ultra c sic 文章 進(jìn)入ultra c sic技術(shù)社區(qū)
臻驅(qū)科技與羅姆成立碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室
- 中國(guó)新能源汽車電驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域高科技公司臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“臻驅(qū)科技”)與全球知名半導(dǎo)體廠商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)宣布在中國(guó)(上海)自由貿(mào)易區(qū)試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”,并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅(Si)功率元器件相比,碳化硅(SiC)功率元器件具有傳導(dǎo)損耗、開關(guān)損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢(shì),作為能夠顯著降低損耗的半導(dǎo)體,在電動(dòng)汽車車載充電器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器等方面的應(yīng)用日益廣泛。自2017年合作以來,臻驅(qū)科技和羅姆就采
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新基建驅(qū)動(dòng)電力電源變革,ST祭出一攬子解決方案
- 我國(guó)正在大力進(jìn)行新基建,工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機(jī)等對(duì)電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí),SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起,奠定了堅(jiān)實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)需要哪些新電力與電源器件?近日,ST(意法半導(dǎo)體)亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪,分享了對(duì)工業(yè)市場(chǎng)的預(yù)測(cè),并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營(yíng)銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
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新諜照顯示三星Galaxy Note20 Ultra將采用巨大后置攝像頭
- 現(xiàn)在大家已經(jīng)知道三星Galaxy Note20 Ulta跟三星Galaxy S20 Ultra相比將會(huì)有一個(gè)顯著升級(jí)的攝像頭?,F(xiàn)在,三星爆料大神Ice_Universe發(fā)布了一些三星Galaxy Note20和Note20 Plus/Ultra的早期手機(jī)保護(hù)套的照片,看起來Note20 Ultra的相機(jī)集群將會(huì)非常龐大。通過對(duì)比可以看出大小的區(qū)別。盡管Note20 Ultra是一款更大的設(shè)備,但攝像頭群似乎占據(jù)了手機(jī)寬度的一半以上。尺寸更大的原因之一可能是用全新的激光自動(dòng)對(duì)焦元件替換了Time of Fl
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緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案
- 汽車電動(dòng)化領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商——緯湃科技(以下簡(jiǎn)稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)——羅姆(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)作為其SiC技術(shù)的首選供應(yīng)商,并就電動(dòng)汽車領(lǐng)域電力電子技術(shù)簽署了開發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過使用SiC功率元器件,大陸集團(tuán)旗下的Vitesco將能夠進(jìn)一步提高電動(dòng)汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動(dòng)汽車電池的電能。這將非常有助于延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術(shù)事業(yè)部執(zhí)行副總裁
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通用研發(fā)下一代半自動(dòng)駕駛系統(tǒng)Ultra Cruise
- 日前,通用汽車全球產(chǎn)品開發(fā)、采購(gòu)和供應(yīng)鏈執(zhí)行副總裁Doug Parks表示,該公司正在開發(fā)新一代半自動(dòng)駕駛系統(tǒng),內(nèi)部代號(hào)為Ultra Cruise(超巡航)。
- 關(guān)鍵字: 通用 Ultra Cruise 半自動(dòng)駕駛系統(tǒng)
碳化硅發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng) 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮
- 近期,多家公司發(fā)布了碳化硅(SiC)方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導(dǎo)體材料之一,碳化硅具備哪些優(yōu)勢(shì),現(xiàn)在的發(fā)展程度如何?不久前,碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET,值此機(jī)會(huì),電子產(chǎn)品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部,大中華區(qū),開關(guān)電源應(yīng)用,高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件,它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),例如電流連續(xù)
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ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車車載充電器
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應(yīng)用于中國(guó)汽車行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,總部位于中國(guó)上海市,以下簡(jiǎn)稱“UAES公司”)的電動(dòng)汽車車載充電器(On Board Charger,以下簡(jiǎn)稱“OBC”)。UAES公司預(yù)計(jì)將于2020年10月起向汽車制造商供應(yīng)該款OBC。與IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一種能
- 關(guān)鍵字: OBC SiC MOSFET
安森美半導(dǎo)體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用
- 近日,推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),推出另兩個(gè)碳化硅(SiC) MOSFET系列,擴(kuò)展了其寬禁帶(WBG)器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長(zhǎng)應(yīng)用,包括太陽能逆變器、電動(dòng)汽車(EV)車載充電、不間斷電源(UPS)、服務(wù)器電源和EV充電樁,提供的性能水平是硅(Si)?MOSFET根本無法實(shí)現(xiàn)的。安森美半導(dǎo)體的新的1200伏(V)和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關(guān)性能和更高的可靠性??焖俦菊鞫?/li>
- 關(guān)鍵字: SiC WBG
相機(jī)成本高達(dá)107.50美元!三星Galaxy S20 Ultra物料成本曝光
- 拆解機(jī)構(gòu)TechInsights拆解了一部三星S20 Ultra韓版并給出了這部手機(jī)的物料成本分析。從圖表中可以看出,三星Galaxy S20 Ultra的總物料成本為528.50美元,值得注意的是S20 Ultra所采用的后攝模組成本最高,達(dá)到了107.50美元,此外驍龍865處理器芯片價(jià)值81美元,屏幕價(jià)值67美元,存儲(chǔ)元件價(jià)值44美元。獲悉,整部三星Galaxy S20 Ultra中成本最高的相機(jī)元件由108MP主攝+48MP長(zhǎng)焦+12MP超廣角+TOF四攝組成,其中包括一顆潛望式鏡頭,支持10X潛
- 關(guān)鍵字: 相機(jī) Galax S20 Ultra
CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊
- 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布,將繼續(xù)致力于應(yīng)對(duì)汽車和工業(yè)市場(chǎng)的挑戰(zhàn),并推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺(tái)。這項(xiàng)新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案,即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個(gè)全新的可擴(kuò)展平臺(tái)同時(shí)優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機(jī)械和散熱設(shè)計(jì)及其臨界控制,對(duì)于電動(dòng)汽車(EV)整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實(shí)現(xiàn)更高效、更簡(jiǎn)潔電機(jī)驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)制造商而言,該平臺(tái)可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時(shí)間。該可擴(kuò)展
- 關(guān)鍵字: SiC IPM
電機(jī)的應(yīng)用趨勢(shì)及控制解決方案
- 顧偉俊? (羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司?技術(shù)中心?現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師)摘? 要:介紹了電機(jī)的應(yīng)用趨勢(shì),以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動(dòng)向。 關(guān)鍵詞:電機(jī);BLDC;MCU;SiC;IPM1? 電機(jī)的應(yīng)用趨勢(shì)?隨著智能家居、工業(yè)自動(dòng)化、物流自動(dòng)化等概念的 普及深化,在與每個(gè)人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域,各類電機(jī)在技術(shù)方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領(lǐng)域,電器的 智能化需要電器對(duì)人機(jī)交 流產(chǎn)生相應(yīng)的反饋。例如 掃地機(jī)器人需要掃描計(jì)算 空間,規(guī)劃路線,然后執(zhí) 行移動(dòng)以及相應(yīng)
- 關(guān)鍵字: 202003 電機(jī) BLDC MCU SiC IPM
碳化硅(SiC)功率器件或在電動(dòng)汽車領(lǐng)域一決勝負(fù)
- 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個(gè)大階段:硅晶閘管(可控硅)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和剛顯露頭角的碳化硅(SiC)系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料,與普通的硅材料相比,碳化硅的優(yōu)勢(shì)非常突出,它不僅克服了普通硅材料的某些缺點(diǎn),在功耗上也有非常好的表現(xiàn),因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因?yàn)槿绱?,已?jīng)有越來越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進(jìn)入SiC市場(chǎng)。到2023年,SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
- 關(guān)鍵字: 碳化硅、SiC、功率器件、電動(dòng)汽車
英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來最佳可靠性和性能水平
- 近日,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲(chǔ)和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“隨著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級(jí)總監(jiān)St
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET
如何利用 SiC 打造更好的電動(dòng)車牽引逆變器
- 在本文中,我們將調(diào)查電動(dòng)車牽引逆變器采用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。我們將展示在各種負(fù)荷條件下逆變器的能效是如何提升的,包括從輕負(fù)荷到滿負(fù)荷。使用較高的運(yùn)行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關(guān)頻率,以對(duì)電機(jī)繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機(jī)內(nèi)的鐵損。預(yù)計(jì)在所有這些因素的影響下,純電動(dòng)車的單次充電行駛里程將提高 5-10%,同時(shí),降低的損耗還能簡(jiǎn)化冷卻問題。簡(jiǎn)介近期的新聞表明,純電動(dòng)車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預(yù)期要快。這促使汽車制造商(包括現(xiàn)有制
- 關(guān)鍵字: SiC BEV 牽引逆變器
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