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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制
- 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數(shù)據(jù)中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能，有助降低各種電源功耗和實現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
- 關鍵字： SiC GaN ROHM
蘋果M1 Ultra封裝是普通CPU的3倍
- 據(jù)外媒videocardz報道，Mac Studio的全面拆解表明，蘋果最新的M1 Ultra芯片到底有多大。此多芯片模塊包含兩個使用 UltraFusion 技術相互連接的 M1 max 芯片。需要注意的是，這款超大型封裝還包含128GB內(nèi)存。不幸的是，在拆卸過程中看不到硅芯片，因為整個封裝被一個非常大的集成散熱器覆蓋。M1 Ultra具有兩個10核CPU和32核GPU。整體有1140億個晶體管。根據(jù)蘋果的基準測試，該系統(tǒng)應該與采用RTX 3090顯卡的高端臺式機競爭。雖然該系統(tǒng)確實功能強大，并
- 關鍵字： 蘋果 M1 Ultra 封裝 CPU
羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試
- 測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號，用于MOS管的驅動④示波器觀察驅動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
- 關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
ST第三代碳化硅技術問世 瞄準汽車與工業(yè)市場應用
- 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明，從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關于如何利用電力科技實現(xiàn)各種節(jié)能目標的具體數(shù)據(jù)，圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計。僅就工業(yè)領域來說，如果能將電力利用效率提升1%，
- 關鍵字： ST 碳化硅 汽車 工業(yè) SiC
蘋果UltraFusion連接技術是如何實現(xiàn)史上最強PC芯片的？
- 3月9日，蘋果發(fā)布了一款顛覆性的產(chǎn)品 —— M1 Ultra芯片，不管是宣傳上還是工藝上，都能夠看出蘋果對它寄予了厚望。M1 Ultra采用了蘋果創(chuàng)新性的UltraFusion封裝架構，通過兩顆M1 Max晶粒的內(nèi)部互連，打造出一款性能與實力都達到空前水平的SoC芯片，可為全新的Mac Studio提供令人震撼的算力，同時依然保持著業(yè)內(nèi)領先的能耗比水平。M1 Ultra性能如何？M1 Ultra支持高達128GB的高帶寬、低延遲統(tǒng)一內(nèi)存，晶體管數(shù)量達到了驚人的1140億個，每秒可運行高達22萬億次運算，提
- 關鍵字： 蘋果 UltraFusion 芯片 M1 Ultra
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