVM IC MOSFET
5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準
- 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內(nèi)置MOSFET功率開關的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區(qū)時間控制，以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
- 關鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
GaN 器件的直接驅動配置
- 受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關損耗、更佳
- 關鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
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