ultra c sic 文章 進(jìn)入ultra c sic技術(shù)社區(qū)
采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效
- 圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實(shí)現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權(quán)衡取舍，一個好例子是既要求達(dá)到服務(wù)器電源的“鈦”標(biāo)準(zhǔn)等能效目標(biāo)，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運(yùn)行。在大部分情況下，會通過升壓轉(zhuǎn)換器部分實(shí)施PFC，升壓轉(zhuǎn)換器會將整流后
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SiC大戰(zhàn)拉開帷幕，中國勝算幾何
- 近些年，隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增，因此也吸引了產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注。在產(chǎn)業(yè)應(yīng)用進(jìn)一步成熟的趨勢下，SiC的爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。碳化硅材料之殤SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底貴，目前，襯底成本大約是加工晶片的50%，外延片是25%，器件晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)20%，封裝測試環(huán)節(jié)5%。SiC襯底不止貴，生產(chǎn)工藝還復(fù)雜，與硅相比，碳化硅很難處理、研磨和鋸切，挑戰(zhàn)非常大。所以大多數(shù)企業(yè)都是從Cree、Rohm等供應(yīng)商購買襯底。SiC器件廣泛用于光伏逆變器、工
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功率半導(dǎo)體－馬達(dá)變頻器內(nèi)的關(guān)鍵組件
- 全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的馬達(dá)，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預(yù)期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅(qū)動馬達(dá)用電效率的需求將會越來越顯著。
- 關(guān)鍵字： IGBT7 SiC MOSFET 馬達(dá)變頻器 功率半導(dǎo)體 英飛凌
以中國帶動世界 意法半導(dǎo)體搶占新能源汽車制高點(diǎn)
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics) 以“意法半導(dǎo)體，科技始之于你”為主題亮相2021年慕尼黑上海電子展，展示其行業(yè)領(lǐng)先的智能出行、電源和能源管理、物聯(lián)網(wǎng)和5G產(chǎn)品及解決方案。 作為意法半導(dǎo)體重要的業(yè)務(wù)領(lǐng)域之一，此次展臺的焦點(diǎn)是一輛智能電動轎跑小鵬P7，這款先進(jìn)的新能源智能汽車的車輛控制單元(VCU)中采用意法半導(dǎo)體的先進(jìn)的多功能芯片L9788，這是首個集成CAN FD收發(fā)器的U-chip解決方案，符合最高的功能性安全標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品競爭優(yōu)勢包括節(jié)省物料清單(BOM)成本、減少印刷電路板(PCB)
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驍龍888望遠(yuǎn)鏡亮相！三星Galaxy S21 Ultra支持100倍變焦
- 今日晚間，三星Galaxy S21系列國行版正式亮相。國行版包括三星Galaxy S21、Galaxy S21+和Galaxy S21 Ultra三款，其中Galaxy S21 Ultra超大杯的影像有大幅升級。在Galaxy S21 Ultra上，三星為其配備了全新的四鏡頭模組，其中主鏡頭使用三星自家的1.08億像素傳感器鏡頭。這顆傳感器由三星全新設(shè)計，支持9in1像素合成技術(shù)，合成后的像素面積可以達(dá)到2.4μm，可以實(shí)現(xiàn)弱光下的降噪能力提升200%，同時這顆鏡頭可以拍攝12 bit的HDR RAW格式
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電動汽車BMS的技術(shù)趨勢及恩智浦的解決方案
- 1? ?電動汽車BMS的技術(shù)趨勢對恩智浦而言，我們所觀察到的電動汽車制造商在規(guī)劃整個車型電氣化過程中正在面對如下挑戰(zhàn)，這也代表了現(xiàn)在技術(shù)發(fā)展的趨勢。1)? ?電池成本的持續(xù)降低是電動車普及以及車廠盈利的重要決勝點(diǎn)。除電芯降本外，還需要不斷優(yōu)化電子電氣以及機(jī)械架構(gòu)，并制作支持自動化組裝的生產(chǎn)線，這樣才能提高生產(chǎn)效率。2)? ?延長里程需要提高比能量，縮短充電時間則要增加比功率，在逐漸挑戰(zhàn)比能量和比功率極限的過程中，電池管理功能安全的等級、診斷的精度
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SiC在電動汽車的功率轉(zhuǎn)換中扮演越來越重要的角色
- 1? ?中國新能源汽車市場的需求特點(diǎn)首先，中國的電動化發(fā)展速度很快，中國企業(yè)的創(chuàng)新力旺盛，而且直接從傳統(tǒng)汽車向新能源汽車過渡，沒有美國或歐洲企業(yè)所面臨的復(fù)雜的“技術(shù)遺產(chǎn)”問題。相比歐美，新興的中國車企更期待新能源汽車。在中國，功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在汽車中的應(yīng)用非常廣泛，這就是為什么ST專注于與中國客戶合作開發(fā)電源管理系統(tǒng)。ST汽車和分立器件產(chǎn)品部大眾市場業(yè)務(wù)拓展負(fù)責(zé)人公司戰(zhàn)略辦公室成員Giovanni Luca SARICA2? ?SiC在成本上有優(yōu)勢嗎SiC解決方案的成本
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TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用
- GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現(xiàn)2倍的功率密度和高達(dá)99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機(jī)會？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
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推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)
- 隨著電動汽車（EV）數(shù)量的增加，對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標(biāo)準(zhǔn)， 快速DC充電站 可提供高達(dá)400 kW的功率。今天，我們將研究驅(qū)動更快、更安全、更高效的充電器的半導(dǎo)體技術(shù)
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UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議
- 領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協(xié)議，益登科技是總部位于臺灣的半導(dǎo)體產(chǎn)品主要分銷商和解決方案供應(yīng)商。益登科技將與UnitedSiC合作，助其將產(chǎn)品推向亞洲市場，為包括電動汽車、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護(hù)等高增長應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供產(chǎn)品方案。UnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin Bulut 表示：“亞洲市場正在迅速崛起，急需采用能夠?qū)崿F(xiàn)新產(chǎn)品差異化的新技術(shù)。益登的
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下月發(fā)！三星Galaxy Note 20 Ultra曝光：售價超8000元
- Roland Quandt曝光了三星Galaxy Note 20 Ultra的核心參數(shù)。作為三星的年度旗艦，Galaxy Note 20 Ultra的S Pen是一大看點(diǎn)。其延遲僅有9ms，旨在書寫體驗(yàn)更加真實(shí)，更接近傳統(tǒng)手寫筆的使用效果。第二大看點(diǎn)是云游戲，三星與微軟合作，借助Xbox Game Pass，Galaxy Note 20 Ultra可以暢玩90多款云游戲，使Galaxy Note 20 Ultra成為一款便攜式游戲機(jī)。核心配置上，Galaxy Note 20 Ultra采用6.9英寸AMO
- 關(guān)鍵字： 三星 Galaxy Note 20 Ultra
安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達(dá)的太陽能光伏逆變器
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽能逆變器應(yīng)用?的?全SiC功率模塊?，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺達(dá)選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現(xiàn)太陽能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速
- 關(guān)鍵字： MOSFET SiC PIM 光伏逆變器
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境
- 寬禁帶?材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預(yù)測性離散建?？梢赃M(jìn)行系統(tǒng)級仿真
- 關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
三星Note 20 Ultra渲染圖曝光 可能帶有紅外遙控功能
- Galaxy Note 20 Ultra最近備受關(guān)注，這很簡單。它將定義Note 20系列的最高端作品。因此，它所受到的關(guān)注度是顯而易見的，至少可以說。在過去的幾周里，有大量的相關(guān)消息泄露和曝光。俄羅斯三星意外地在其網(wǎng)站上發(fā)布了神秘的青銅色Galaxy Note 20 Ultra的照片。起初，我們以為這些照片只是概念，但之后泄露的消息就開始源源不斷。此時，關(guān)于Note 20 Ultra的一切都已經(jīng)呈現(xiàn)在公眾眼前。據(jù)報道，Galaxy S21 Ultra正在進(jìn)行三種屏幕尺寸的測試，三星準(zhǔn)備超越7英寸顯示屏障
- 關(guān)鍵字： 三星 Note 20 Ultra 紅外遙控
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